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适逢端午节假期,按国家规定放假3天,即5月31日-6月2日放假,6月2日所有产品均暂停报价,6月3日(星期二)恢复报价。

消息称,美国政府正在考虑采取权宜之计,根据《1974年贸易法》一项从未使用过的条款,对全球经济的大部分领域征收关税,其中包括允许在150天内征收最高15%的关税,以解决与其他国家的贸易失衡问题。

预估今年下半年至2026年,力成与多家存储原厂商合作HBM封测进展,可逐步明朗。目前力成HBM每月产能可到2,000片晶圆规模,后续将根据客户良率和制程合作需要,逐步扩大HBM封测布局。

华邦电子强调,CUBE并非用来取代HBM,而是填补HBM与传统DRAM之间的市场空缺。以HBM3E为例,1GB产品的售价约为标准DRAM的7倍,华邦电子CUBE价格仅为其一半,同时可提供2GB、4GB、8GB等弹性容量组合,适用于不需大...

英伟达认为,失去将增长至近500亿美元的中国AI加速器市场的准入,将对未来业务产生重大不利影响。

南亚科技将在第3季前去化所有库存,加上1B制程良率提升,有利产品组合,下半年营运可望量价齐扬,力求第4季营运转盈。

目前三星12层HBM3E产品已基本通过英伟达的DRAM单芯片认证,现阶段正在进行成品认证程序。三星原本预计6~7月完成认证,但消息称三星设定的最新目标是在今年7~8月通过英伟达的12层HBM3E品质验证测试。

慕尼黑设计中心将于2025年第三季度开放,该中心旨在支持欧洲客户设计高密度、高性能且高能效的芯片,主要面向汽车、工业、人工智能和物联网领域的应用。

据SEMI最新报告,随着半导体前端及后端制程投资扩大,带动设备市场增长,2024年全球半导体制造设备投资额达1171亿美元,比上年增长10%。

订单能见度大多集中至7月9日川普关税宽限期结束前,后续则尚未明朗。

根据三星HBM产品规划,计划采用1c DRAM作为HBM4核心芯片。目前三星已与多家客户合作,开发基于 HBM4 和增强型 HBM4E 的定制版本。HBM4 的开发细节如期进行,计划于今年下半年实现量产。

时创意步入到第四个五年的“创品”阶段。在研发投入方面,企业成立至今,时创意固定资产/研发投入累计已近15亿元;2025年各项人才发展关键指标逐步提升,技术研发人才占比提升至35%。

双方股票自5月26日起停牌,预计停牌不超过10个交易日。若相关工作顺利推进,将实现产业链相互补充,进一步促进信息产业龙头企业发展,对信息产业格局产生较大影响。

SK海力士此次开发的新品较上一代基于238层NAND闪存的产品能效提升了7%。同时,成功产品厚度从1mm减薄至0.85mm,使其能够适配超薄智能手机。

鉴于存储原厂相继发布DDR4 EOL通知,近期现货DDR4价格剧烈波动,为更好地反映市场情况,CFM闪存市场于5月20日加更服务器RDIMM价格

股市快讯 更新于: 07-06 11:34,数据存在延时

存储原厂
三星电子63300KRW-0.78%
SK海力士270500KRW-2.87%
铠侠2380JPY-6.59%
美光科技122.290USD+0.45%
西部数据66.080USD+0.46%
闪迪46.410USD+0.43%
南亚科技48.45TWD-4.25%
华邦电子19.15TWD-3.04%
主控厂商
群联电子478.0TWD-3.24%
慧荣科技74.810USD+1.11%
联芸科技41.45CNY-1.61%
点序52.3TWD-3.15%
品牌/模组
江波龙83.65CNY-2.51%
希捷科技149.440USD-1.65%
宜鼎国际242.5TWD-1.22%
创见资讯120.0TWD+4.80%
威刚科技93.6TWD-2.80%
世迈科技20.870USD+3.32%
朗科科技23.77CNY-1.65%
佰维存储64.97CNY-2.01%
德明利121.38CNY+2.60%
大为股份19.15CNY-4.35%
封测厂商
华泰电子38.20TWD-2.92%
力成134.5TWD-1.47%
长电科技33.23CNY-0.89%
日月光147.0TWD+2.08%
通富微电25.09CNY-1.18%
华天科技9.89CNY-1.98%