V10 是三星最新的 3D NAND 闪存,专为满足人工智能时代对高性能、高容量和节能存储日益增长的需求而开发。基于三星的3D Bonded-VNAND架构,V10拥有超过400条字线(WL)。相比上一代产品V9,V10的位密度提升超过58%,数据I/O速度超过4.8Gbps,性能提升超过33%,同时功耗降低超过25%。三星电子计划将V10用于支持容量高达128 TB的超高容量SSD以及下一代 PCIe 7.0 SSD。
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存储,是每个iPhone用户每天都要面对的问题——128GB够不够用?要不要加钱上256GB?iCloud满了怎么办?照片删还是不删?这是一个亿级用户的刚需,却长期被忽视。
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长鑫存储成为继小米、中微、禾赛、药明康德、阿里巴巴、长江存储之后,第7家对美方"中国涉军企业"清单发起法律反击的中国企业。
按季度看,德明利第二季度营收93.72亿元,同比增长228.04%,环比增长24.33%;归母净利润26.71亿元,同比增长55.67倍,环比减少20.18%;扣非净利润26.32亿元,同比增长56.54倍,环比减少21.04%。
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产品结构上,上半年 DDR 系列营收 694.7 亿元,营收占比由 2025 年 31.87% 提升至 46.22%;LPDDR 系列营收 781.9 亿元,占总营收 52%。其自研 LPDDR6 峰值速率 12800Mbps,最高容量 16GB,目前已向核心客户送样验证,推进量产。
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由于供应正转向以需求为导向的定制化模式,即便下行周期到来,也不会像过去那样出现严重的供过于求问题。郭鲁正表示:"即便下行期到来,需求也不会急剧萎缩,而是趋于放缓或维持在计划水平。因此,我对2030年之后的前景并不担忧。"
在HBC的制造环节,高通仅负责设计和系统集成,开发位于DRAM芯片下方的计算裸片,并提供TSV设计方案。三星电子和SK海力士则负责DRAM的堆叠工作。高通计划与台积电合作,完成各项技术的集成与封装。
总投资额将超过40亿美元的印第安纳晶圆厂,预计于2028年10月完成无尘室 (Cleanroom)建设,并于2029年下半年启动新一代HBM量产。未来随着生产全面步入正轨,该基地有望发展成为拥有1000余名员工的美国核心HBM生产基地。
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此外,铠侠宣布,已正式启动位于日本岩手县北上工厂的全新现代化制造工厂Fab3的场地准备及相关建设工作,旨在扩大先进3D NAND BiCS FLASH™的产能。Fab3将建于Fab2南侧,预计将于2029财年投入运营。
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订单经双方书面确认起生效,交付期限为订单生效后 18 周内。订单还就产品名称、产品数量、单价、付款条件等内容进行约定。
据日媒报道,因AI普及,带动存储需求激增,为加快高性能产品的增产投资,铠侠将在岩手县兴建NAND Flash新厂房,预估投资额将超过1兆日圆(约合62.78亿美元)。铠侠高层将在27日访问日本首相官邸,宣布新厂兴建计划。
在兼容性方面,LPDDR5X-PIM采用与现有LPDDR5X相同的封装和内存控制方式,无需额外的内存控制器即可直接应用于现有系统。通过按照JEDEC制定的封装标准开发产品,使用现有LPDDR5的用户可以轻松切换到LPDDR5X-PIM。
在2048引脚配置下,14Gbps版本单堆叠最大带宽可达3.6TB/s;当速率提升至16Gbps时,单堆叠最大带宽将跃升至4TB/s。
按季度看,联芸科技第二季度营收4.988亿元,同比增长35.31%,环比增长40.41%;归母净利润5.107亿元,同比增长531.03%,环比大增56.6倍;扣非净利润5045万元,同比减少26.92%,环比增长730.94%。
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作为构建自有AI基础设施战略的一部分,OpenAI计划从今年年底起小规模部署该芯片用于驱动AI模型。