对于成本走势,陈俊圣预计,存储与SSD成本明年将低于今年。不过,终端产品价格反映零部件成本存在时间差,2026年第四季度至2027年第一季度,PC终端价格仍可能继续上调,涨幅约5%—20%;价格高点可能出现在2027年年中前后,之后有望止涨趋稳,下半年是否回落仍需观察供需变化。
据韩媒zdnet报道,SK海力士旗下子公司Solidigm正在考虑在美国建设首个NAND闪存生产基地。目前正处于协调工厂选址、投资时点等详细计划的阶段。
据韩媒引述业界消息,三星电子决定将PC、服务器和笔记本电脑所需的DDR5内存模块及SSD等增产部分,全部交由OSAT合作伙伴承接,不再扩充自有产能,以便将有限的内部资源集中投入到HBM等高附加值内存产品的生产中。
据媒体报道,英特尔首席执行官陈立武预计,由于AI需求不断增长,明年内存供应短缺的情况将更加严重。他表示,部分内存的价格已经上涨了五倍、六倍,甚至七倍,许多企业因无法获得足够的内存而放缓扩大业务的步伐。人工智能领域对HBM的需求激增,给通用DRAM的供应带来了越来越大的压力。此外,陈立武还强调了先进封装技术的重要性,认为将CPU、AI加速器、HBM和I/O芯片集成到单个封装中,对于缩短数据传输距离、提高处理速度和能效至关重要。英特尔正凭借其专有的先进封装技术“EMIB”进军AI半导体市场。
据韩媒报道,三星计划打破以往完全依赖内部晶圆代工部门生产的模式,转而采取同时利用台积电工艺制造Base Die的“双轨制”战略。
据媒体报道,十铨总经理陈庆文表示,存储市场目前供给持续吃紧,第四季价格仍会上涨,但涨幅将较过去八、九个月趋缓,预计由单月大涨15%至20%,转为一季上涨约20%至30%。需求方面,陈庆文认为,DRAM需求目前比NAND Flash更加稳固,DRAM缺口非常明显且庞大;NAND Flash虽然也有缺口,但相对没有那么严重。供给方面,存储原厂产能都已被大量长约包揽,新厂扩产速度也跟不上需求。预计真正严重的缺货可能落在2027年上半年,届时外部能取得的货量非常少。
如果所有设施投资计划都能顺利执行,预计长鑫从今年到2028年将能够稳定地确保每年至少7万至8万片的新产能。从长远来看,预计产能将扩大到每月60万片以上。
联发科公告,2026年8月合并营收达新台币641.83亿元(约合人民币136.13亿元),环比增长32.41%,同比增长44.08%,创下单月历史新高;今年1-8月合并营收达新台币4,139.91亿元(约合人民币878.07亿元),同比增长5.76%。
群联电子8月合并营收新台币282.76亿元(约合人民币60.17亿元),环比增长4%、同比增长377%,再创历史单月新高;1-8月累计营收达新台币1,642.93亿元(约合人民币349.62亿元),同比增长279%,同步刷新历年同期纪录。具体来看,群联电子8月控制芯片总出货量较7月增长10%,其中PCIe SSD控制芯片出货量环比增长77%,这表明AI服务器、企业级存储及高速PCIe SSD需求在持续扩张。
从需求端来看,全球最大科技供应商对NAND芯片的需求依然强劲,部分企业甚至在寻求签订延续至2030年的长期合同。铠侠即将实现长期协议覆盖出货量50%的目标。
十铨表示,受惠于存储需求持续升温,带动价格上涨,推升今年营收表现。
据韩媒援引业内人士消息,苹果近日签署了一份NAND闪存长期协议(LTA)。虽然协议的具体细节,例如交易对手、数量和价格条款等尚未披露,但市场猜测苹果的主要NAND闪存供应商铠侠很可能是此次的合作方。一些观察人士猜测,该合同是一份为期3至5年的长期协议,且不设价格上限。然而,合同期限和详细定价条款尚未得到官方确认。
据韩媒ChosunBiz援引业内人士消息,SK海力士1c DRAM的比重从今年第一季度的10%左右增长到第二季度的13%左右,预计第三季度将增长到24%左右,第四季度将增长到34%左右。预计明年第一季度1c DRAM占比将达到35%左右,首次超过1b(33%左右),成为主流工艺。此外,不同于三星自HBM4阶段开始应用1c DRAM,SK海力士出于优先考虑量产稳定性将在HBM4中采用成熟的1b DRAM,并在HBM4E中首次应用1c DRAM。
据媒体报道,铠侠近日举行了半导体存储器及其他技术的技术说明会。铠侠计划通过专为人工智能工作负载设计的CXL模组提高NAND闪存的处理速度,取代部分DRAM。据悉,CXL模组能将数据读取所需时间缩短至传统产品的1/10以下,凭借高速读取数据,其性能可更加接近DRAM。铠侠指出,若将部分DRAM换成CXL模组,容量能提高至2倍、性能提升3成。
为实现上述目标,美光正向多家HBM制造设备供应商增加采购订单,相关设备持续运入其中国台湾地区和新加坡工厂。目前,美光HBM封装业务主要在中国台湾铜锣厂和新加坡兀兰厂推进,日本广岛工厂的设备投资也在筹备之中。