据媒体援引知情人士消息，字节跳动2025年海外营收增长近50%，远超约20%的国内营收增幅。然而，公司2025年净利润同比下滑超70%，主要是因为在去年三四季度大幅增加了对于AI业务的投入。继2025年三四季度的大幅投入之后，知情人士透露，字节跳动预期在2026年的技术资源投入会进一步加大。叠加美国市场新成立的数据安全合资公司的影响，预计公司净利润率短期还将继续承压。
三星NAND Flash产能投资计划将在目前正在建设中的平泽P5工厂进行，这将是自P3工厂以来，三星电子首次大规模扩建NAND Flash产线。由于市场低迷，三星此前一直专注于P4工厂的DRAM生产投资。
本次交易设置了明确的业绩承诺：嘉合劲威2026年至2028年累计实现净利润不低于2.34亿元(其中2026年不低于7000万元，2027年不低于7700万元，2028年不低于8700万元)。
继博通和联发科之后，谷歌正推行“多供应商”战略，通过引入Marvell作为其代工生态系统的一部分，以降低对特定供应商的依赖。业内人士透露，谷歌和Marvell预计最快2027年完成MPU的设计方案，随后进行试生产。
据韩媒报道，三星电子已停止接受部分低功耗移动DRAM产品的新订单，受影响的产品包括LPDDR4和LPDDR4X。该公司近期已完成最后一批订单的交付，在完成之前已收到的订单后，相关产品将正式停产。考虑到最终订单的时间安排，LPDDR4和LPDDR4X的生产预计将持续到今年年底。随着库存逐步耗尽，三星预计将转向LPDDR5，生产线可能会从明年第一季度开始改造。
该产品可从根本上缓解数千亿参数级AI大模型在训练与推理过程中所面临的存储瓶颈*问题，SK海力士期待其助力能够大幅提升整体系统的处理速度。
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近日，由中国一汽联合多家本土科技企业共同研发的国内首颗车规级先进制程多域融合芯片“红旗1号”正式研制成功。该芯片实现了智能驾驶、座舱娱乐、车身控制等五大功能域的硬件级融合，标志着我国在高端车载中央计算芯片领域迈出关键一步。
4月15日，特斯拉CEO埃隆·马斯克在社交平台上宣布，新一代AI5自动驾驶芯片已成功完成流片。马斯克对台积电和三星等合作伙伴表示感谢，并称AI5“未来将成为全球产量最高的AI芯片之一”。他还透露，AI6、Dojo3等多款芯片正在同步研发中。
消息称，三星电子HBM4E逻辑芯片采用了与HBM4相同的4nm制程工艺，DRAM仍然是1c DRAM，但采用了新的工艺细节来提升部分性能。
截至该季度末，佰维存储存货金额达120.69亿元，2025年第四季度末其存货为78.68亿元。
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台积电预计第二季度销售额390亿美元至402亿美元，高于市场预计的381亿美元，营业利润率预计为56.5%至58.5% ，同样高于市场普遍预期的55.2%。
据台媒报道，台积电CoPoS（面板级芯片封装）中试生产线已于今年2月启动设备交付，预计6月全面建成。该产线位于台积电子公司采钰厂区，计划2026年下半年启动小批量试产。
4月15日，全球半导体设备龙头阿斯麦（ASML）公布2026年第一季度财报。在人工智能（AI）基础设施持续投资的强劲驱动下，公司业绩全面超出市场预期，并同步上调全年业绩指引。数据显示，ASML第一季度净销售额达88亿欧元（约合707亿元人民币），净利润28亿欧元（约合225亿元人民币），毛利率为53.0%。受季节性因素影响，一季度营收较去年四季度有所回落，但与去年同期相比仍实现13.3%的增长。
由于HBM4采用多层DRAM垂直堆叠的结构，以超高速运行，因此对于精度的要求远高于通用DRAM。即使单个芯片的良率达到一定水平，在组装成最终的HBM4成品的过程中，良率也可能再次下降。虽然三星电子1c DRAM良率正在稳步提升，但很难保证其在HBM4良率方面已经达到成熟水平。
据韩媒zdnet报道，因英伟达在扩大下一代AI加速器"Vera Rubin"的批量生产方面遇到困难，预计SK海力士面向英伟达的HBM4出货量将较原计划减少约20%~30%，减少的HBM4产能将用于其上一代产品HBM3E以及服务器用DRAM。
CFM预计Q2服务器NAND和DRAM涨幅收敛至50%以内，下半年涨幅将逐季放缓
贸易投机扰乱现货市场，渠道SSD、行业及渠道内存条普遍阴跌
【CFM报告】2026Q1全球存储市场总结与Q2展望