陈立武透露,新存储架构是他正在关注的“个人关注项目”之一。他提到:“目前正涌现出大量新技术。我聘请了我的好友、前SK海力士高管李锡熙加盟,这足以让大家了解我的一些思考方向。不过,我们目前还不准备对外公布具体细节。”

业内预计,明年三星在DRAM和NAND领域的投资仍将保持较大规模。对于DDR5、eSSD等高附加值产品,其后道工序仍将在国内持续进行。

据ZDNET援引日经新闻报道,铠侠披露,其最大股东已由原东芝变更为一家名为BCPE Pangea Cayman 2(以下简称SPC2)的特殊目的公司。SK海力士通过可转换债券(CB)对SPC2进行了投资。从上个月15日至本月3日,东芝通过总共7笔交易将其持股比例降至14.06%。因此,持有铠侠14.19%股份的SPC2成为该公司的最大股东。

SK海力士声明,为提升业务竞争力,公司正在探讨多种方案,但目前尚未做出决定。

据韩媒援引业内人士消息,尽管今年2月三星HBM4量产初期良率一度跌破60%,近期其良率已接近80%,且较原定年底达成80%的目标提前约4个月。据悉,三星电子已设定内部目标,力争在年底前将其HBM市场份额提升至与DRAM整体市场份额(约38%)相近的水平。

据韩媒报道,三星电子已与美国半导体企业Netlist达成专利纠纷和解。双方签署了一项为期5年的战略合作协议,内容涉及专利交叉许可、存储产品供应和技术合作。

据媒体报道,英伟达正在研发新技术,未来可以让SSD充当额外显存。

华邦电近日召开法说会,总经理陈沛铭表示,高雄现有Module A 月产能将由目前1.5万片扩增至2.4万片,预计今年底开始投片。为应对客户对2029 年以后产能的强烈需求,公司启动Module B建设,预计2027年动工、2029年装机及量产,未来将支援16nm、14nm及12nm制程,实际产出与营收贡献则主要落在2030年。

FADU 正在推进一项业务计划,绕过内存厂商,将 SSD 控制器直接供货给服务器客户。该公司的目标是进一步拓展超大规模客户群。目前,FADU 已拿下的超大规模客户包括 Meta 等。

据媒体报道,南亚科技董事会日前通过多项重大决议,宣布启动5A新厂长期投资计划。

据媒体援引知情人士消息,长鑫科技正考虑在北京亦庄建设一座新的12英寸晶圆厂。

据媒体援引业内人士消息,长鑫存储的LPDDR6已接近研发验证尾声,这是量产前的重要一步。据悉,今年3月,长鑫存储已将LPDDR6样品送至核心客户,有望于2026年下半年实现全球首发量产导入。

卢志远明确表示,新增NAND产能将有极高比重投入MLC及eMMC,长期规划逾七成产能配置于MLC相关产品。目前8GB及16GB eMMC供应极度吃紧,32GB eMMC已规划于第四季度量产。

据Herald Business报道,SK海力士将于今年下半年开始全面量产LPDDR6内存,首批产品拟搭载于小米下一代旗舰手机中。然而,对于向小米供货一事,SK海力士表示无法确认有关客户的详细信息。据悉,SK海力士的LPDDR6采用10纳米第六代(1c)工艺,相比上一代产品,数据处理速度和能效均有所提升。

据韩媒报道,三星电子华城12号生产线改造工作自去年下半年开始,已于本月完成。三星电子计划将该生产线用于华城15号生产线的后端工艺(BEOL)。华城15号生产线负责量产业界最先进的DRAM,包括1b(第五代10nm级)和1c(第六代10nm级)DRAM。 据悉,后端流程预计最早将于今年下半年投入使用,华城12号和15号生产线协同使用将加速三星电子DRAM产能的扩张。

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