SK海力士将从明年2月开始在M15X工厂启动用于HBM4的1b DRAM量产晶圆的投入。原计划量产晶圆投入时间为6月。初期将投入约1万张晶圆起步，年底将生产规模扩大至数万张。

如果SK海力士明年1月初能够提交更多优化后的样品，且质量测试能够迅速完成，预计将于2-3月开始全面量产，产能提升在第二季度将得以启动。

目前，三星电子正在开发LPDDR5X-PIM，结合LPDDR5X和PIM技术，带宽高达614 GB/s，是现有LPDDR5X的八倍，并支持FP16/FP8和INT/4/8/16等多种运算。

三星将其新技术命名为“用于10nm以下CoP垂直通道DRAM晶体管的高耐热非晶氧化物半导体晶体管”。采用了一种基于非晶铟镓氧化物（InGaO）的晶体管，这种晶体管可以承受高达 550 摄氏度的高温，从而防止性能下降。 这种垂直沟道晶体管的沟道长度为 100nm，可以与单片 CoP DRAM 架构集成。

今年，博通已将三星电子视为战略合作伙伴，以取代SK海力士。三星电子在性能和价格谈判方面展现出了灵活性，具体而言，据报道，三星电子将其供应价格较SK海力士目前供应的HBM3E产品降低了约20%。

据知情人士透露，SK海力士现在决定至少在明年上半年之前，保持HBM3E在所有HBM产品中最高的产量占比。SK海力士在与英伟达讨论明年HBM的产量时，大幅增加了HBM3E的产量，远超预期。

十铨未来将将集中投入Gaming、AI与Creator、云端与Edge computing，以及工控与IoT/AIoT应用等四大领域，且将不会再把资源分散在标准品市场，而是朝高附加价值市场深耕。

据业内人士透露，三星内部正在讨论将30-40%的1a DRAM产能转换为10nm级第五代 (1b) DRAM。如果将成熟工艺线（例如1z）的转换投资也算进去，三星将确保每月额外获得8万片（基于晶圆）的 1b DRAM 产能。

原厂产能被高毛利的HBM、DDR5持续吸纳，传统DDR4以下的产能遭明显排挤，价格一路走高，并外溢至利基型DRAM，晶豪科技产品结构以DDR2、DDR3为大宗。

此外，三星还在研发速度更快的HBM4变体，目标是将性能提升40%，最早可能将于2026年2月中旬发布。

据业内人士透露，三星电子已将P5的投产日期定在2028年，但鉴于目前的筹备速度，投产日期可能会提前。由于人工智能（AI）的普及，半导体需求迅速增长，三星电子正在寻求快速确保产能。

十铨科技目前库存仍稳定在约2-3个月的高水位，以保留支持重点客户与市场的弹性。

在C-HBM4E阶段，为实现将内存控制器集成于基础裸片，从而节省计算芯片面积等目标，台积电将推出基于N3P先进制程的基础裸片解决方案。据称，该方案可将能效提升至HBM3E基础裸片的约两倍。

兆易创新GD25NX系列提供64Mb和128Mb两种容量选择，支持TFBGA24 8x6mm (5x5 ball array)以及WLCSP (4x6 ball array)封装形式。

铁电材料无需通电即可实现正负电荷的极化，因此无需持续供电即可维持数据。作为一种速度更快、能效更高的半导体材料，铁电材料正备受关注。三星电子SAIT首次在全球范围内发现了一种关键机制，通过融合氧化物半导体和铁电结构，可将功耗降低96%。