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据韩媒引述业内人士消息,三星电子已完成D1c DRAM“生产准备批准(PRA)”,即量产审批流程。在完成设计等开发流程,并达到目标性能和一定良率后,将转入量产。

具体来看,半导体出口额同比增加11.6%,为149.7亿美元,刷新史上最高纪录。

SMI(慧荣科技)宣布,前哲库联合创始人朱尚祖将于7月14日正式加入SMI,担任平台与战略高级副总裁的职位,直接向SMI CEO汇报工作。

尽管目前存在这些障碍,但业界强调为这些技术建立生态系统基础的重要性,并预测 AI内存需求结构将逐渐多样化。

据外媒报道,美光位于印度古吉拉特邦Sanand兴建中的芯片厂第一期工程,已进入无尘室验证阶段,有望在今年下半年投运。

AMD宣布,将从明年发布的AI半导体“MI400”系列开始支持异构AI半导体之间的互连标准“Ultra Accelerate Link(UALink)”。

据Counterpoint近期发布的2025年Q1全球智能手机应用处理器市场份额排名显示,紫光展锐位列第四,凭借LTE产品组合,在低价市场(99美元以下)的份额持续提升。

美光极有可能在今年下半年向三星电子提供更多采用新1γ(对应1c)工艺生产的LPDDR5X样品。

2600 SSD顺序读写速度最高可达7200MB/秒、6500MB/秒,随机读写速度最高可达1000KIOPS、1100KIOPS。

据业界消息,AI新创企业壁仞科技已完成新一轮约15亿元融资,并计划最快今年8 月向港交所申请首次公开发行(IPO),筹备赴港上市。此次融资前,壁仞估值约为140亿元。

作为龙芯3C6000系列的旗舰型号,3E6000拥有64个核心、128个线程、32MB 缓存、四个72位内存通道(支持四通道 DDR4-3200),最高频率为2.2GHz。

目前三星电子内部仍在讨论是将 PH2 用作 DRAM 生产基地,还是将其改造成混合晶圆厂。DRAM生产线PH4目前暂无进展,其建设工作已处于收尾阶段。

三星电子计划将新设计应用于其1c DRAM。预计以此方式生产的 DRAM 将用于计划于下半年生产的HBM4。

SK海力士表示,新工厂的具体开工日期、投资额和用途尚未确定,计划在进行测试的同时再决定具体细节。

目前三星、SK海力士被列入了“强制出口管制”(VEU)名单,允许进口除EUV曝光设备以外的所有设备,无需单独许可。如果特朗普政府取消这项豁免,那么每次向中国工厂引入新设备或替换设备时,都需要单独办理许可手续。

股市快讯 更新于: 07-01 19:10,数据存在延时

存储原厂
三星电子60200KRW+0.67%
SK海力士285500KRW-2.23%
铠侠2363JPY-5.59%
美光科技123.250USD-1.21%
西部数据63.990USD+1.11%
闪迪45.350USD-3.82%
南亚科技49.50TWD-3.32%
华邦电子19.85TWD-1.49%
主控厂商
群联电子490.5TWD-0.10%
慧荣科技75.170USD-0.79%
联芸科技41.15CNY-0.65%
点序54.0TWD+0.75%
品牌/模组
江波龙85.09CNY-2.74%
希捷科技144.330USD+2.04%
宜鼎国际240.0TWD+1.27%
创见资讯102.5TWD+1.99%
威刚科技93.8TWD+0.21%
世迈科技19.810USD-3.74%
朗科科技24.36CNY-1.54%
佰维存储67.80CNY+0.59%
德明利118.69CNY+0.30%
大为股份20.00CNY+3.57%
封测厂商
华泰电子38.80TWD+1.04%
力成131.5TWD0.00%
长电科技33.97CNY+0.83%
日月光145.5TWD-1.36%
通富微电25.90CNY+1.09%
华天科技10.78CNY+6.73%