三星的判断基准线是“冷测试良率50%”。即使良率未能立即提升,经营层也果断决策,认为必须迅速进入英伟达供应链,抢先确保市场份额。

目前,SK海力士无锡工厂基于12英寸晶圆的DRAM月产能为18万至19万片,其中约90%的产能为1a工艺。无锡工厂的产量占SK海力士DRAM总产量的30%至40%。

三星电子内部人士表示,提高数据传输速度并不难,只需对逻辑芯片的设计和工艺进行一些改进即可实现。达到英伟达提出的每引脚13Gbps的传输速度是可能的,只是散热存在问题,但这个问题很快就能解决。

美光预计将在完成与英伟达的性能评估后,于第二季度开始量产HBM4。

2023年及2024年以及截至2025年9月30日止九个月,宏芯宇来自前五大客戶的收入分別为52.1亿元、57.4亿元及38.8亿元,分別占同期总收入的59.4%、65.7%及50.0%。

适逢元旦假期,按国家规定放假3天,即1月1-3日放假,放假期间暂停所有产品报价。1月4日闪存卡、USB 2.0、USB 3.0人民币正常报价,1月5日(星期一)恢复所有产品报价。

消息称,三星电子已决定在本月大幅提升其整体HBM产能,并将从新年开始全面投资。

该工厂将成为三星10nm第六代(1c)DRAM生产的核心,三星率先将1c DRAM用于第六代HBM(HBM4)芯片。

SK海力士将从明年2月开始在M15X工厂启动用于HBM4的1b DRAM量产晶圆的投入。原计划量产晶圆投入时间为6月。初期将投入约1万张晶圆起步,年底将生产规模扩大至数万张。

如果SK海力士明年1月初能够提交更多优化后的样品,且质量测试能够迅速完成,预计将于2-3月开始全面量产,产能提升在第二季度将得以启动。

目前,三星电子正在开发LPDDR5X-PIM,结合LPDDR5X和PIM技术,带宽高达614 GB/s,是现有LPDDR5X的八倍,并支持FP16/FP8和INT/4/8/16等多种运算。

三星将其新技术命名为“用于10nm以下CoP垂直通道DRAM晶体管的高耐热非晶氧化物半导体晶体管”。采用了一种基于非晶铟镓氧化物(InGaO)的晶体管,这种晶体管可以承受高达 550 摄氏度的高温,从而防止性能下降。 这种垂直沟道晶体管的沟道长度为 100nm,可以与单片 CoP DRAM 架构集成。

今年,博通已将三星电子视为战略合作伙伴,以取代SK海力士。三星电子在性能和价格谈判方面展现出了灵活性,具体而言,据报道,三星电子将其供应价格较SK海力士目前供应的HBM3E产品降低了约20%。

据知情人士透露,SK海力士现在决定至少在明年上半年之前,保持HBM3E在所有HBM产品中最高的产量占比。SK海力士在与英伟达讨论明年HBM的产量时,大幅增加了HBM3E的产量,远超预期。

十铨未来将将集中投入Gaming、AI与Creator、云端与Edge computing,以及工控与IoT/AIoT应用等四大领域,且将不会再把资源分散在标准品市场,而是朝高附加价值市场深耕。

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