HBM4E是HBM4(第六代)的继任者,HBM4目前正在量产。预计它将被用于NVIDIA的下一代AI加速器“Rubin Ultra”中,该产品将于明年发布。
据韩媒援引SK海力士和消防部门12日消息,当天上午9点55分(当地时间)左右,位于忠清北道清州市兴德区SK海力士清州园区4号楼M15X二楼发生火灾。火灾发生后,M15和M15X的员工立即疏散到室外。据报道,该公司消防队在初期就扑灭了火灾。清州市发布了灾害警报,建议附近居民避开该区域,车辆绕行,因为担心可能发生氟化物泄漏。消防部门表示,调查发现并未发生燃气泄漏。SK海力士方面表示,已完成初步控制,正调查具体情况,生产设备运行正常。本月1日,SK海力士清州4号园区也曾发生火灾。
十铨总经理陈庆文表示,综观存储供需失衡态势,乐观情况下预估将延续至2030年,保守估计至少将持续至2027年底。展望十铨未来几个季度,在整体大环境存储供不应求的基调下,合约价预期将维持涨价或高档盘整趋势。
目前,SK海力士已完成375层NAND闪存的生产验证工作,正着手准备将生产线转移至量产阶段。此次并未新建工厂,而是对清州M15工厂现有的产线(目前主要生产176层、238层和321层产品)进行改造升级,目前正在投入资金将其改造为375层产品生产线。
澜起科技宣布成功向客户送样DDR5第六子代寄存时钟驱动器芯片(RCD06)。该产品面向下一代服务器平台,可满足AI服务器、高性能计算(HPC)及云计算场景不断增长的内存带宽需求,支持高达 9200 MT/s 的传输速率,较上一代提升 15%。
SK海力士HBM最大客户的英伟达CEO黄仁勋近日访韩时明确表示:“三大存储厂商均已通过HBM4的质量测试,并正在推进量产。”他还表示,SK海力士过去是其最大的内存合作伙伴,未来也将继续保持这一地位,不会改变。
英伟达首席执行官黄仁勋证实,三星电子、SK海力士和美光科技均已顺利通过第六代高带宽内存(HBM4)的性能评估与资质认证。这一消息标志着围绕HBM4市场的激烈供应竞争已正式拉开帷幕。
该计划的核心目标是:将目前每月约55万张(包含中国无锡工厂约20万张产量)的DRAM月产能,提升至2030年的100万张左右。此次扩产将高度集中于龙仁半导体集群。
据外媒报道,SemiAnalysis最新报告称,英伟达正在对其下一代Vera Rubin NVL72机架系统的内存配置进行调整,Vera CPU原本192GB SOCAMM方案,或将“砍半”至96GB。
此次九大协会的联名信更是明确敦促特朗普政府出手干预,建议借助《芯片法案》的资金支持或贸易协定机制,协同芯片制造商在美国本土及盟国扩大产能,以确保各细分市场的供应安全。
潘健成指出,AI的发展一定需要DRAM和NAND Flash,且AI模型规模越大,对存储容量需求也越高。企业投入大量资金购置GPU后,创造收入就会产生数据,即推动存储需求。虽然各大原厂都持续扩充产能,但新增的产能仍远追不上需求成长。预计供需吃紧的状态短期内难以缓解,明年存储缺货情况将比今年更严重。
崔泰源重申,由AI普及引发的存储供应瓶颈预计将持续至2030年。他指出,不仅全球资本正疯狂涌入AI数据中心建设,英伟达即将推出的AI PC架构同样对大容量存储有着刚性需求,这将为存储市场带来长期的增长动力。
三星电子首席技术官宋载赫表示,HBM4和HBM5之间最大的区别在于核心芯片的工艺。HBM4应用了最先进的1c DRAM,并通过重新设计和完善工艺不断提升性能、良率和质量。而对于HBM5,三星计划引入先进的2nm工艺来优化基础芯片。
据韩媒thebell报道,SK海力士已正式推进在大连二厂(Fab 68)量产采用浮动栅极(FG)结构的200层级中后段NAND Flash,计划从明年下半年开始全面投产,全力抢夺AI数据中心eSSD市场。
如果能够同时实现低成本芯片设计、自主制造、风冷部署和非HBM内存方案,那么英特尔有望在当前AI基础设施成本持续攀升的背景下,切入一个不同于英伟达和AMD的新市场——即大规模AI推理与企业级AI部署市场。从某种意义上说,Crescent Island并不是英特尔挑战英伟达训练GPU的产品,而更像是在AI推理时代,试图重新定义“性价比AI算力”的一次尝试。