据悉,H-TPU并非执行AI计算的张量加速器,而是一款专用于控制SSD数据平面和处理事务的可编程处理器。其关键特性在于摒弃了依赖单个大型通用CPU的传统方法;相反,它将控制功能细分,并将处理器分解为功能单元,分布在数十个小型TPU集群中。该架构通过按功能拆分处理器来最大限度地提高效率,从而克服了通用CPU的功耗和面积限制。
据韩媒援引业内人士消息, 三星电子正在内部研发三种类型的z-NAND闪存, 除已公开展示模型的zNAND-O外,还包括zNAND-T和zNAND-I。据悉,zNAND-T专为高吞吐量而设计,zNAND-I则最大程度地提高了IOPS。
据媒体报道,Meta工程师近日在LPC 2026上展示名为CRAM(Compressed RAM)的实验性内存压缩方案。该方案旨在让压缩后的数据继续以内存形式存在,从而减少传统Swap路径带来的软件开销,而非简单替代ZRAM或zswap。CRAM的核心思路是将硬件压缩后的内存作为一种特殊的NUMA内存提供给Linux,而不是模拟成块存储设备。据介绍,CRAM方案在纯读取场景下,吞吐性能相较当前主流的ZRAM提升达452倍,实际运行速度已极为接近原生DRAM。
联发科9月合并营收新台币553.99亿元(约合人民币116.17亿元),环比减少13.69%,同比增长1.97%;1-9月累计合并营收新台币4,693.91亿元(约合人民币984.31亿元),同比增长5.30%;第三季度合并营收新台币1,680.58亿元(约合人民币352.42亿元),较上季度增长10.43%,较去年Q3增长18.27%,超越原业绩预测上限新台币1,598亿元,优于公司原先预期且再创单季新高。
根据协议,美光科技将可以使用Netlist的专利,包括服务器内存模块和高带宽内存(HBM)技术。 美光科技将在五年内分20个季度(从今年第四季度至2031年第三季度)向Netlist支付总计6亿美元,每个季度支付3000万美元。
受存储芯片缺货及涨价效应持续发酵影响,中国台湾地区模组厂商威刚、宜鼎、创见、宇瞻9月营收保持高位,同比增幅分别达到199.95%、535.71%、290.42%和157.71%。不过环比来看,威刚营收下滑,宜鼎增幅收窄。
据韩媒引述业界消息,三星负责电视业务的VD事业部已决定自2027年起,采购华邦电子LPDDR4与LPDDR4X芯片,相关品质认证测试已于2026年上半完成。业界认为,随着原厂逐步退出LPDDR4、LPDDR4X生产,电视产品所需的上一代存储供应日益吃紧,促使三星积极寻找替代供应来源。值得注意的是,尽管华邦电子是三星新的供应商,但据透露,VD事业部正考虑于2027年在电视产品中的约50%配置为华邦电子DRAM。
CFM闪存市场近日发布2026年第四季度存储市场展望报告。报告指出,预计2026四季度,服务器DDR5、eSSD价格环比涨幅将分别落在0%~10%、0%~10%区间;Mobile LPDDR4X/5X、eMMC/UFS价格涨幅分别约0%~5%、0%~3%;PC DDR5/LPDDR5X涨幅预计约0%~10%,cSSD涨幅约0%~3%。
通过此次合作,双方将在EPIC中心共同研究先进存储单元与结构形成、多芯片堆叠架构以及新的材料工程方法,计划以此提升AI时代所需的存储密度与性能。
宜鼎宣布推出全新工业级DDR5-8000 RDIMM内存模组,进一步拓展其面向边缘AI和企业服务器等计算密集型应用的DDR5产品组合。该模组提供8000 MT/s数据传输速度,比上一代产品提升11.1%,支持大型语言模型(LLM)、生成式AI、数字孪生和远程医疗等应用。 据报道,宜鼎将于2027年第一季度推出更多DDR5 8000内存模块,包括CUDIMM、CSODIMM、ECC CUDIMM 和 ECC CSODIMM,为各种系统设计提供更广泛的选择。
适逢国庆假期,按国家规定放假7天,即10月1-7日放假,放假期间暂停所有产品报价,10月8日(星期四)恢复所有产品报价。10月10日闪存卡、USB 2.0、USB 3.0人民币正常报价。
从执行节奏看,前八个月实际发生35.96亿元,9-12月仍有约42.58亿元额度可用,后续采购强度或明显提升。
据韩媒报道,三星电子正在加快其平泽5号园区(P5)首条量产线(Ph1)的建设进度。目前三星正与主要设备厂商讨论,将Ph1的设备搬入目标时间从原定的明年第三季度提前至明年第二季度。
该RCD05芯片符合JEDEC DDR5RCD05规范,支持8000 MT/s的数据传输速率,较上一代RCD04产品提升约11%,为下一代服务器平台提供更充裕的带宽支撑。产品集成高性能、低抖动PLL时钟驱动电路,并支持CTLE连续时间线性均衡、ZQ校准等关键功能,有助于提升高速信号传输的信号完整性与稳定性。
起诉书显示,南亚科技DDR3及后代DRAM存储产品侵犯了两项与提升存储总线效率和校准片上终端电路相关的专利:US7,281,079和US7,432,731。原告称告技术涉及高速存储基础技术,解决了DRAM架构中的性能瓶颈。