配备下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”，数据输入/输出速度最高可达3.2Gbps。

传输速度可达3.6GB/s，采用紧凑的11.5 毫米 x 13.5 毫米封装。

采用创新横向微缩技术，为4平面(Plane)的1Tb三层存储单元(TLC)和四层存储单元(QLC)，带来超过50%的位密度提

238层产品数据传输速度为每秒2.4Gb，比上一代提升了50%；与 176 层 NAND 相比，其整体生产力提高了 34%。

每引脚最大数据速率为9.2Gbps，最大带宽超过每秒1.18TB，最大容量为36GB。

凭借突破性的12层堆叠技术，三星36GB HBM3E 12H实现了50%的密度提升和53%的性能提升。

美光HBM3E功耗比竞争对手低30%，可提供超过1.2TB/s的带宽和卓越的能效。

可提供24GB容量，处理速度高达6.4Gbps，带宽达到 819GB/s。

采用5.0 x4接口, 符合NVMe?2.0规范，提供1TB、2TB、4TB、8TB四个版本可供选择。

采用美光G9 TLC NAND，连续读取速度为 14.5 GB/s，写入速度为 12.0 GB/s。

采用232层3D TLC NAND，PCIe Gen5接口，提供从3.2TB-30.72TB多种容量选择。

采用PCIe 5.0 x8接口技术，顺序读写速度分别高达14GB/s、12GB/s。

支持 1 个 x16 CXL 控制器，总带宽可达 64GB/s，总容量最高可达 512GB。

结合DDR5技术卓越的效能与增强的保护功能，确保在最严苛的数据中心环境中仍具备高度可靠性和稳定使用寿命。

与 DDR5 SODIMM 相比，LPCAMM2 的有功功率减少高达 58%，空间节省 64%。

基于32Gb单块DRAM芯片，在所有主流服务器平台上的速率均高达5,600 MT/s。

与上一代产品相比，三星10.7Gbps LPDDR5X性能提高了25%以上，容量提高了30%以上。

铠侠UFS 4.0产品将采用BiCS FLASH 3D闪存颗粒，最高传输速度可达4640MB/s， 并向下兼容 UFS 3.1。

美光UFS 4.0采用232层3D TLC NAND，共有三种容量选择256 GB、512 GB和1TB。

采用全新升级的晶栈2.0（Xtacking? 2.0）技术的TLC 3D闪存颗粒，设计和工艺得到进一步改良优化。