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PCIe 5.0 DRAM-less 主控 SM2524XT拥有 4 个 4800MT/s NAND 闪存通道,顺序性能超过 14GB/s、随机性能可达 2500K IOPS。

合资公司将结合双方资源与专业技术,并运用南亚科技的先进制程与产能,提供高附加价值、高效能、低功耗的客制化超高频宽内存解决方案,拓展AI边缘运算的多元应用商机。

闪迪宣布,已与SK海力士签署一项谅解备忘录,双方将共同制定高带宽闪存 (High Bandwidth Flash,HBF) 规范。通过此次合作,双方希望标准化规范、定义技术要求,并探索构建HBF的技术生态系统。

华邦电子董事会已通过投资40~50亿元在台中厂增设Flash产能,NOR Flash与SLC NAND年产能将提升超20%。其中SLC NAND因受eMMC产能排挤,市场供应紧张,未来成长空间可期。

三星近期已完成1c DRAM开发,并结束量产转移前的生产认可流程(PRA)。该产品将应用于以年底投产为目标的HBM4。

美国总统特朗普8月6日表示,美国将对进口半导体征收 100% 的关税,同时承诺对在美国境内建立或承诺建立制造业务的公司给予豁免。但特朗普未具体说明企业需要在美国投资多少才能获得关税豁免。

AMD CEO苏姿丰在财报电话会议上表示,受美国对中国实施先进芯片出口管制影响,以及产品转换至次世代MI350系列AI芯片,Q2的AI芯片营收呈现年减态势。AMD已于6月开始量产MI350系列AI芯片,预测产量将于今年下半大幅扩增。

消息人士称,英特尔通常要等到良率达70~80%时才能获利,对于Panther Lake这种尺寸较小、容错率偏低的芯片,这一点尤为重要。

该架构旨在满足生成式AI和高性能计算日益增长的需求,其32Kbit数据总线和单芯片高达512 Gbit的容量,带宽提升16倍,密度提升10倍,显著突破了传统HBM的局限性。

据闪迪介绍,UltraQLC™平台的关键特性之一是QLC直接写入技术,通过在首次写入时利用断电保护安全机制,消除对SLC缓存的依赖。此外,还可通过动态频率调节功能,在同等功耗水平下实现约10%的性能提升。

预计「50% 规则」将迫使制造商与出口商强化对客户与最终受益人的背景审查,增加出口许可申请量,同时也可能导致潜在交易流失。

华为与高通的授权合约早已到期,但双方新的许可谈判还未达成,因此特别强调,目前QTL的收入中还不包括来自华为的专利使用费。

三星电子在其最新业绩电话会议上表示,对于HBM3E产品,由于供给增加量超过需求增长率,预计供需将发生变化,预计这将暂时对市场价格产生影响。

MLC产品线因营收占比低,未揭露具体数据,但旺宏看好后续eMMC放量出货,将推升整体NAND营收状况。

此外,高通也希望打入数据中心市场,推广可应用于AI的芯片。 Amon在财报会议上表示,高通已与一家超大规模云端厂商展开深入洽谈,最快可望在2028 会计年度贡献营收。

股市快讯 更新于: 08-27 00:24,数据存在延时

存储原厂
三星电子70300KRW-1.68%
SK海力士261500KRW+0.77%
铠侠2433JPY+1.71%
美光科技117.740USD+1.13%
西部数据79.910USD+0.87%
闪迪47.770USD+2.12%
南亚科技47.45TWD+1.06%
华邦电子18.75TWD+1.90%
主控厂商
群联电子482.0TWD+0.52%
慧荣科技78.865USD+1.53%
联芸科技52.20CNY+0.08%
点序53.0TWD+1.92%
品牌/模组
江波龙98.71CNY+2.05%
希捷科技165.425USD+0.87%
宜鼎国际270.5TWD+9.96%
创见资讯98.5TWD+0.31%
威刚科技100.5TWD+1.72%
世迈科技24.550USD+0.33%
朗科科技28.47CNY+3.91%
佰维存储69.92CNY-0.31%
德明利98.27CNY-1.35%
大为股份18.75CNY-1.99%
封测厂商
华泰电子44.65TWD+1.94%
力成118.5TWD0.00%
长电科技38.99CNY-0.03%
日月光149.0TWD+0.34%
通富微电29.89CNY-0.43%
华天科技11.68CNY+2.46%