据韩媒报道,三星电子已与美国半导体企业Netlist达成专利纠纷和解。双方签署了一项为期5年的战略合作协议,内容涉及专利交叉许可、存储产品供应和技术合作。

据媒体报道,英伟达正在研发新技术,未来可以让SSD充当额外显存。

华邦电近日召开法说会,总经理陈沛铭表示,高雄现有Module A 月产能将由目前1.5万片扩增至2.4万片,预计今年底开始投片。为应对客户对2029 年以后产能的强烈需求,公司启动Module B建设,预计2027年动工、2029年装机及量产,未来将支援16nm、14nm及12nm制程,实际产出与营收贡献则主要落在2030年。

FADU 正在推进一项业务计划,绕过内存厂商,将 SSD 控制器直接供货给服务器客户。该公司的目标是进一步拓展超大规模客户群。目前,FADU 已拿下的超大规模客户包括 Meta 等。

据媒体报道,南亚科技董事会日前通过多项重大决议,宣布启动5A新厂长期投资计划。

据媒体援引知情人士消息,长鑫科技正考虑在北京亦庄建设一座新的12英寸晶圆厂。

据媒体援引业内人士消息,长鑫存储的LPDDR6已接近研发验证尾声,这是量产前的重要一步。据悉,今年3月,长鑫存储已将LPDDR6样品送至核心客户,有望于2026年下半年实现全球首发量产导入。

卢志远明确表示,新增NAND产能将有极高比重投入MLC及eMMC,长期规划逾七成产能配置于MLC相关产品。目前8GB及16GB eMMC供应极度吃紧,32GB eMMC已规划于第四季度量产。

据Herald Business报道,SK海力士将于今年下半年开始全面量产LPDDR6内存,首批产品拟搭载于小米下一代旗舰手机中。然而,对于向小米供货一事,SK海力士表示无法确认有关客户的详细信息。据悉,SK海力士的LPDDR6采用10纳米第六代(1c)工艺,相比上一代产品,数据处理速度和能效均有所提升。

据韩媒报道,三星电子华城12号生产线改造工作自去年下半年开始,已于本月完成。三星电子计划将该生产线用于华城15号生产线的后端工艺(BEOL)。华城15号生产线负责量产业界最先进的DRAM,包括1b(第五代10nm级)和1c(第六代10nm级)DRAM。 据悉,后端流程预计最早将于今年下半年投入使用,华城12号和15号生产线协同使用将加速三星电子DRAM产能的扩张。

随着私募巨头贝恩资本出售了绝大部分持股,SK海力士已实质上成为铠侠的第二大股东。由于这两家公司在全球NAND闪存市场是直接竞争对手,这一股权变动正引起日本当局的高度关注。

据外媒报道,苹果已向政府官员提出请求,希望获准在美国以外地区销售的设备中,使用长鑫存储和长江存储的存储芯片。美光科技则积极游说反对上述请求。其高管警告称,允许美国科技企业向中国生产商采购,无论最终产品在何处销售,都将损害美国本土制造业的发展。

据悉,HBM5 的运行速率预计将较 HBM4E 提升 50% 以上。为此,2nm 基础裸片将支持更高密度的硅通孔(TSV)设计,以满足行业对超高带宽的需求。

长鑫科技今日正式登陆科创板,开盘大涨471%至每股49.50元,此后回落,最低下探至38.11元/股,之后开始回弹,截至上午收盘,股价达54.65元,涨幅超530%,总市值达3.66万亿。

近日,SK集团与英伟达正式官宣达成超5000亿美元的战略合作。双方已签署意向书,正式确立合作协议,合作内容涵盖AI工厂建设和AI内存供应等多个方面。

简讯快报

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