从HBM4开始，先进逻辑工艺将被应用于基础芯片（Base Die），存储器和系统半导体之间的界限正变得越来越模糊。这意味着AI加速器与HBM的协同优化变得至关重要——与其分别开发AI芯片和HBM再进行整合，不如从产品设计的早期阶段就对二者进行联合优化。
据韩媒报道，三星电子计划将其京畿道平泽半导体基地的核心设施——P5 1号和2号工厂，从现有的"双层晶圆厂"结构升级为"三层晶圆厂"结构。旨在顺应全球AI半导体和存储器"超级周期"，最大化产能。
与N2P相比，A16在相同功耗下可提升8%–10%的计算速度，芯片集成密度也提高了8%至10%。在相同速度下，其功耗可降低15%–20%。因此，A16被认为是一种适用于AI加速器和高性能计算等需要复杂信号布线和高功率的半导体的工艺。
预计 Marvell 将为 谷歌的 TPU 提供详细的芯片设计和生产管理支持，并提供一系列与 TPU 生态系统相关的定制半导体产品。具体而言，谷歌 和 Marvell 计划开发各种定制半导体，包括 AI 推理加速器、存储控制器、网络接口控制器、内存接口控制器和近内存计算解决方案。
据韩媒报道，忠清南道于19日宣布，已完成城市规划委员会对三星电子在牙山温阳园区扩建半导体制造厂的必要审议。该扩建项目投资额达6万亿韩元，是在温阳园区内占地 389,825 平方米 (㎡) 的地块上建造一座新工厂，以扩大高性能AI半导体（如HBM）的生产。三星电子计划下个月开始建设新工厂，竣工日期尚未公布。
SK海力士正引领面向AI的存储器市场，业绩连续创下历史新高。截至今年第二季度末，净现金约为69万亿韩元，现金创造能力大幅改善。
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除了美国市场的强势扩张，SK海力士在中国市场的表现同样超出市场预期。今年上半年，SK海力士来自中国市场的营收达到32.4783万亿韩元（约合229.9亿美元），占总销售额的24.6%。
据业内人士透露，三星电子DS事业部已启动半导体工艺分析实验室的升级工作。该公司正通过合作伙伴引进新一代设备，用于验证半导体和晶圆电路图案并诊断缺陷。
据韩媒报道，三星电子将第7代10纳米级DRAM（1d DRAM）开发完成目标时间定于今年9月，并计划于12月启动量产移交，明年底有望实现首批量产。据悉，三星电子1d DRAM的良率提升速度超出预期，在高温环境下的热测试良率已达目标水平，目前正集中确保低温冷测试的良率。三星已宣布将1d DRAM应用于HBM5E，预计2030年左右推出产品。
尽管半年报并未单独拆分DX（设备体验及成品）部门和DS（设备解决方案及半导体）部门的各地区销售额，但此次增长被解读为DS部门围绕大型科技公司扩大生产、销售和运营所产生的效应。
2026年上半年，中微半导体交出一份颇为亮眼的成绩单。报告期内，公司实现营业收入 72,577.37 万元，同比增长 44.01%；归母净利润达17,162.23万元，同比大增 98.48%，扣非净利润增速更是高达 109.74%，盈利弹性显著释放。
此次多站点扩建计划预计将新增基础设施与实验能力，使该司实验容量提升超过50%。
群联表示，未来2至4季仍不会将主要资源投入Retail市场，而将持续聚焦企业级、AI及定制化存储应用。随着消费零售模组营收占比已降至5%，营运结构正进一步降低对PC、手机等传统消费景气循环的依赖。
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闪迪举行了2026年投资者日活动，概述了NAND技术发展路线、高度优化的财务模型、持久的客户合作伙伴关系等，旨在推动人工智能时代可持续的长期价值。
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杨元庆在业绩会上进一步透露，当前AI基础设施的外部需求依然十分旺盛，目前联想AI服务器项目储备达540亿美元。他强调，后续这些庞大订单能够转化多少实际收入，很大程度上将取决于联想的供应链能力，这也对企业的全球运营与敏捷交付提出了更高要求。
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闪迪：NBM协议保底营收939亿美元，消费类市场明年有望趋稳