据韩媒援引业内人士消息，苹果近日签署了一份NAND闪存长期协议（LTA）。虽然协议的具体细节，例如交易对手、数量和价格条款等尚未披露，但市场猜测苹果的主要NAND闪存供应商铠侠很可能是此次的合作方。一些观察人士猜测，该合同是一份为期3至5年的长期协议，且不设价格上限。然而，合同期限和详细定价条款尚未得到官方确认。
此次长鑫量产的LPDDR6单颗粒容量为16Gb，封装芯片容量达16GB，遵循JEDEC LPDDR6标准，采用1295 Ball FBGA全新封装，最高传输速率可达12800Mbps，与速率10667Mbps的LPDDR5X相比，带宽提升60%。该产品的功耗相比上一代的LPDDR5X降低了20%*，能够有效延长移动设备的续航。
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据韩媒ChosunBiz援引业内人士消息，SK海力士1c DRAM的比重从今年第一季度的10%左右增长到第二季度的13%左右，预计第三季度将增长到24%左右，第四季度将增长到34%左右。预计明年第一季度1c DRAM占比将达到35%左右，首次超过1b（33%左右），成为主流工艺。此外，不同于三星自HBM4阶段开始应用1c DRAM，SK海力士出于优先考虑量产稳定性将在HBM4中采用成熟的1b DRAM，并在HBM4E中首次应用1c DRAM。
据韩媒援引业内人士消息，美国专利商标局（TPO ）于当地时间2日裁定长江存储（YMTC）的一项专利（注册号12,010,838，以下简称838号专利）无效。至此，美光科技向TPO提起无效宣告的19项长江存储专利中，已有7项被宣告无效。报道称，长江存储可能会就此无效宣告裁决提起上诉。此外，尽管美光7项YMTC专利（包括838号专利）被宣告无效，但在其向专利审判和上诉委员会提起无效诉讼的19项YMTC专利中，有12项被裁定有效。
据媒体报道，铠侠近日举行了半导体存储器及其他技术的技术说明会。铠侠计划通过专为人工智能工作负载设计的CXL模组提高NAND闪存的处理速度，取代部分DRAM。据悉，CXL模组能将数据读取所需时间缩短至传统产品的1/10以下，凭借高速读取数据，其性能可更加接近DRAM。铠侠指出，若将部分DRAM换成CXL模组，容量能提高至2倍、性能提升3成。
为实现上述目标，美光正向多家HBM制造设备供应商增加采购订单，相关设备持续运入其中国台湾地区和新加坡工厂。目前，美光HBM封装业务主要在中国台湾铜锣厂和新加坡兀兰厂推进，日本广岛工厂的设备投资也在筹备之中。
长鑫存储强调，这是国产10667Mbps高速率LPDDR5X芯片首次量产应用。这款LPDDR5X内存单颗粒最高16Gb，较主流8533Mbps版本带宽提升约25%，同时功耗相比LPDDR5降低30%，兼顾高带宽输出与移动端续航表现。
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群联电子欧洲有限公司任命Ingvar Ersson为欧洲、中东和非洲区总经理兼总裁，Antony Zukowski为欧洲、中东和非洲区区域总监。Ersson 直接向 Phison 首席执行官 KS Pua 汇报工作。
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南亚科技公布2026年8月自结合并营收达446.9亿元（新台币，下同），环比增长1.88％，同比增长560.85％，续创单月营收历史新高；累计1-8月营收达2,201.94亿元，较去年同期大幅成长638.19％，营运动能持续升温。
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美国商务部长霍华德・卢特尼克近日接受采访时表示，特朗普政府正在制定半导体关税框架，相关关税即将落地。
据媒体报道，美光正探索开发高耐久性NAND闪存模块的方案，研究如何将NAND闪存更靠近GPU，以处理那些不需要传统HBM或常规DRAM模块那样高延迟和高带宽的工作负载。这种架构目前被称为“近GPU NAND”（Near-GPU NAND），旨在兼顾密度和耐久性。该方案允许GPU访问密度低于传统TLC或QLC NAND的NAND闪存池，但重点在于提升I/O速度、带宽和读取速度。该技术将使GPU能够直接访问数百GB的潜在存储池，LLM将不再受限于内存。
据媒体报道，英伟达已重新启动此前搁置的Rubin CPX项目，预计于明年一季度投产。相较于先前设计，新版CPX大幅强化预填充(prefill)效能，并对其规格和机架架构作出重大改动。DRAM规格由原来采用128GB GDDR7改为采用168GB HBM4，机架改用独立MGX ETL设计，客户可选64/128/192/256颗GPU配置，每64颗构成一个机架模组，由八个运算托盘（各含8颗CPX）与一个交换托盘组成。
Cherian直言，对于云服务商而言，若投入数十亿美元建设的AI处理器因等待内存带宽而闲置，等同于大量算力资本开支被浪费。因此，Google现阶段关注的核心不仅是内存价格，还有能否获得足够的内存，让昂贵的AI芯片持续保持高负荷运转。
三星将技术方向凝练为CUBE战略——Capacity（容量）、Utilization（优化）、Bandwidth（带宽）、Efficiency（功耗与散热效率），通过3D结构创新同步突破容量、带宽与能效瓶颈，产品线从通用DRAM、NAND扩展至HBM、企业级SSD及下一代zHBM、zNAND-O，形成覆盖AI内存全场景的产品矩阵。
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