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正如CFM闪存市场分析,基于服务器应用包括NAND、DRAM在内的产能分配优先,手机嵌入式存储供应较为有限,预计四季度mobile NAND、LPDDR4X/5X等产品全面延续涨价行情。

据CFM闪存市场最新报价,1Tb QLC 涨 8.33% 至 $6.50,1Tb TLC 涨 7.46% 至 $7.20,512Gb TLC 涨 14.29% 至 $4.80。

郭鲁正表示,他认为明年的存储器行业不会糟糕,SK海力士将像今年一样,努力保持对明年的希望。

JESD328 预计将支持完整的 LPDDR5X 数据速率,即在平台信号完整性允许的情况下达到每引脚 9.6 Gb/s,数据传输速度高达9,600 MT/s,高于SOCAMM 1的8,533 MT/s。LPDDR5/5X 内存设备的使用降低了系统能耗和冷却要求,这是高效处理大数据的关键特性。

朱宪国指出,AI带动HBM等高阶存储产品需求强劲,使晶圆厂将产能转向HBM等高阶产品,排挤利基型DRAM产能,带动价格走扬;SLC NAND在韩厂减产下,第三季也有涨价;NOR Flash受惠AIoT应用需求增加,带动需求,价格同步上扬。

目前,江波龙这项创新产品已完成开发、测试,并申请了国内外相关技术专利,处于量产爬坡阶段。

基于这一良率提升,三星电子正在加速1c DRAM的量产。三星电子平泽四号工厂(P4)目前正在安装半导体设备,将专注于生产1c DRAM。该生产线已进入建设的最后阶段。

据CFM闪存市场最新报价,1Tb QLC 涨 9.09% 至 $6.00,1Tb TLC 涨 8.06% 至 $6.70,512Gb TLC 涨 10.53% 至 $4.20,256Gb TLC 涨 6.25% 至 $3.40。

HBM4E拥有2048个引脚用于数据传输,换算成字节即可达到3.25TB/s。此外,三星电子表示,HBM4E的能效将是目前HBM3E的两倍以上。

多因素驱动下,四季度原厂将对Mobile NAND及LPDDR5X等产品进行调涨价格。而存储芯片这一关键硬件涨价带来的成本压力,在近期发布的部分旗舰手机定价上已有所体现。

据韩媒报道,FnGuide预估,SK海力士第三季度营收预期(分析师平均预测)为24.48万亿韩元,营业利润预计为11.15万亿韩元,分别比去年同期增长了39.3%和58.6%,将创下其有史以来最高的季度业绩。

自9月中旬起,Flash Wafer普遍全面迎来上涨行情,节后涨价气氛依然浓烈。

根据协议,三星和SK海力士为OpenAI提供人工智能加速器中使用的大部分HBM,其需求量相当于每月90万片晶圆。

分析称,SK海力士采取的战略是将经过稳定性验证的1b DRAM集中用于HBM4等核心产品线,同时在通用产品线中应用1c DRAM以扩大应用案例。继去年8月在业界首次推出采用1c工艺的16Gb DDR5后,近期又开发出基于1c工艺的GDDR7,持续扩大先进工艺产品组合。

适逢国庆、中秋假期,按国家规定放假8天,即10月1-8日放假,放假期间暂停所有产品报价,10月9日(星期四)恢复所有产品报价。9月28日、10月11日闪存卡、USB 2.0、USB 3.0人民币正常报价。

股市快讯 更新于: 10-25 08:20,数据存在延时

存储原厂
三星电子98800KRW+2.38%
SK海力士510000KRW+6.58%
铠侠8780JPY+19.13%
美光科技219.020USD+5.96%
西部数据129.430USD+2.95%
闪迪186.160USD+11.44%
南亚科技109.5TWD-0.45%
华邦电子46.30TWD+1.87%
主控厂商
群联电子880TWD+1.27%
慧荣科技99.130USD+4.31%
联芸科技61.14CNY+13.22%
点序79.5TWD+2.19%
品牌/模组
江波龙222.00CNY+16.73%
希捷科技234.120USD+3.41%
宜鼎国际426.5TWD+1.31%
创见资讯131.0TWD+0.38%
威刚科技186.5TWD+3.04%
世迈科技22.400USD+3.08%
朗科科技33.18CNY+8.93%
佰维存储119.10CNY+10.70%
德明利216.92CNY+10.00%
大为股份23.25CNY+9.98%
封测厂商
华泰电子47.05TWD-1.77%
力成150.0TWD-0.99%
长电科技40.95CNY+2.81%
日月光196.0TWD+1.55%
通富微电41.88CNY+5.46%
华天科技11.93CNY+1.36%