报告期内,东芯股份营业收入同比增长约43.75%,毛利率大幅提升,存储板块已实现盈利。
据韩媒报道,三星第七代高带宽内存 (HBM) HBM4E 的开发流程已经进入基础芯片的后端设计阶段,这意味着该芯片的研发过程已经过半。
中微半导CMS25Q40A 容量为 4Mb,存储阵列划分为 2048 个可编程页,每页容量为 256B,单次编程操作最多可写入 256B 数据。
Cadence宣布与微软合作开发出一款面向数据中心的LPDDR5X(低功耗双倍数据速率5X)9600Mbps内存系统解决方案。该方案可同时实现高性能、低功耗和高可靠性。微软计划在其数据中心部署此方案。双方强调,通过应用 RAIDDR ECC 技术,实现了与现有服务器 DDR5 内存相当的数据保护能力。
三星电子在HBM4逻辑芯片上采用了4nm工艺。芯片开发和量产分别由DS事业部内的系统LSI部门和晶圆代工部门负责。此外,三星电子已被证实正在采用2nm工艺设计用于定制HBM的逻辑芯片。
三星的判断基准线是“冷测试良率50%”。即使良率未能立即提升,经营层也果断决策,认为必须迅速进入英伟达供应链,抢先确保市场份额。
目前,SK海力士无锡工厂基于12英寸晶圆的DRAM月产能为18万至19万片,其中约90%的产能为1a工艺。无锡工厂的产量占SK海力士DRAM总产量的30%至40%。
三星电子内部人士表示,提高数据传输速度并不难,只需对逻辑芯片的设计和工艺进行一些改进即可实现。达到英伟达提出的每引脚13Gbps的传输速度是可能的,只是散热存在问题,但这个问题很快就能解决。
美光预计将在完成与英伟达的性能评估后,于第二季度开始量产HBM4。
2023年及2024年以及截至2025年9月30日止九个月,宏芯宇来自前五大客戶的收入分別为52.1亿元、57.4亿元及38.8亿元,分別占同期总收入的59.4%、65.7%及50.0%。
适逢元旦假期,按国家规定放假3天,即1月1-3日放假,放假期间暂停所有产品报价。1月4日闪存卡、USB 2.0、USB 3.0人民币正常报价,1月5日(星期一)恢复所有产品报价。
消息称,三星电子已决定在本月大幅提升其整体HBM产能,并将从新年开始全面投资。
该工厂将成为三星10nm第六代(1c)DRAM生产的核心,三星率先将1c DRAM用于第六代HBM(HBM4)芯片。
SK海力士将从明年2月开始在M15X工厂启动用于HBM4的1b DRAM量产晶圆的投入。原计划量产晶圆投入时间为6月。初期将投入约1万张晶圆起步,年底将生产规模扩大至数万张。
如果SK海力士明年1月初能够提交更多优化后的样品,且质量测试能够迅速完成,预计将于2-3月开始全面量产,产能提升在第二季度将得以启动。