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受益于近年来持续完善在高附加值市场的产品布局,并不断加强对新产品的推广、销售及综合服务力度,聚辰股份 DDR5 SPD 芯片、汽车级 EEPROM 芯片和高性能工业级EEPROM芯片的出货量较上年同期实现快速增长,汽车级 NOR Flash 芯片成功导入多家全球领先的汽车电子Tier1供应商。

据韩媒引述业界消息称,韩国主要半导体企业正推迟或缩减对先进NAND闪存的设备投资计划。主要是由于需求不确定性较高,且投资主要集中在DRAM和先进封装领域,导致企业面临较大的投资压力。

三星电子V10 NAND拥有超过400层的高堆叠层数。当NAND被堆叠成多层时,连接存储单元(Cell)的通道孔必须比以往深得多。也就是说,通道孔的纵横比(深宽比)急剧增加,需要新技术来应对。这正是三星电子计划在第10代NAND中引入极低温蚀刻的原因。

具体来说,三星正在寻找能够为先进HBM设计新架构的封装开发专家,而产品规划人员则负责与对定制HBM感兴趣的客户进行沟通。

FADU表示,目前正与美国超大规模数据中心运营商合作,部分基于第五代技术的项目预计将在年内产生销售额。

针对“美光近日中国区业务调整”一事,美光正式回应CFM闪存市场:鉴于移动 NAND 产品在市场持续疲软的财务表现,以及相较于其他 NAND 机会增长放缓,我们将在全球范围内停止未来移动 NAND 产品的开发,包括终止UFS5的开发。

据悉,三星近日宣布将重新开发 Z-NAND 产品,并将性能目标设定为现有NAND Flash的最高15倍,同时功耗降低最多80%。

三星近期已完成1c DRAM开发,并结束量产转移前的生产认可流程(PRA)。该产品将应用于以年底投产为目标的HBM4。

该架构旨在满足生成式AI和高性能计算日益增长的需求,其32Kbit数据总线和单芯片高达512 Gbit的容量,带宽提升16倍,密度提升10倍,显著突破了传统HBM的局限性。

三星电子在其最新业绩电话会议上表示,对于HBM3E产品,由于供给增加量超过需求增长率,预计供需将发生变化,预计这将暂时对市场价格产生影响。

MLC产品线因营收占比低,未揭露具体数据,但旺宏看好后续eMMC放量出货,将推升整体NAND营收状况。

据悉,PH4在场地开建和竣工收尾工程上各投入约1.8万亿韩元。这意味着在不包含设备及相关设施的情况下,仅外部结构施工就总计需要投入3.6万亿韩元(约合26亿美元)。

宇瞻看好,随着AI 产业持续火热,有助带动存储需求,包括服务器DDR5与企业SSD 的升级,也有助DRAM 与NAND市况。

据业界消息,三星电子、SK海力士、美光均已完成DDR6规格的初期原型开发,正与英特尔、AMD、英伟达等CPU/GPU厂商共同推进平台验证。当前目标性能为8800MT/s,后续计划提升至17600MT/s,达到现行DDR5最高速度(约8000MT/s)的两倍以上。

三星原本计划在今年下半年实现量产,但内部采取了谨慎态度,将量产准备批准(PRA)期限设定在第四季度。根据在研发工厂进行的小规模样品测试,1c DRAM的良率已达到65%。

股市快讯 更新于: 08-26 21:45,数据存在延时

存储原厂
三星电子70300KRW-1.68%
SK海力士261500KRW+0.77%
铠侠2433JPY+1.71%
美光科技117.740USD+1.13%
西部数据79.660USD+0.56%
闪迪47.468USD+1.47%
南亚科技47.45TWD+1.06%
华邦电子18.75TWD+1.90%
主控厂商
群联电子482.0TWD+0.52%
慧荣科技77.456USD-0.29%
联芸科技52.20CNY+0.08%
点序53.0TWD+1.92%
品牌/模组
江波龙98.71CNY+2.05%
希捷科技164.510USD+0.31%
宜鼎国际270.5TWD+9.96%
创见资讯98.5TWD+0.31%
威刚科技100.5TWD+1.72%
世迈科技24.675USD+0.84%
朗科科技28.47CNY+3.91%
佰维存储69.92CNY-0.31%
德明利98.27CNY-1.35%
大为股份18.75CNY-1.99%
封测厂商
华泰电子44.65TWD+1.94%
力成118.5TWD0.00%
长电科技38.99CNY-0.03%
日月光149.0TWD+0.34%
通富微电29.89CNY-0.43%
华天科技11.68CNY+2.46%