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展望下半年,十铨指出,DDR4价格仍具上行空间,将持续优化产品组合与库存策略,掌握市况机会,推动营运持续成长。

该批HBM将搭载于全球科技企业的下一代AI芯片。目前博通凭借自有半导体设计能力,正为谷歌代工第七代TPU"Ironwood"及Meta自研AI芯片"MTIA v3"。

三星电子在国际固态电路会议(ISSCC)公布的规格显示:以TLC标准计算的存储密度达28Gb/mm²,较前代提升56%;输入输出接口速度5.6GT/s,提升75%。性能的大幅跃升使其有望与明年商用的PCIe Gen6 主控协同发力数据中心市场。

据韩媒引述业内人士消息,三星电子已完成D1c DRAM“生产准备批准(PRA)”,即量产审批流程。在完成设计等开发流程,并达到目标性能和一定良率后,将转入量产。

尽管目前存在这些障碍,但业界强调为这些技术建立生态系统基础的重要性,并预测 AI内存需求结构将逐渐多样化。

美光极有可能在今年下半年向三星电子提供更多采用新1γ(对应1c)工艺生产的LPDDR5X样品。

目前三星电子内部仍在讨论是将 PH2 用作 DRAM 生产基地,还是将其改造成混合晶圆厂。DRAM生产线PH4目前暂无进展,其建设工作已处于收尾阶段。

三星电子计划将新设计应用于其1c DRAM。预计以此方式生产的 DRAM 将用于计划于下半年生产的HBM4。

目前三星、SK海力士被列入了“强制出口管制”(VEU)名单,允许进口除EUV曝光设备以外的所有设备,无需单独许可。如果特朗普政府取消这项豁免,那么每次向中国工厂引入新设备或替换设备时,都需要单独办理许可手续。

据业界消息,前联发科共同营运长朱尚祖将加入慧荣科技,7月正式就任。

继AMD日前于发布会上宣布其新款AI加速器MI350X和MI355X已搭载三星电子的12层HBM3E后,据韩媒报道,三星电子已完成博通HBM3E 8层认证测试,并正在为量产做准备。

据韩媒thebell报道,SK海力士计划推迟对10nm级第六代DRAM(1c DRAM)的投资,目的是专注于需求可见度高、盈利能力强的高带宽存储器(HBM)的生产。

从HBM5开始,冷却技术将成为关键,通过3D异构集成和先进封装技术,将部分基础芯片(Base Die)移至HBM顶部。

据悉三星电子将从第五代HBM"HBM3E"开始应用飞秒激光。但由于设备刚启动导入,实际目标产品更可能是第六代"HBM4"。

对于未来业绩展望,郭鲁正表示:“今年和明年的业绩很难预测,但目前为止,一切进展都与计划相符,让我们共同努力,实现计划。”

股市快讯 更新于: 07-15 04:22,数据存在延时

存储原厂
三星电子62500KRW-0.16%
SK海力士300000KRW+1.87%
铠侠2437JPY-2.05%
美光科技118.610USD-4.75%
西部数据66.930USD+1.19%
闪迪42.480USD-7.83%
南亚科技43.40TWD+1.05%
华邦电子18.25TWD-1.08%
主控厂商
群联电子493.5TWD+0.30%
慧荣科技72.410USD-1.44%
联芸科技40.36CNY-0.69%
点序52.0TWD+0.19%
品牌/模组
江波龙81.36CNY-0.28%
希捷科技149.080USD+1.29%
宜鼎国际227.5TWD-4.81%
创见资讯96.3TWD-0.52%
威刚科技90.0TWD+0.45%
世迈科技24.700USD+2.49%
朗科科技23.66CNY-0.29%
佰维存储66.36CNY-0.61%
德明利83.30CNY+2.71%
大为股份17.19CNY-1.38%
封测厂商
华泰电子37.20TWD-0.93%
力成136.5TWD+0.37%
长电科技33.40CNY-0.33%
日月光148.5TWD-1.00%
通富微电25.76CNY+1.10%
华天科技9.88CNY-0.50%