编辑:Andy 发布:2025-05-26 19:11
外媒报道,三星电子已制定计划在韩国华城工厂建设1c DRAM(第六代10纳米级)生产线,预计该项投资最早将于今年年底完成。此前,三星电子在平泽第四园区(P4)建设第一条1c DRAM量产线,规划产能为每月3万片。
今年1月,据外媒报道,三星电子将其1c DRAM开发的良率里程碑时间从2024年底推迟至2025年6月。
通常为了进入量产阶段,开发时期的良率须达60~70%。消息称三星内部设定的开发目标是在2024年12月,将1c DRAM良率提升至70%,但在实际情况中,三星虽于去年底成功制得1c DRAM的良品晶粒,整体良率却无法满足要求。
根据三星HBM产品规划,计划采用1c DRAM作为HBM4核心芯片。目前三星已与多家客户合作,开发基于 HBM4 和增强型 HBM4E 的定制版本。HBM4 的开发细节如期进行,计划于今年下半年实现量产。HBM4 预计将于 2026 年开始商业供应。
存储原厂 |
三星电子 | 53900 | KRW | -1.46% |
SK海力士 | 202500 | KRW | -0.25% |
铠侠 | 2072 | JPY | -0.24% |
美光科技 | 96.265 | USD | +3.10% |
西部数据 | 51.815 | USD | +3.26% |
闪迪 | 38.130 | USD | +2.28% |
南亚科技 | 41.95 | TWD | -1.99% |
华邦电子 | 17.35 | TWD | -0.57% |
主控厂商 |
群联电子 | 491.5 | TWD | -0.81% |
慧荣科技 | 63.610 | USD | -0.14% |
联芸科技 | 38.31 | CNY | -2.52% |
点序 | 56.7 | TWD | -1.90% |
品牌/模组 |
江波龙 | 71.67 | CNY | -1.90% |
希捷科技 | 117.170 | USD | +3.93% |
宜鼎国际 | 231.5 | TWD | -2.53% |
创见资讯 | 101.5 | TWD | -0.98% |
威刚科技 | 91.9 | TWD | +0.11% |
世迈科技 | 18.310 | USD | +3.80% |
朗科科技 | 22.41 | CNY | -1.45% |
佰维存储 | 56.50 | CNY | -2.57% |
德明利 | 108.21 | CNY | -3.38% |
大为股份 | 14.19 | CNY | -0.98% |
封测厂商 |
华泰电子 | 36.65 | TWD | -3.04% |
力成 | 116.5 | TWD | -1.69% |
长电科技 | 32.35 | CNY | -1.34% |
日月光 | 141.5 | TWD | -1.74% |
通富微电 | 23.57 | CNY | -1.50% |
华天科技 | 8.77 | CNY | -1.68% |
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