累计2025年1-8月，日本芯片设备销售额达3兆3,758亿8,600万日圆、较去年同期大增19.2%，就历年同期来看，远超2024年的2兆8,311亿7,300万日圆、创下历史新高纪录。

据现场资料显示，华为自研HBM高带宽内存分为HiBL 1.0和HiZQ 2.0两个版本，规格方面，HiBL 1.0容量128GB，带宽1.6TB/s；HiZQ 2.0容量144GB，带宽4TB/s。

性能方面，顺序读写速度最高可达6800MB/s 和 5600MB/s，随机读写速度最高可达700K IOPS 和 800K IOPS。

消息人士透露，三星电子最近通过了英伟达对其12层HBM3E的质量测试，并即将开始出货。

PCI-SIG今年8月公布PCI Express 8.0规范开发计划，其原始比特速率在 PCIe 7.0 基础上再次翻倍，达到256 GT/s。在 ×16 配置下双向传输带宽可达 1TB/s，旨在满足未来人工智能及高性能计算领域对高速互联日益增长的需求。

双方表示，将通过 NVIDIA NVLink 将英伟达的人工智能 (AI) 和加速计算技术与英特尔CPU和 x86 生态系统连接起来，提供尖端解决方案。

华为超节点Atlas 950 SuperPoD至少在未来多年都将保持是全球最强算力的超节点，并且在各项主要能力上都远超业界主要产品。

在华为全联接大会2025 上，华为轮值董事长徐直军公布昇腾950、960、970等芯片信息，并表示，昇腾芯片将不断演进，更多芯片还在规划。

与目前使用凸块垂直堆叠HBM DRAM的热压键合 (TC) 设备不同，该混合键合机可以直接将芯片键合在一起，可减少HBM 厚度并减少信号损耗。预计该设备将于 2027年投入生产20层第六代 HBM (HBM4)。

作为HBM4的关键组件，三星选择采用自家4nm制程生产，SK海力士则交由台积电12nm制程代工。美光未委托专业晶圆代工厂，而是自行以DRAM制程制作逻辑芯片，导致在满足英伟达最新效能要求上显得有些吃力。分析称，美光部分逻辑芯片可能需要重新设计。

平头哥PPU配备96GB HBM2e显存，片间带宽700GB/s，支持 PCIe 5.0，功耗为400W，多项配置规格超过英伟达A800、接近H20。

数据将成为推动AI发展的“新燃料”，AI存储容量需求预计将比2025年增长500倍，占比超70%，Agentic AI 驱动存储范式变革。通讯网络连接对象将从目前的90 亿人扩展至9000亿智能体，实现从移动互联网到智慧互联网的跨越。