消息称,这支新组织近期已围绕多项核心议题展开研讨,重点包含如何掌握 HBM4(第六代高带宽内存)等高附加值存储产品的后端制程核心技术,同时也探讨了人员调配、供应链体系强化等配套规划。
Viasat方面主张,该公司是在为卫星设计纠错系统的过程中,开发出了这项利用电荷在晶体管上存储数据的闪存改良技术。Viasat指控铠侠的闪存产品中,包含了与其专利技术工作原理相同的纠错技术。对此,铠侠予以否认,并辩称涉案专利应属无效。
慧荣科技企业级存储及显示界面解决方案事业处SVP周晏逸近日在采访中表示,公司最近才开始批量出货企业级产品。目前仍处于产能爬坡的初期阶段,但与几家重要客户的合作进展顺利,预计下半年企业级产品的出货量将大幅增长。产品路线规划方面,PCIe Gen6 主控设计已基本完成,顺利的话预计2026年下半年将完成首批流片回片;PCIe Gen7已经在积极研发中,计划于2027年下半年提供内部样品,并在同一时间段逐步推动量产。
本次调查的列名被告涵盖多家海内外知名科技企业,其中包含三星电子位于韩国水原的总部,以及三星电子美国分公司、三星半导体美国分公司;同时谷歌、超微电脑、英伟达、博通等多家美国本土科技企业均在被告名单之列。
据韩媒报道,三星即将最终确定平泽P5一期(首条生产线)的半导体设备供应商,并已同时启动P5二期(第二条生产线)的设备供应商遴选工作。价值数十万亿韩元的设备订单即将下达。据悉,P5生产线最初的全面投产目标时间是2028年,但一期预计最早明年即可投入运营。
据多家韩媒报道,三星电子计划在其位于韩国京畿道器兴的园区内新建一座DRAM晶圆工厂。该项目规划月产能约为10万片晶圆,总投资规模预计将达到数十万亿韩元,施工最早可能于2026年第三季度启动。
根据反垄断公示文件披露,本次交易前长江存储手握武汉新芯 68.19% 股份,实现全资管控。交易完成后,光谷半导体产投连同其一致行动人合计掌握武汉新芯 47.88% 表决权,成为企业新实际控制方;长江存储持股大幅稀释,不再享有经营管控权,仅作为财务投资者持有股份。
当前全球AI算力需求持续激增,叠加存储芯片产能扩张周期较长,行业长期供给受限,头部存储供应商议价能力显著提升,DRAM、NAND、HBM等核心存储产品的长期供货协议已成为科技巨头的主流采购模式。
据韩媒The Bell报道,SK海力士已于上月底开始向英伟达出货12层HBM4的量产产品,并进入了“ ramp-up”(扩大量产规模)阶段。这是HBM4首次以完成所有质量认证的最终规格,供应给英伟达下一代AI平台“Vera Rubin”。此前供应的货量均被归类为样品。据悉,SK海力士在量产出货的时间节点上,也已完成了与英伟达就明年HBM4价格的谈判。SK海力士预计从下半年起逐步增加HBM4的货量,预计在第四季度,HBM4在其整体HBM销售占比中将超越HBM3E。
据媒体报道,南亚科技在法说会指出,Rubin Ultra和TPA等新一代AI加速计算平台推升HBM bit需求并持续排挤传统DRAM产能,预期至2028年全球DRAM仍将供不应求。南亚科技预估2026-2028年公司产能扩张约69%。5A新厂将导入1C/1D奈米先进制程,并新增产能约4.5万片。预计2027、2028年bit出货量将分别年增8%、53%。此外,由于Q2平均每Gb价格尚未完全反映合约价上涨,且大型长约客户换约存在时间差,预计三季度ASP仍有上修空间。
兆易创新Q1营收41.88亿,净利润14.61亿,由此可推算出其Q2营收预计为73.12亿,环比增长74.6%,净利润预计54.39亿,环比增长272%。
英特尔公布了一项名为XBM的新专利技术,该方案旨在替代HBM4,并提供更高的带宽能力。XBM全称扩展带宽内存,属于DRAM内存方案,其封装尺寸将与HBM4保持一致,每颗芯片的容量可在0.5GB-5GB之间,搭载32GT/s速率的UCIe通用芯粒互联接口。最核心的突破在于制造工艺的迁移:传统DRAM的存储单元制作于前段制程(FEOL),也就是原生用于制作晶体管的底层硅基底;而XBM将1T1C存储单元转移至后段制程(BEOL),布置在晶体管上层的金属通孔堆叠区域,并采用薄膜晶体管工艺。
在推进下一代高带宽内存(HBM)技术的过程中,三星电子与SK海力士正面临一项关键抉择——是否全面导入“混合键合(Hybrid Bonding)”技术。尽管该技术优势显著,但由于当前HBM对“减薄”和“散热”的迫切需求有所降低,两大巨头的推进步伐变得愈发谨慎。不过,业界普遍预计,随着未来HBM输入/输出(I/O)端子数量的爆发式增长,混合键合技术的引入仍将被提上日程,短期(HBM4/HBM4E 前期 12 层版本)仍依靠 TC 键合 + 独立散热方案过渡。
本次冲击上市,英韧科技拟募集资金约32.33亿元,资金投向明确聚焦企业级与AI存储赛道。具体来看,约12.7亿元将用于新一代数据中心企业级存储系统方案研发及产业化项目,重点开展PCIe 6.0存储主控芯片及模组研发,并同步布局PCIe 7.0前沿技术;约9.91亿元投向面向AI领域存储系统方案研发项目,攻关适配 AI 算力中心的多介质混合异构存储架构;另有约9.7亿元用于补充流动资金。
据韩媒报道,业界消息称,受英特尔、AMD等厂商支持CXL 3.1标准的CPU发布推迟影响,三星电子已决定推迟其基于CXL 3.1标准的内存模块(CMM-D 3.0)的量产计划。短期内,三星将继续维持基于CXL 2.0标准的CMM-D 2.0产品的生产。