据韩媒thebell报道，SK海力士计划推迟对10nm级第六代DRAM（1c DRAM）的投资，目的是专注于需求可见度高、盈利能力强的高带宽存储器（HBM）的生产。

从HBM5开始，冷却技术将成为关键，通过3D异构集成和先进封装技术，将部分基础芯片（Base Die）移至HBM顶部。

据悉三星电子将从第五代HBM"HBM3E"开始应用飞秒激光。但由于设备刚启动导入，实际目标产品更可能是第六代"HBM4"。

对于未来业绩展望，郭鲁正表示：“今年和明年的业绩很难预测，但目前为止，一切进展都与计划相符，让我们共同努力，实现计划。”

美光曾计划到2030年代中期，通过爱达荷州博伊西和纽约州克莱镇的两大生产基地，将40%的DRAM产能转移至美国本土。但鉴于当前延误，能否如期执行该计划尚不明朗。

首批SOCAMM模块基于堆叠式 LPDDR5X 芯片，将用于英伟达即将推出的 AI 加速器平台 Rubin，该平台计划于明年发布。

这起诉讼引发的问题极其重要，因此法院有必要采取罕见措施，由11 名法官组成的法庭审理上诉，而不是原本由三名法官组成的合议庭审理。法院预定将于7月31日辩论。

干式PR在超精细工艺（如10纳米级别）中更具优势，可避免湿式PR因液体显影和剥离导致的图案变形问题，同时提高曝光精度，提高良率。

本次交易实施后，海光信息将承继及承接中科曙光的全部资产、业务、人才、研发成果及其他一切优势资源。基于此，海光信息将延展出与芯片紧密配套的下游业务矩阵，进一步增强海光高端芯片与整机系统间的生态协同。

十铨表示，尽管全球总体经济环境仍充满不确定性，其主要产品线仍持续稳定出货，其中，AI与工控应用需求稳定增长，主流DDR5市场也持续扩展。DDR4方面，公司已提前启动采购与备货规划，维持出货节奏与应用端需求接轨，强化整体竞争力与市场布局。