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据悉,三星近日宣布将重新开发 Z-NAND 产品,并将性能目标设定为现有NAND Flash的最高15倍,同时功耗降低最多80%。

佰维存储第二季度营收23.69亿元,环比增长53.5%;归母净利润亏损2829万元,环比亏损大幅收窄。

SK 海力士对未来 HBM 市场增长持乐观态度,部分原因在于客户可能会希望获得比 SK 海力士目前所能提供的更进一步的定制化服务,SK海力士有信心为客户提供具有竞争力的产品。

PCIe 5.0 DRAM-less 主控 SM2524XT拥有 4 个 4800MT/s NAND 闪存通道,顺序性能超过 14GB/s、随机性能可达 2500K IOPS。

合资公司将结合双方资源与专业技术,并运用南亚科技的先进制程与产能,提供高附加价值、高效能、低功耗的客制化超高频宽内存解决方案,拓展AI边缘运算的多元应用商机。

闪迪宣布,已与SK海力士签署一项谅解备忘录,双方将共同制定高带宽闪存 (High Bandwidth Flash,HBF) 规范。通过此次合作,双方希望标准化规范、定义技术要求,并探索构建HBF的技术生态系统。

华邦电子董事会已通过投资40~50亿元在台中厂增设Flash产能,NOR Flash与SLC NAND年产能将提升超20%。其中SLC NAND因受eMMC产能排挤,市场供应紧张,未来成长空间可期。

三星近期已完成1c DRAM开发,并结束量产转移前的生产认可流程(PRA)。该产品将应用于以年底投产为目标的HBM4。

美国总统特朗普8月6日表示,美国将对进口半导体征收 100% 的关税,同时承诺对在美国境内建立或承诺建立制造业务的公司给予豁免。但特朗普未具体说明企业需要在美国投资多少才能获得关税豁免。

AMD CEO苏姿丰在财报电话会议上表示,受美国对中国实施先进芯片出口管制影响,以及产品转换至次世代MI350系列AI芯片,Q2的AI芯片营收呈现年减态势。AMD已于6月开始量产MI350系列AI芯片,预测产量将于今年下半大幅扩增。

消息人士称,英特尔通常要等到良率达70~80%时才能获利,对于Panther Lake这种尺寸较小、容错率偏低的芯片,这一点尤为重要。

该架构旨在满足生成式AI和高性能计算日益增长的需求,其32Kbit数据总线和单芯片高达512 Gbit的容量,带宽提升16倍,密度提升10倍,显著突破了传统HBM的局限性。

据闪迪介绍,UltraQLC™平台的关键特性之一是QLC直接写入技术,通过在首次写入时利用断电保护安全机制,消除对SLC缓存的依赖。此外,还可通过动态频率调节功能,在同等功耗水平下实现约10%的性能提升。

预计「50% 规则」将迫使制造商与出口商强化对客户与最终受益人的背景审查,增加出口许可申请量,同时也可能导致潜在交易流失。

华为与高通的授权合约早已到期,但双方新的许可谈判还未达成,因此特别强调,目前QTL的收入中还不包括来自华为的专利使用费。

股市快讯 更新于: 09-16 14:48,数据存在延时

存储原厂
三星电子79300KRW+3.66%
SK海力士348500KRW+5.29%
铠侠4705JPY+5.89%
美光科技157.770USD+0.34%
西部数据102.390USD+4.84%
闪迪90.090USD+4.60%
南亚科技69.2TWD+9.67%
华邦电子27.95TWD+4.29%
主控厂商
群联电子688TWD+3.61%
慧荣科技90.010USD+1.44%
联芸科技51.50CNY+1.70%
点序68.4TWD+8.74%
品牌/模组
江波龙115.04CNY+3.35%
希捷科技211.120USD+7.72%
宜鼎国际347.5TWD0.00%
创见资讯118.5TWD+1.72%
威刚科技132.0TWD+2.72%
世迈科技26.140USD+0.38%
朗科科技26.94CNY+1.39%
佰维存储79.92CNY+0.59%
德明利125.77CNY+6.67%
大为股份17.59CNY-1.01%
封测厂商
华泰电子43.70TWD+2.10%
力成148.5TWD-1.66%
长电科技38.62CNY+2.12%
日月光169.5TWD+1.80%
通富微电33.47CNY+1.58%
华天科技11.23CNY+1.35%