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三星电子在其最新业绩电话会议上表示,对于HBM3E产品,由于供给增加量超过需求增长率,预计供需将发生变化,预计这将暂时对市场价格产生影响。

MLC产品线因营收占比低,未揭露具体数据,但旺宏看好后续eMMC放量出货,将推升整体NAND营收状况。

据悉,PH4在场地开建和竣工收尾工程上各投入约1.8万亿韩元。这意味着在不包含设备及相关设施的情况下,仅外部结构施工就总计需要投入3.6万亿韩元(约合26亿美元)。

宇瞻看好,随着AI 产业持续火热,有助带动存储需求,包括服务器DDR5与企业SSD 的升级,也有助DRAM 与NAND市况。

据业界消息,三星电子、SK海力士、美光均已完成DDR6规格的初期原型开发,正与英特尔、AMD、英伟达等CPU/GPU厂商共同推进平台验证。当前目标性能为8800MT/s,后续计划提升至17600MT/s,达到现行DDR5最高速度(约8000MT/s)的两倍以上。

三星原本计划在今年下半年实现量产,但内部采取了谨慎态度,将量产准备批准(PRA)期限设定在第四季度。根据在研发工厂进行的小规模样品测试,1c DRAM的良率已达到65%。

此次扩产将最大限度保留该厂的NAND闪存产能,将通过产线重组、压缩设备间距等方式优化空间利用率。此次扩建预计与清州M15X工厂的年底竣工计划同步推进。据悉,SK海力士已向部分半导体设备企业下达后工序设备采购订单。

SK海力士计划在今年第三季度前完成面向H20的HBM3E 8层产品量产。考虑到可能出现的额外需求,该司正在评估扩大相关HBM生产规模所需的材料及零部件采购方案。

值得注意的是,自2009年奇梦达破产后,欧洲已无大型存储芯片制造企业,全球存储芯片产业主要集中在东亚地区。若FMC成功转型为IDM,将有望重塑欧洲半导体产业格局,提升欧盟在关键芯片领域的自主可控能力和供应链韧性。

美国密歇根州州长Gretchen Whitmer近日表示,在该州境内建造一座半导体制造设施的计划已因“国家层面的巨大经济不确定性”被公司放弃,且这一公司没有将项目转移到美国境内其它地点的计划。

目前,美光SOCAMM已率先获英伟达量产批准,三星和SK海力士SOCAMM尚未获得英伟达认证。

展望下半年,十铨指出,DDR4价格仍具上行空间,将持续优化产品组合与库存策略,掌握市况机会,推动营运持续成长。

该批HBM将搭载于全球科技企业的下一代AI芯片。目前博通凭借自有半导体设计能力,正为谷歌代工第七代TPU"Ironwood"及Meta自研AI芯片"MTIA v3"。

三星电子在国际固态电路会议(ISSCC)公布的规格显示:以TLC标准计算的存储密度达28Gb/mm²,较前代提升56%;输入输出接口速度5.6GT/s,提升75%。性能的大幅跃升使其有望与明年商用的PCIe Gen6 主控协同发力数据中心市场。

据韩媒引述业内人士消息,三星电子已完成D1c DRAM“生产准备批准(PRA)”,即量产审批流程。在完成设计等开发流程,并达到目标性能和一定良率后,将转入量产。

股市快讯 更新于: 08-05 10:31,数据存在延时

存储原厂
三星电子70100KRW+0.57%
SK海力士263500KRW+2.13%
铠侠2394JPY+0.50%
美光科技107.770USD+2.76%
西部数据77.290USD+0.97%
闪迪42.510USD+2.86%
南亚科技45.15TWD+3.20%
华邦电子17.70TWD+2.02%
主控厂商
群联电子529TWD+0.76%
慧荣科技76.510USD+0.12%
联芸科技43.30CNY-0.44%
点序53.3TWD+0.95%
品牌/模组
江波龙89.00CNY+0.79%
希捷科技154.810USD0.00%
宜鼎国际229.0TWD+0.88%
创见资讯95.1TWD+0.85%
威刚科技93.1TWD+1.20%
世迈科技23.700USD+3.90%
朗科科技24.07CNY-0.37%
佰维存储63.09CNY-0.88%
德明利88.06CNY-0.53%
大为股份16.93CNY0.00%
封测厂商
华泰电子39.80TWD+1.92%
力成122.0TWD-0.41%
长电科技34.62CNY-0.29%
日月光146.5TWD-0.68%
通富微电27.04CNY-0.26%
华天科技10.14CNY+0.50%