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消息称三星明年量产400+V10 NAND,平泽P5工厂也将重启建设

编辑:Andy 发布:2025-07-03 17:37

据韩媒报道,三星电子计划自2026年3月起建设V10 NAND生产线。按照规划,将于3月引进设备,上半年内完成产线搭建,经过试生产和稳定性测试后,于10月启动正式量产。相关投资计划预计在今年下半年正式启动。

报道称,这是三星电子首次明确披露V10 NAND的量产计划。此前有观测认为三星将在今年量产V10,但三星最终将商用化时点定在2026年。

为提升存储容量,NAND闪存技术发展路线是通过垂直堆叠存储单元实现。目前三星最高堆叠层数的产品是286层V9 NAND,自去年开始量产。V10在V9基础上增加100+层,据悉达到430层。

三星电子在国际固态电路会议(ISSCC)公布的规格显示:以TLC标准计算的存储密度达28Gb/mm²,较前代提升56%;输入输出接口速度5.6GT/s,提升75%。性能的大幅跃升使其有望与明年商用的PCIe Gen6 主控协同发力数据中心市场。

据悉,V10因堆叠层数增加将应用多项新技术:

首次采用超低温(-70℃以下)蚀刻设备打孔技术,用于垂直堆叠存储单元间的数据传输通道加工,目前正评估应用泛林集团和TEL设备。

区别于前代产品在单一晶圆制造的方式,创新采用"混合封装"技术——将存储数据的"单元"与驱动电路的"外围"分别制作在不同晶圆后接合,该技术被称为"晶圆对晶圆(W2W)键合"

三星预计将采用性能升级的V10产品,重点开发用于数据中心的eSSD。

三星电子相关负责人就V10投资及量产计划表示:"正按内部规划推进,但具体细节无法确认。"

另据韩媒报道,有消息称,三星高层正就平泽P5工厂的复工建设及投资计划展开密集讨论,部分人员已进驻现场开展建材整理工作,实质性地推进复工准备。预计重型施工设备最快将于10月全面进场。

P5工厂是三星DS部门在平泽园区建设的第五座半导体工厂,长约650米、宽约195米,预计总投资将超过30万亿韩元,规划为综合型晶圆厂,同时容纳DRAM、NAND闪存及晶圆代工生产线。

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股市快讯 更新于: 07-03 23:34,数据存在延时

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