据韩媒ChosunBiz援引业内人士消息，SK海力士1c DRAM的比重从今年第一季度的10%左右增长到第二季度的13%左右，预计第三季度将增长到24%左右，第四季度将增长到34%左右。预计明年第一季度1c DRAM占比将达到35%左右，首次超过1b（33%左右），成为主流工艺。此外，不同于三星自HBM4阶段开始应用1c DRAM，SK海力士出于优先考虑量产稳定性将在HBM4中采用成熟的1b DRAM，并在HBM4E中首次应用1c DRAM。
据媒体报道，铠侠近日举行了半导体存储器及其他技术的技术说明会。铠侠计划通过专为人工智能工作负载设计的CXL模组提高NAND闪存的处理速度，取代部分DRAM。据悉，CXL模组能将数据读取所需时间缩短至传统产品的1/10以下，凭借高速读取数据，其性能可更加接近DRAM。铠侠指出，若将部分DRAM换成CXL模组，容量能提高至2倍、性能提升3成。
为实现上述目标，美光正向多家HBM制造设备供应商增加采购订单，相关设备持续运入其中国台湾地区和新加坡工厂。目前，美光HBM封装业务主要在中国台湾铜锣厂和新加坡兀兰厂推进，日本广岛工厂的设备投资也在筹备之中。
据媒体报道，美光正探索开发高耐久性NAND闪存模块的方案，研究如何将NAND闪存更靠近GPU，以处理那些不需要传统HBM或常规DRAM模块那样高延迟和高带宽的工作负载。这种架构目前被称为“近GPU NAND”（Near-GPU NAND），旨在兼顾密度和耐久性。该方案允许GPU访问密度低于传统TLC或QLC NAND的NAND闪存池，但重点在于提升I/O速度、带宽和读取速度。该技术将使GPU能够直接访问数百GB的潜在存储池，LLM将不再受限于内存。
Cherian直言，对于云服务商而言，若投入数十亿美元建设的AI处理器因等待内存带宽而闲置，等同于大量算力资本开支被浪费。因此，Google现阶段关注的核心不仅是内存价格，还有能否获得足够的内存，让昂贵的AI芯片持续保持高负荷运转。
三星将技术方向凝练为CUBE战略——Capacity（容量）、Utilization（优化）、Bandwidth（带宽）、Efficiency（功耗与散热效率），通过3D结构创新同步突破容量、带宽与能效瓶颈，产品线从通用DRAM、NAND扩展至HBM、企业级SSD及下一代zHBM、zNAND-O，形成覆盖AI内存全场景的产品矩阵。
兆易创新9月1日召开2026年半年度业绩说明会。DRAM方面，公司预计DRAM产品在下半年还会延续上涨的态势，价格会转为温和上行。展望2027年，DRAM行业增量产能释放相对有限，DRAM供应的紧张局面不会明显缓解，行业景气周期相对较长，产品价格预计呈高位震荡态势。NAND方面，公司预计NOR Flash产品价格温和上涨预计仍将持续一段时间，其中大容量产品价格涨幅相对明显；SLC NAND Flash供应短缺目前仍未出现显著缓解，公司预计其景气周期至少延续至2027年全年。
长鑫存储成为继小米、中微、禾赛、药明康德、阿里巴巴、长江存储之后，第7家对美方"中国涉军企业"清单发起法律反击的中国企业。
由于供应正转向以需求为导向的定制化模式，即便下行周期到来，也不会像过去那样出现严重的供过于求问题。郭鲁正表示："即便下行期到来，需求也不会急剧萎缩，而是趋于放缓或维持在计划水平。因此，我对2030年之后的前景并不担忧。"
在HBC的制造环节，高通仅负责设计和系统集成，开发位于DRAM芯片下方的计算裸片，并提供TSV设计方案。三星电子和SK海力士则负责DRAM的堆叠工作。高通计划与台积电合作，完成各项技术的集成与封装。
订单经双方书面确认起生效，交付期限为订单生效后 18 周内。订单还就产品名称、产品数量、单价、付款条件等内容进行约定。
据日媒报道，因AI普及，带动存储需求激增，为加快高性能产品的增产投资，铠侠将在岩手县兴建NAND Flash新厂房，预估投资额将超过1兆日圆（约合62.78亿美元）。铠侠高层将在27日访问日本首相官邸，宣布新厂兴建计划。
在兼容性方面，LPDDR5X-PIM采用与现有LPDDR5X相同的封装和内存控制方式，无需额外的内存控制器即可直接应用于现有系统。通过按照JEDEC制定的封装标准开发产品，使用现有LPDDR5的用户可以轻松切换到LPDDR5X-PIM。
在2048引脚配置下，14Gbps版本单堆叠最大带宽可达3.6TB/s；当速率提升至16Gbps时，单堆叠最大带宽将跃升至4TB/s。
由于初步协议被否决，劳资双方预计将立即进入重新谈判阶段。预计具体的调整将集中在关键争议点上，例如计入绩效奖金的库存股比例以及股票拆分出售的条件。
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