消息称,三星电子HBM4E逻辑芯片采用了与HBM4相同的4nm制程工艺,DRAM仍然是1c DRAM,但采用了新的工艺细节来提升部分性能。
由于HBM4采用多层DRAM垂直堆叠的结构,以超高速运行,因此对于精度的要求远高于通用DRAM。即使单个芯片的良率达到一定水平,在组装成最终的HBM4成品的过程中,良率也可能再次下降。虽然三星电子1c DRAM良率正在稳步提升,但很难保证其在HBM4良率方面已经达到成熟水平。
据韩媒zdnet报道,因英伟达在扩大下一代AI加速器"Vera Rubin"的批量生产方面遇到困难,预计SK海力士面向英伟达的HBM4出货量将较原计划减少约20%~30%,减少的HBM4产能将用于其上一代产品HBM3E以及服务器用DRAM。
三星电子宣布推出新款T7 和T9 microSD存储卡,对其可移动存储产品线进行了重大更新,采用了更清晰的命名策略并提升了性能等级。三星T7 microSD存储卡定位于日常高可靠性扩展存储,提供128GB、256GB、512GB和1TB四种容量选项,最高170MB/s顺序读取速度。T9 microSD存储卡专为高性能应用而设计,提供128GB、256GB和512GB三种容量选项,具备最高200MB/s的读取速度。新品将于2026年4月30日面向消费者发售。
通过此次中标,FADU今年累计中标金额达1447亿韩元,突破1400亿韩元大关,已达到去年全年销售额(924亿韩元)的1.6倍。
预计试点生产线将于下半年建成,并在年底前后投入运营,目标是在2027年实现商业化。
SK 海力士预计将在正在进行 1c DRAM 工艺转换的生产线上部署 EUV光刻机,包括清州 M15X、利川 M16 和龙仁半导体集群一期工厂。
据韩媒报道,三星电子通过在生产过程中应用其自主研发的下一代低温焊接(LTS)技术,成功解决了SOCAMM2的翘曲问题。
4月7日,香农芯创发布2025年度业绩快报,公司营业总收入为352.51亿元,同比增长45.24%;归母净利润为5.44亿元,同比增长106.06%。同日,公司发布2026年一季度业绩预告,预计实现净利润为11.40亿元-14.80亿元,净利润同比增长6714.72%-8747.18%。
据韩媒报道,三星电子已为平泽半导体生产基地P5晶圆厂集群的首个阶段PH1订购了70余台光刻机,为该阶段2027年的投运做好准备。平泽P5 PH1所需的这些光刻机来自ASML和佳能,其中约20台为ASML的EUV曝光系统。P5 PH1将用于1c nm制程DRAM生产,将同时制造通用内存和HBM。三星电子预计将从2027Q2开始为平泽P5 PH1安装图案化设备,届时该阶段的洁净室施工也将完成,有望在2027年内贡献产能,满足英伟达 "Rubin" 与其它AI XPU的需求,纾解当前DRAM市场的供应紧张态势。
适逢清明节假期,按国家规定放假3天,即2026年4月4-6日放假。放假期间所有产品均暂停报价,4月7日(星期二)所有产品恢复报价。
传统硅基芯片在超过200℃的环境下便会性能骤降甚至彻底失效,这一“热极限”长期制约着航天、能源、汽车等高温场景下的电子系统发展。近日,南加州大学的研究团队成功研发出一种能够在700℃极端高温下稳定运行的新型存储器件,有望打破这一瓶颈,相关成果已发表于国际顶级期刊《科学》。
兆易创新GigaDevice今日宣布,其新一代大容量SPI NAND Flash闪存GD5F4GM7 (4Gb)/GD5F8GM8 (8Gb) 已进入样品阶段。据悉,这两款产品旨在提供同等容量eMMC 的替代方案,面向智能穿戴、高端路由、安防设备、扫地机器人等领域。
CFMS | MemoryS 2026已圆满落幕,期间包括三星电子、长江存储、铠侠、闪迪、阿里云、高通、慧荣科技、Solidigm、英特尔、江波龙、群联电子、宜鼎国际、平头哥半导体、腾讯云、小鹏汽车、忆恒创源、大普微、Cadence、FADU及CFM闪存市场发表了重要演讲。
3月27日,CFMS|MemoryS 2026将以“穿越周期,释放价值”为主题在深圳前海JW万豪酒店举行。本届峰会汇聚存储、CPU/GPU、AI大模型、汽车等全球核心厂商,将带来前沿展望,探讨现阶段形势下产业未来发展和趋势!