编辑:Andy 发布:2025-05-26 19:11
外媒报道,三星电子已制定计划在韩国华城工厂建设1c DRAM(第六代10纳米级)生产线,预计该项投资最早将于今年年底完成。此前,三星电子在平泽第四园区(P4)建设第一条1c DRAM量产线,规划产能为每月3万片。
今年1月,据外媒报道,三星电子将其1c DRAM开发的良率里程碑时间从2024年底推迟至2025年6月。
通常为了进入量产阶段,开发时期的良率须达60~70%。消息称三星内部设定的开发目标是在2024年12月,将1c DRAM良率提升至70%,但在实际情况中,三星虽于去年底成功制得1c DRAM的良品晶粒,整体良率却无法满足要求。
根据三星HBM产品规划,计划采用1c DRAM作为HBM4核心芯片。目前三星已与多家客户合作,开发基于 HBM4 和增强型 HBM4E 的定制版本。HBM4 的开发细节如期进行,计划于今年下半年实现量产。HBM4 预计将于 2026 年开始商业供应。
存储原厂 |
三星电子 | 59300 | KRW | +2.07% |
SK海力士 | 247250 | KRW | -0.70% |
铠侠 | 2082 | JPY | -0.10% |
美光科技 | 120.340 | USD | +0.42% |
西部数据 | 58.570 | USD | +2.02% |
闪迪 | 44.090 | USD | -0.27% |
南亚科技 | 59.1 | TWD | +9.85% |
华邦电子 | 19.75 | TWD | +5.33% |
主控厂商 |
群联电子 | 536 | TWD | +1.90% |
慧荣科技 | 68.410 | USD | -1.99% |
联芸科技 | 39.99 | CNY | +2.72% |
点序 | 58.5 | TWD | +2.81% |
品牌/模组 |
江波龙 | 78.33 | CNY | +2.39% |
希捷科技 | 130.870 | USD | -0.13% |
宜鼎国际 | 246.5 | TWD | +3.79% |
创见资讯 | 104.5 | TWD | +1.95% |
威刚科技 | 99.9 | TWD | +5.49% |
世迈科技 | 19.640 | USD | +1.39% |
朗科科技 | 23.31 | CNY | +3.14% |
佰维存储 | 62.61 | CNY | +1.28% |
德明利 | 128.70 | CNY | +1.05% |
大为股份 | 16.99 | CNY | +3.16% |
封测厂商 |
华泰电子 | 41.50 | TWD | +0.24% |
力成 | 134.0 | TWD | +1.52% |
长电科技 | 32.03 | CNY | +0.44% |
日月光 | 149.0 | TWD | +0.68% |
通富微电 | 23.59 | CNY | -0.08% |
华天科技 | 8.85 | CNY | -0.45% |
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