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三星电子拟扩建1c DRAM产能

编辑:Andy 发布:2025-05-26 19:11

外媒报道,三星电子已制定计划在韩国华城工厂建设1c DRAM(第六代10纳米级)生产线,预计该项投资最早将于今年年底完成。此前,三星电子在平泽第四园区(P4)建设第一条1c DRAM量产线,规划产能为每月3万片。

今年1月,据外媒报道,三星电子将其1c DRAM开发的良率里程碑时间从2024年底推迟至2025年6月。

通常为了进入量产阶段,开发时期的良率须达60~70%。消息称三星内部设定的开发目标是在2024年12月,将1c DRAM良率提升至70%,但在实际情况中,三星虽于去年底成功制得1c DRAM的良品晶粒,整体良率却无法满足要求。

根据三星HBM产品规划,计划采用1c DRAM作为HBM4核心芯片。目前三星已与多家客户合作,开发基于 HBM4 和增强型 HBM4E 的定制版本。HBM4 的开发细节如期进行,计划于今年下半年实现量产。HBM4 预计将于 2026 年开始商业供应。

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股市快讯 更新于: 05-28 03:59,数据存在延时

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