江波龙发布业绩预告，预计2026年前三季度营业收入为380亿元~400亿元，同比增长127.08%~139.03%；归属于上市公司股东的净利润为140亿元~149亿元，同比增长1864.55%-1990.84%；扣除非经常性损益后的净利润为138亿元~148亿元，同比增长2,782.36%~2,991.23%。
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据外媒报道，当地时间14日下午2时12分，英特尔位于以色列的先进晶圆厂Fab 38发生爆炸及火灾，造成至少3名工人受伤，其中1人伤势危急。当地警方初步怀疑事故与特殊气体钢瓶有关，可能涉及半导体制程使用的三氟化氮(nitrogen trifluoride)，具体事故原因仍待官方调查确认，不能排除其他因素。
据业内人士透露，三星电子计划将4F²技术应用于其下一代3D DRAM和垂直结构工艺节点“D0a”，该项目内部代号为“D0a-V”。
SK海力士正式公布其下一代存储路线图。据韩媒chosun报道，SK海力士开发总负责人、社长安炫日前公开了该司高带宽闪存（HBF）的详细目标规格，以及将DRAM堆叠在逻辑芯片之上的“3D堆叠DRAM”构想，旨在解决AI推理环境中的容量不足与数据瓶颈问题。
据韩媒报道，FADU在OCP2026大会上推出首款文件语义（File Semantic）SSD，即FS-SSD。该新型存储设备可直接理解和管理文件，而不是像传统方法那样以块地址单元处理数据，通过简化数据处理流程来提高数据处理效率。它还能简化服务器所需的 CPU、内存和软件配置，从而降低功耗和运营成本。FADU计划未来将FS-SSD开发成基于DPU的存储服务器和可扩展文件存储解决方案。此外，公司还计划向OEM和ODM合作伙伴提供相关的设计方案。
近日，Marvell发布了第二代STRUCTERA X，这是业界首款用于AI推理的六通道CXL 3.2内存扩展器。第二代Marvell® Structera™ X 3406 和 3506 CXL 3.2内存扩展器增加了六个DDR4/DDR5通道（比上一代多 50%）和PCIe Gen 6连接，单个控制器最多支持9TB DDR4或6TB DDR5。
南亚科技公布2026年第三季度截至9月30日自行结算合并财务报告。南亚科技2026年第三季度营业收入为新台币1,336.49亿元，环比增长61.9%，同比增长611.7%；营业利润1,068.94亿元，环比增长75.7%，同比增长9451.3%，营业利益率达80％；税后净利为新台币876.27亿元，环比增长74.6%，同比增长5505.1%，净利率较上季提高4.8个百分点至65.6%；营业毛利为新台币1,144.82亿元，毛利率较上季提升6.2个百分点至85.7%。
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截至10月1日，东芝持有铠侠的股份比例已从此前的12.84%（截至9月7日）下降至11.80%。
Maia 300 采用台积电 N2P（2nm 增强版）芯粒架构，配备 288GB HBM4，单芯片 FP4 算力约 13.8 PFLOPS，内存带宽 18TB/s。单机柜满配可部署 96 颗芯片，整机柜功耗约 167 千瓦，机架级 Token 吞吐量最高可达上一代 Maia 200 的 7 倍（Maia200 单机架仅 48 颗）。微软称，在 AI 推理任务中，Maia 300 每兆瓦电力可处理的 Token 数量比 “领先 GPU 系统” 高出约 40%，但未披露具体对比对象。
据韩媒报道，三星电子以“拓展人工智能时代的创新”为主题发表了演讲，并提出将速度、内存扩展和数据持久性作为人工智能基础设施的技术方向。具体将通过推出高性能内存（如HBM5 和定制 HBM）提高数据处理速度、配备DRAM的CXL内存模块（CMM-D）和内存池化技术实现内存可扩展性，以及利用下一代SSD的数据存储和管理技术提升性能并延长使用寿命。
AI、手机及高性能运算产品抢夺台积电3nm产能，2nm进入量产爬坡阶段，单位晶圆和设计成本随之走高。AI PC、服务器需求及先进制程成本正共同推升CPU价格。近期，供应链消息传出，英特尔、高通、AMD相继上调CPU售价。
据悉，H-TPU并非执行AI计算的张量加速器，而是一款专用于控制SSD数据平面和处理事务的可编程处理器。其关键特性在于摒弃了依赖单个大型通用CPU的传统方法；相反，它将控制功能细分，并将处理器分解为功能单元，分布在数十个小型TPU集群中。该架构通过按功能拆分处理器来最大限度地提高效率，从而克服了通用CPU的功耗和面积限制。
据韩媒援引业内人士消息， 三星电子正在内部研发三种类型的z-NAND闪存， 除已公开展示模型的zNAND-O外，还包括zNAND-T和zNAND-I。据悉，zNAND-T专为高吞吐量而设计，zNAND-I则最大程度地提高了IOPS。
长鑫的4F²架构，最核心的特色是在DRAM存储阵列晶体管上的创新，即自研的VSG（Vertical Surrounded Gate）晶体管。VSG晶体管采用了垂直包围沟道结构，能实现更强栅控，解决漏电与短沟道效应痛点，同时竖立的晶体管也助力面积微缩，提升存储密度。
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据媒体报道，Meta工程师近日在LPC 2026上展示名为CRAM（Compressed RAM）的实验性内存压缩方案。该方案旨在让压缩后的数据继续以内存形式存在，从而减少传统Swap路径带来的软件开销，而非简单替代ZRAM或zswap。CRAM的核心思路是将硬件压缩后的内存作为一种特殊的NUMA内存提供给Linux，而不是模拟成块存储设备。据介绍，CRAM方案在纯读取场景下，吞吐性能相较当前主流的ZRAM提升达452倍，实际运行速度已极为接近原生DRAM。
资源成本高企带动多数渠道/行业内存条价格续涨，但64GB及以下容量eMMC承压下行
【CFM报告】2026Q3全球存储市场总结与Q4展望
美光：预计2027/2028财年存储供需进一步趋紧，HBM出货增速将持续高于传统DRAM