适逢中国农历春节,按国家规定放假9天:2026年2月15日 - 2026年2月23日,放假期间所有产品均暂停报价,2026年2月24日恢复报价。
据韩媒报道,SK海力士正在开发名为“AIP(All-In-Plug)”的创新技术,以缓解因堆叠层数增加而带来的成本增长。据悉,为实现高堆叠NAND而增加的HARC蚀刻工艺数量是导致制造成本上升的最大因素。传统制造方法需要分别对多个NAND层进行蚀刻,通过键合工艺连接起来,而AIP可在单次工艺中对超过300层的高密度NAND闪存进行HARC蚀刻,旨在通过一次性蚀刻全部NAND层来显著降低制造成本。如果这项技术应用于实际量产,预计从下一代NAND闪存(例如V11)开始,HARC工艺的数量和成本将显著降低。
三星目前正在开发 zHBM,其核心是将 HBM 堆叠成 3D 结构,有望在物理人工智能时代所需的带宽或能源效率方面带来另一项重大创新。
2月12日,三星电子宣布,其HBM4已抢先开始量产,并向客户交付商用产品。三星的HBM4可提供高达每秒11.7 Gbps的稳定处理速度,比业界标准的8Gbps提升约46%,树立了HBM4性能的新标杆。三星预计其HBM产品销量在2026年将比2025年增长三倍以上,并正积极扩大HBM4的产能。在HBM4成功推向市场后,HBM4E的样品预计将于2026年下半年开始发放,而定制的HBM样品将根据客户的具体规格于2027年开始交付。
当地时间2月11日,美光CFO在Wolfe Research组织的半导体会议上表示,公司已实现HBM4量产,并开始向客户交付。针对近期有关美光HBM4无缘英伟达供应的猜测,美光科技否认三星电子和SK海力士将瓜分HBM4供应量的预期。Mark Murphy进一步表示,美光今年一季度HBM4的出货量正在稳步增长,比去年12月财报发布时提到的时间提前了一个季度。2026年的HBM产量已全部售罄,HBM4的生产良率正按计划进行,其速度超过每秒11Gb。
三星电子HBM4 采用1c DRAM 和 4nm 制程工艺,其数据处理速度超过了JEDEC 标准的8Gbps,最高可达11.7Gbps,比上一代 HBM3E(9.6Gbps)提升22%。单层堆叠的内存带宽也高达3TB/s,比上一代产品提高了2.4 倍,12 层堆叠技术可提供最大 36GB 的容量。未来扩展到 16 层堆叠技术预计可将容量提升至 48GB。其另一大优势在于其低功耗设计,能够在支持高性能计算的同时,显著降低服务器和数据中心的功耗和冷却成本。
十铨科技2025年全年营收突破200亿元,营运规模不断扩大。为积极掌握产业发展契机,十铨已启动扩产计划,并同步规划少量多样的工控及工业电脑相关应用产能配置,逐步扩大产品线矩阵,推进中长期营运布局,提升整体营运动能与韧性。
据韩媒引述业内人士消息称,三星计划下周(农历新年假期后)开始出货HBM4芯片,用于英伟达生产的图形处理器(GPU)。英伟达的GPU广泛应用于生成式人工智能(AI)系统。据悉,三星已通过英伟达的质量认证流程并获得采购订单,生产计划已最终确定,以配合英伟达Vera Rubin的发布计划。
据韩媒报道,三星电子正在进行最终品质检验以确保2月底前实现HBM4量产出货,但英伟达请求无论测试结果如何先行供货。因AMD、谷歌等竞争对手加速追赶,英伟达开始加速确保HBM4供货。当前,三星电子与SK海力士都在进行HBM4的最终品质测试。分析称,因产品品质已得到一定程度的验证,英伟达遂请求跳过详细测试加急供货。
ZAM采用堆叠式DRAM架构,其性能将超越HBM标准,致力于在需要大规模AI模型训练、推论的数据中心等领域,实现大容量且高频宽的数据处理,并提升处理性能、降低功耗。
3月27日,CFMS|MemoryS 2026与您再度相约深圳前海JW万豪酒店,以“穿越周期,释放价值”为主题,汇聚存储原厂、终端应用及生态伙伴,共同探讨如何充分释放存储技术的应用潜能与商业价值,破解增长困局,构建AI时代的高效产业新生态。
AMD和高通所考虑的SOCAMM模组在物理设计上与英伟达采用的版本有所不同。AMD与高通的方案在模组PCB上并排布置两列LPDDR芯片,并可集成电源管理芯片(PMIC);而英伟达的版本则采用单列DRAM芯片布局,且未集成PMIC。
此外,SK海力士还在继续向英伟达提供改进型样品进行质量测试,英伟达在继续使用现有样品的同时,也在测试更多改进后的样品,并考虑到Rubin显卡的试生产计划。
报告期内,东芯股份营业收入同比增长约43.75%,毛利率大幅提升,存储板块已实现盈利。
据韩媒报道,三星第七代高带宽内存 (HBM) HBM4E 的开发流程已经进入基础芯片的后端设计阶段,这意味着该芯片的研发过程已经过半。