此次投资计划的一大焦点,是SK海力士拟在韩国清州新建一座NAND闪存晶圆厂。若该计划最终落地,这将是自2018年M15工厂建成以来,SK海力士在该厂区首次进行重大NAND产能扩张。

6 月 25 日,微软与苹果先后发布公告上调硬件定价,核心诱因是 AI 数据中心扩容带动存储芯片需求激增,叠加多重供应链因素推高元器件成本。

据韩媒inews24报道,SK海力士的赴美上市进程已进入最后冲刺阶段;与此同时,铠侠也发布了赴美发行ADR(美国存托凭证)的时间表,并计划通过拆股降低散户投资门槛。

高通正式发布高带宽计算(High-Bandwidth Compute,HBC)架构,将HBC加速器放置于LPDDR堆栈下方,通过TSV硅通孔技术实现LPDDR堆栈和HBC加速器互连。相较于竞品已发布产品,在卡级归一化条件下,HBC每瓦带宽相为HBM的6倍;在机架级归一化条件下,HBC每瓦容量为SRAM的200倍。采用HBC Gen 2的AI300则旨在实现进一步的阶梯式提升,相比AI200有效带宽最高可提升54倍,每瓦带宽较HBM实现7倍跃升。

长期以来,HBM封装多采用热压键合(TCB)技术,但这种方式存在天然的物理缺陷。TCB依靠微小的凸点(bump)连接,且中间必须填充底胶(underfill),这导致热传导路径被阻断,热阻极大。相比之下,三星力推的混合铜键合(HCB)实现了铜与铜的直接接触。这种“直连”方式打通了更多的散热通道,大幅提升了热量逸出的效率。

据韩媒报道,三星电子近期将约7.5万片晶圆(占其每月15万片HBM DRAM晶圆投入量的一半)用于HBM4的生产,剩余一半则用于生产第五代HBM3E 12层产品。据悉,市场需求相对较低的HBM3E 8层产品的生产已暂时停止,并将产能转移至HBM4的生产。

据外媒报道,三星计划到2029年实现420层NAND闪存解决方案,到2030年实现超过560层。随后在下一个十年之初,三星计划将层数翻番,实现超过1000层的解决方案。层数翻倍会带来晶圆翘曲和层间对准误差等问题,但据悉三星计划引入Upper Chuck Design方案和Overlay Correction(叠对校正)技术解决相关问题。

JEDEC制定并公布了SPHBM4标准。SPHBM4是一项新的JEDEC标准,使用更少的信号引脚、标准封装和更经济的基板,即可实现接近HBM4的性能。SPHBM4将信号引脚数量减少到原来的五分之一,并通过将信号速度提高至原来的四倍,缓解性能损失的问题。这将使HBM制造商能够减少对昂贵的高级封装解决方案的依赖。

据《朝鲜日报》引述业内消息称,SK海力士正考虑略微推迟部分第五代HBM(HBM3E)产线向HBM4的转换计划。这一政策的核心在于提升对通用DRAM市场的响应速度。目前,通用DRAM的营业利润率已超越HBM,此举旨在确保更多利润。业界普遍认为,这反映出SK海力士的判断:鉴于其在HBM市场已稳占主导地位,目前并无必要急于向HBM4及第七代HBM(HBM4E)过渡。

面对严峻的供需形势,潘健成透露,尽管群联已获取了相对充足的供应渠道,但客户需求增速仍快于供给增速,群联目前只能优先保障核心客户的需求。为应对危机,群联正全力囤货,第一季度存货规模已突破700亿元新台币,且库存水位仍在持续攀升。在供给极度紧缺的环境下,现在的市场并非“有钱就能买到货”,而是必须依赖原厂的供货支持,因此群联的策略是积极建立库存,多多益善。

作为每年6月和12月举行的常规会议,全球战略会议的核心目的是复盘上半年业绩并制定下半年销售策略。在当前AI需求激增导致内存供应紧张的背景下,强化HBM业务成为了今年会议的绝对重心。除了产品与技术,三星电子还重点复盘了自今年年初起针对大型科技巨头推进的LTA战略。

适逢端午节假期,按国家规定放假3天,即6月19日-6月21日放假,6月19日所有产品均暂停报价,6月22日(星期一)恢复报价。

据韩媒报道,三星目前正与多家合作伙伴共同研发用于量产第七代10纳米(1d)DRAM的设备,并计划于明年第二或第三季度推出。考虑到实际量产准备所需的时间,预计最早将于明年年底开始1d DRAM的初步量产。三星的1d DRAM预计将被用于第九代高带宽内存(HBM5E)的核心芯片,该产品拟于2029年实现商业化。

整体来看,SK海力士正逐步形成“中国无锡工厂主攻通用型与传统DRAM产品、韩国本土工厂专注尖端DRAM产品”的双线布局。这种策略旨在保持供应链的稳定性,并在全球产能竞争中维持市场竞争力。

铠侠今日在官网宣布其EXCERIA G3 SSD系列推出4TB型号,丰富了PCIe 5.0 产品线的容量选择,预计将于2026年7月上旬开始发售。此次新增的4TB型号采用基于其第八代BiCS FLASH™ 3D闪存技术的QLC存储器构建,为需要在AI应用和游戏主机环境中配备入门级SSD的用户提供了更多选择。EXCERIA G3 SSD系列的顺序读取速度高达10,000MB/s,顺序写入速度高达9,600MB/s。

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