英特尔CEO陈立武表示,近几个月,CPU正重新成为AI时代不可或缺的基础。公司将继续专注于最大限度地利用其工厂网络,以提高供应量,并满足客户全年的需求。量产级AI计算的核心仍是以CPU为基础的架构,这对英特尔更是重大机遇。基于这一结构性趋势,英特尔CEO陈立武相信CPU业务将成为公司未来数年(而非仅几个季度)的重要增长引擎。
3D X-DRAM采用存储单元垂直整合架构,突破传统存储容量扩展限制。该技术有望应用于HBM、DDR以及AI与HPC等领域。
具体性能,顺序读取速度高达 10,300 MB/s,顺序写入速度高达 10,000 MB/s,随机读取和写入性能分别高达 140 万和 130 万 IOPS。
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当地时间4月22日,JEDEC发布了一系列计划纳入其JESD209-6 LPDDR6标准下一版本的新功能预览,致力于将LPDDR6的应用范围从移动平台扩展到支持特定数据中心和加速计算工作负载。即将推出的LPDDR6更新计划包括以下特征:更窄的芯片接口(x6)以实现更高的容量;支持灵活的元数据分离;容量有望突破当前LPDDR5/5X的最大容量限制达到512GB;LPDDR6 SOCAMM2模块标准正在开发中。此外,LPDDR6 PIM 存内处理技术标准制定也接近完成。
Nextorage(群联旗下日本存储模组企业)宣布推出 G Series EEA固态硬盘,提供1TB、2TB、4TB、8TB四种容量版本。该SSD采用PCIe Gen4 × 4接口,搭载3D QLC NAND闪存,整体方案为DRAM-less HMB+SLC Cache,质保期1年。
本次上修支出主要用于建厂、无尘室设施,及增加高功率预烧老化(Burn-in)测试机台,预估今年产能有望扩充30%–50%。京元电子强化高功率测试能力,被视为因应AI GPU与ASIC等高阶芯片需求。
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SK海力士预测,存储效率化技术的扩散将提高人工智能服务的经济性,进而推动整体服务规模的扩大,这将进一步拉动存储器需求。基于此,SK海力士预计DRAM和NAND闪存市场均将维持有利的价格环境。
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据媒体报道,由于特斯拉的存储需求激增,4月三星向特斯拉供应的8GB GDDR6 DRAM较第一季度月均水平增长了三倍。三星已提高位于韩国华城工厂的产能,以满足客户对DRAM的需求,还计划在2026年下半年于得克萨斯州的工厂开始为特斯拉生产先进的人工智能芯片。
D1d是三星电子将应用于第九代高带宽内存HBM5E的关键产品。虽然1c DRAM可以支持第六代到第八代内存(HBM4、HBM4E、HBM5),但从HBM5E开始,稳定的D1d供应至关重要。
此外,与美光合作的HBM后段晶圆制造(PWF)产线已于新竹厂区扩建无尘室,预计2026年第3季开始机台搬入,2026年第4季开始试产,2027第4季进入量产,目标月产能2万片。
4月21日,铠侠宣布推出面向PC OEM厂商的EG7系列固态硬盘(SSD)。该产品为公司首款基于BiCS8 QLC技术的客户端存储方案,采用无DRAM HMB技术,支持PCIe Gen4×4与NVMe 2.0d规范,提供512GB/1024GB/2048GB三种容量,最高顺序读写达7000MB/s和6200MB/s。EG7系列目前正向部分PC OEM客户提供样品,搭载该SSD的PC预计将从2026年二季度开始出货。
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4月20日,亚马逊向Anthropic投资50亿美元,未来还将根据某些商业里程碑的达成情况追加至多200亿美元的投资。双方宣布深化合作,亚马逊AWS将向Anthropic开放最高达5GW的当前及未来几代Trainium算力集群,用于训练和运行人工智能模型;Anthropic未来十年将在AWS技术和芯片方面投入超过1000亿美元,使用AWS Trainium芯片运行其大型语言模型。
据媒体援引知情人士消息,字节跳动2025年海外营收增长近50%,远超约20%的国内营收增幅。然而,公司2025年净利润同比下滑超70%,主要是因为在去年三四季度大幅增加了对于AI业务的投入。继2025年三四季度的大幅投入之后,知情人士透露,字节跳动预期在2026年的技术资源投入会进一步加大。叠加美国市场新成立的数据安全合资公司的影响,预计公司净利润率短期还将继续承压。
三星NAND Flash产能投资计划将在目前正在建设中的平泽P5工厂进行,这将是自P3工厂以来,三星电子首次大规模扩建NAND Flash产线。由于市场低迷,三星此前一直专注于P4工厂的DRAM生产投资。