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如果SK海力士明年1月初能够提交更多优化后的样品,且质量测试能够迅速完成,预计将于2-3月开始全面量产,产能提升在第二季度将得以启动。

尽管尚不明确能否获得英伟达芯片,但字节跳动已将明年人工智能处理器的预算定为 850 亿元。

报道称,英伟达对三星HBM4的供货需求量也远高于三星内部的预期,这可能会显著提振三星的盈利。

高通一直强调智能体人工智能将显著改变智能手机的用户体验,而此次推出的全新计算架构也正是基于此理念。Amon强调,智能体人工智能体验的关键在于“上下文”,它基于对用户所见、所闻、所言等感官信息的即时理解能力。

SPRandom通过其创新的伪随机预处理方法,并与灵活1/O测试工具(fio)深度集成,将这一耗时过程大幅缩短至数小时。

与前代产品 Exynos 2500 相比,Exynos 2600的 CPU 性能提升高达 39%,生成式 AI 性能提升高达 113%。预计该芯片将用于即将在2月推出的旗舰智能手机Galaxy S26。

与传统的焊接式 LPDDR 解决方案不同,SOCAMM2 无需对主板进行任何修改即可轻松升级或更换内存,从而最大限度地减少停机时间并显著降低总体拥有成本 (TCO)。

技术团队表示:“搭载本产品的服务器与采用32Gb 128GB产品时相比,推理性能提高了16%。通过利用32Gb DRAM单芯片设计,其功耗较1a 16Gb 256GB产品降低约18%。”

目前,三星电子正在开发LPDDR5X-PIM,结合LPDDR5X和PIM技术,带宽高达614 GB/s,是现有LPDDR5X的八倍,并支持FP16/FP8和INT/4/8/16等多种运算。

三星将其新技术命名为“用于10nm以下CoP垂直通道DRAM晶体管的高耐热非晶氧化物半导体晶体管”。采用了一种基于非晶铟镓氧化物(InGaO)的晶体管,这种晶体管可以承受高达 550 摄氏度的高温,从而防止性能下降。 这种垂直沟道晶体管的沟道长度为 100nm,可以与单片 CoP DRAM 架构集成。

铠侠即将推出 EXCERIA G3 SSD 系列,采用BiCS FLASH™ 第八代 QLC 闪存,PCIe Gen5x4接口,顺序读取速度高达 10,000 MB/s,写入速度高达 9,600 MB/s,容量最高可达 2TB。

今年,博通已将三星电子视为战略合作伙伴,以取代SK海力士。三星电子在性能和价格谈判方面展现出了灵活性,具体而言,据报道,三星电子将其供应价格较SK海力士目前供应的HBM3E产品降低了约20%。

铠侠宣布,其研发出的高度可堆叠氧化物-半导体沟道晶体管将使高密度、低功耗3D DRAM的实际应用成为可能。该技术有望降低包括人工智能服务器和物联网组件在内的众多应用领域的功耗。

此外,ASML已启动更先进的Hyper NA技术研发,为下一个十年的芯片制造铺路。

展望2026财年第一季度(2025年11月-2026年1月),博通营收预计将达到191亿美元,同比增长28%,高于分析师平均预期的183亿美元。

股市快讯 更新于: 12-24 17:58,数据存在延时

存储原厂
三星电子111100KRW-0.36%
SK海力士588000KRW+0.68%
铠侠10605JPY+6.56%
美光科技276.270USD-0.12%
西部数据178.250USD+0.84%
闪迪244.900USD+1.60%
南亚科技189.0TWD+7.08%
华邦电子76.9TWD+5.34%
主控厂商
群联电子1290TWD+9.79%
慧荣科技89.630USD+0.09%
联芸科技46.02CNY+1.37%
点序72.0TWD+3.15%
品牌/模组
江波龙255.44CNY+5.27%
希捷科技282.800USD-0.02%
宜鼎国际512TWD+2.81%
创见资讯182.5TWD0.00%
威刚科技223.5TWD+9.83%
世迈科技20.290USD+1.50%
朗科科技26.07CNY+2.20%
佰维存储111.94CNY+3.91%
德明利221.00CNY+9.13%
大为股份26.74CNY+3.04%
封测厂商
华泰电子51.5TWD+2.39%
力成164.5TWD+0.30%
长电科技37.12CNY+1.34%
日月光234.5TWD0.00%
通富微电37.73CNY+0.69%
华天科技11.12CNY+1.65%