知情人士称,英伟达可能根据采用Rubin Ultra的NVL机架级系统规模,混合配置HBM4 8层与HBM4E 8层。虽然2026年HBM4 12层仍是主要供应规格,但从2027年中期开始,8层产品的占比预计将明显扩大。

据外媒报道,英伟达CEO黄仁勋近日在受访时表示,他认为2029年前后内存市场出现供应过剩的可能性较低。谈及内存需求的长期前景时,黄仁勋指出,内存的一大特点在于其使用量仍有持续增长的空间。“内存真正出色的一点在于,你永远可以用得更多。”英伟达未来仍将继续大量使用内存芯片。

SK海力士表示,Solidigm此前一直在评估多种融资方案,以支持产能扩张并增强竞争力;但在全面审视近期资本市场状况与股价走势后,认为当前并非推进IPO的最佳时机,因此决定暂停相关评估。SK海力士同时强调,这一决定并不改变对Solidigm增长潜力和投资必要性的判断。随着AI数据中心对企业级固态硬盘需求持续攀升,仅靠现有设施已难以满足增长,仍需在美建设新的生产基地。下一步,SK海力士将继续评估投资时机、规模及融资方式,以平衡Solidigm扩张与现有股东利益。

据媒体报道,美光科技近日举办了2026年技术网络研讨会,公布其AI存储路线图。

知情人士透露,SK海力士正在试探通过与小部件供应商的合作,以将iHBM应用于实际工艺并实现商业化。这表明公司正通过评估量产可行性,正式启动商业化进程。

据韩媒报道,三星电子设备解决方案(DS)部门近期在其半导体研究所内新设负责存储新产品研发的“核心团队”,以进一步提升下一代存储器的开发速度与技术完成度。该团队将与存储器事业部协同推进新产品开发,重点围绕DRAM、NAND闪存等核心课题开展联合研发。

Archer表示,无论厂商选择哪种路径,只要致力于延长现有结构寿命并进一步微缩图案,就会增加对Aether和Akara等先进工艺技术的需求。这意味着,DRAM制造商的技术微缩和结构变革将持续推动设备需求的扩大。

报道称,目前无法确定美国在多大程度上向三星和 SK 海力士发放了其计划升级所需的设备的出口许可证。此次升级能否完全按既定节奏推进,仍取决于美方对相关设备出口许可的审批情况。

本次IPO尚未披露最终募资总额。根据公开上市申请文件,宏芯宇募集资金拟主要用于四个方向:一、存储产品的持续开发与商业化;二、主控芯片研发及迭代;三、提升晶圆及主控芯片的验证与测试能力;四、补充营运资金及一般企业用途。

EIM的核心架构是在负责AI计算的逻辑芯片(Logic Die)之上堆叠LPDDR,以高速处理AI推理所需数据。其目标是缩短AI半导体与内存之间的数据处理延迟,同时提升系统带宽。

针对产能落地与市场供需,长鑫科技高管表示,目前合肥、北京两地晶圆厂持续高产能利用率运转,订单饱满,可凭借多元化产品矩阵和不断优化的成本结构应对市场变化。结合宏观与产业环境,长鑫对DRAM行业长期发展保持充足信心。AI算力需求正驱动全球DRAM市场持续扩容,预计2025至2030年行业年均复合增长率达38.39%。

从需求端看,戴尔认为自身看到的需求信号较为可信。公司直接对接各类客户,目前尚未发现重复下单、资源闲置等异常。企业布局AI已不再只是传统IT预算项目,而是提升竞争力、创新速度和运营效率的重要工具,各业务线负责人越来越意识到必须投入AI基础设施。

苹果公司CEO约翰·特纳斯近日在受访时表示,当前内存供应短缺已构成明显危机,苹果的基本立场是评估并考虑所有可行方案。他的这一表态被视为对美国国会就测试中国产内存所表达的国家安全担忧作出的回应。

据业内人士透露,三星电子计划将4F²技术应用于其下一代3D DRAM和垂直结构工艺节点“D0a”,该项目内部代号为“D0a-V”。

SK海力士正式公布其下一代存储路线图。据韩媒chosun报道,SK海力士开发总负责人、社长安炫日前公开了该司高带宽闪存(HBF)的详细目标规格,以及将DRAM堆叠在逻辑芯片之上的“3D堆叠DRAM”构想,旨在解决AI推理环境中的容量不足与数据瓶颈问题。

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