据韩媒引述业内人士消息,三星电子已完成D1c DRAM“生产准备批准(PRA)”,即量产审批流程。在完成设计等开发流程,并达到目标性能和一定良率后,将转入量产。
尽管目前存在这些障碍,但业界强调为这些技术建立生态系统基础的重要性,并预测 AI内存需求结构将逐渐多样化。
美光极有可能在今年下半年向三星电子提供更多采用新1γ(对应1c)工艺生产的LPDDR5X样品。
目前三星电子内部仍在讨论是将 PH2 用作 DRAM 生产基地,还是将其改造成混合晶圆厂。DRAM生产线PH4目前暂无进展,其建设工作已处于收尾阶段。
三星电子计划将新设计应用于其1c DRAM。预计以此方式生产的 DRAM 将用于计划于下半年生产的HBM4。
目前三星、SK海力士被列入了“强制出口管制”(VEU)名单,允许进口除EUV曝光设备以外的所有设备,无需单独许可。如果特朗普政府取消这项豁免,那么每次向中国工厂引入新设备或替换设备时,都需要单独办理许可手续。
据业界消息,前联发科共同营运长朱尚祖将加入慧荣科技,7月正式就任。
继AMD日前于发布会上宣布其新款AI加速器MI350X和MI355X已搭载三星电子的12层HBM3E后,据韩媒报道,三星电子已完成博通HBM3E 8层认证测试,并正在为量产做准备。
据韩媒thebell报道,SK海力士计划推迟对10nm级第六代DRAM(1c DRAM)的投资,目的是专注于需求可见度高、盈利能力强的高带宽存储器(HBM)的生产。
从HBM5开始,冷却技术将成为关键,通过3D异构集成和先进封装技术,将部分基础芯片(Base Die)移至HBM顶部。
据悉三星电子将从第五代HBM"HBM3E"开始应用飞秒激光。但由于设备刚启动导入,实际目标产品更可能是第六代"HBM4"。
对于未来业绩展望,郭鲁正表示:“今年和明年的业绩很难预测,但目前为止,一切进展都与计划相符,让我们共同努力,实现计划。”
美光曾计划到2030年代中期,通过爱达荷州博伊西和纽约州克莱镇的两大生产基地,将40%的DRAM产能转移至美国本土。但鉴于当前延误,能否如期执行该计划尚不明朗。
首批SOCAMM模块基于堆叠式 LPDDR5X 芯片,将用于英伟达即将推出的 AI 加速器平台 Rubin,该平台计划于明年发布。
干式PR在超精细工艺(如10纳米级别)中更具优势,可避免湿式PR因液体显影和剥离导致的图案变形问题,同时提高曝光精度,提高良率。
存储原厂 |
三星电子 | 60200 | KRW | +0.67% |
SK海力士 | 285500 | KRW | -2.23% |
铠侠 | 2363 | JPY | -5.59% |
美光科技 | 123.250 | USD | -1.21% |
西部数据 | 63.990 | USD | +1.11% |
闪迪 | 45.350 | USD | -3.82% |
南亚科技 | 49.50 | TWD | -3.32% |
华邦电子 | 19.85 | TWD | -1.49% |
主控厂商 |
群联电子 | 490.5 | TWD | -0.10% |
慧荣科技 | 75.170 | USD | -0.79% |
联芸科技 | 41.15 | CNY | -0.65% |
点序 | 54.0 | TWD | +0.75% |
品牌/模组 |
江波龙 | 85.09 | CNY | -2.74% |
希捷科技 | 144.330 | USD | +2.04% |
宜鼎国际 | 240.0 | TWD | +1.27% |
创见资讯 | 102.5 | TWD | +1.99% |
威刚科技 | 93.8 | TWD | +0.21% |
世迈科技 | 19.810 | USD | -3.74% |
朗科科技 | 24.36 | CNY | -1.54% |
佰维存储 | 67.80 | CNY | +0.59% |
德明利 | 118.69 | CNY | +0.30% |
大为股份 | 20.00 | CNY | +3.57% |
封测厂商 |
华泰电子 | 38.80 | TWD | +1.04% |
力成 | 131.5 | TWD | 0.00% |
长电科技 | 33.97 | CNY | +0.83% |
日月光 | 145.5 | TWD | -1.36% |
通富微电 | 25.90 | CNY | +1.09% |
华天科技 | 10.78 | CNY | +6.73% |
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