据韩媒ZDNET援引业内人士消息,SK海力士最近通过其位于圣何塞的美国子公司招聘3D堆叠式DRAM逻辑设计工程师。据悉,3D堆叠式DRAM逻辑芯片设计是一种尖端的堆叠技术,它将DRAM直接垂直堆叠在逻辑半导体(系统半导体)之上。预计在生成式AI之后的物理AI时代,该技术将成为采用端侧部署方式的边缘AI设备的核心半导体技术。SK海力士正加速研发3D堆叠式DRAM,并已和特定客户建立合作关系,推进相关技术的落地应用。

PIM 技术旨在解决 CPU/GPU 与内存之间数据传输产生的性能瓶颈。核心原理是在内存芯片内部嵌入运算单元(PIM 逻辑电路),直接在内存内部完成数据运算,最大限度减少数据搬移量。

目前,英特尔与AMD正与中国买家讨论的长期供货协议,通常采取“锁定采购量但不锁定价格”的模式。虽然大多数协议覆盖约一年的供应量,但两家厂商已向部分客户提出了长达两年甚至更久的采购承诺。这一趋势与此前因AI需求激增而推动买家签订长期协议的存储芯片市场如出一辙,标志着服务器CPU市场正加速从买方市场向卖方市场切换。

据媒体报道,三星电子高级工程师James Ahn在“AMD Advancing AI 2026”活动中表示,三星电子的HBM4将应用于AMD最新的AI加速器Instinct MI455X和Helios平台。其架构是:Instinct GPU系列采用HBM4和HBM3E,服务器CPU EPYC系列采用RDIMM DRAM模块,而Helios平台则同时采用RDIMM和HBM4。据悉,AMD和三星电子的合作关系将在下一代产品HBM4E(第七代HBM)阶段进一步加强。

据韩媒报道,三星电子与忠清南道牙山市签订MOU,确定了温阳工厂扩建计划、振兴当地经济以及切实合作措施。新工厂计划于今年10月开工建设,目标是在2029年5月实现HBM的量产。据悉,该项目为韩国政府三大Mega Project的首个落地项目,总投资额为46万亿韩元,其中6万亿韩元将用于建设HBM生产线。

7 月 22 日盘后,谷歌母公司 Alphabet 发布 2026 年第二季度财报。这份成绩单呈现出极为罕见的 “冰与火” 交织局面:一方面,核心云业务创下历史最快增速,AI 需求呈现爆发式增长;另一方面,巨额资本开支扩张,推动公司上市以来首次出现单季负自由现金流。

P&T7是SK海力士的第七座封装测试工厂,主要负责用于人工智能存储器的先进封装,包括高带宽存储器(HBM)。该工厂于去年4月开工建设。计划于2028年2月前陆续建成晶圆级封装(WLP)生产线及其他生产线,其中晶圆测试(WT)生产线将于2027年10月率先投产。

据韩媒报道,三星电子将在其平泽园区P5工厂建设一条包含50台晶粒到晶圆(D2W)混合键合设备的量产线,旨在为下一代HBM及逻辑半导体的生产提供先进封装支持。该量产线的设备搬入与安装工作预计将于今年年底正式启动。

英伟达资深副总裁Andrew Bell 表示,相较于上一代Blackwell 平台,Vera Rubin 目前的开发与生产进度顺利许多,公司对后续量产持审慎乐观态度。产能方面,英伟达目前与十多家制造伙伴合作,未来整体供应链最高可望具备每日生产1,000 座Vera Rubin 机架的能力。

在内存支持方面,Ryzen 7 7700X3D提供双通道DDR5支持,最大内存容量可达128GB,为重度游戏玩家、内容创作者及多任务处理用户提供了充足的扩展空间。官方标称在2条单面或双面内存配置下,最高支持DDR5-5200频率;在4条内存满插配置下,最高支持DDR5-3600频率。

据媒体报道,台积电拟于明年起调涨先进和成熟制程代工价格以反映材料、生产设备、海外设厂的高涨成本。据悉,7nm和更先进制程基本涨幅约为5%-10%,具体取决于客户和产品。对于超出客户原先预测的高性能计算(HPC)芯片新增订单,台积电计划在基础涨价幅度外加收10%至15%的费用,部分先进制程价格总涨幅可能超过10%。此外,报道称台积电正在考虑逐步调整价格,而不是一次性大幅提价,以减轻客户的负担。

经推算,东芯股份第二季度单季预计实现营业收入10.11亿元至10.51亿元,环比增长约111%至119%;归母净利润预计达5.02亿元至5.42亿元,环比激增262%至291%,单季盈利能力创下上市以来的历史新高。

据媒体报道,长鑫存储正在为DDR6提前布局供应链,已引入新的封装基板及导线架供应商海成DS(Haesung DS),考虑改用可支持多层设计的面板级制程,以取代DDR4、DDR5使用的卷对卷生产方式,应对DDR6多层设计的更高要求。据悉,长鑫的LPDDR6芯片已进入送样阶段,有望在2026年下半年实现全球首发量产,速率达12.8Gbps,直接对标三星和SK海力士的旗舰产品。

展望未来,英特尔计划于 2027 年第一季度为英特尔® 至强® 6900P 处理器启用第二代 MRDIMM 支持,最高速度可达 8800 MT/s,从而为 72 至 128 核的高核心数平台提供 MRDIMM 技术带来的持续性能保障。

据韩媒报道,三星电子正扩大与英伟达在NAND闪存供应领域的合作。业内人士透露,三星电子已建成每月超过10万片晶圆的V-NAND产能,并正在大规模生产其第十代V10产品,以供应给英伟达。据悉,三星已将约60%的V-NAND产能分配给V9闪存,此举旨在满足英伟达下半年推出的CMX对NAND的需求。此外,三星已开始试生产500层级的V11闪存,试生产于今年年初启动,计划在下半年将相关产量翻番。

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