238层产品数据传输速度为每秒2.4Gb，比上一代提升了50%；与 176 层 NAND 相比，其整体生产力提高了 34%。

美光232 层 NAND拥有业界最快的 NAND I/O 速度 — 每秒 2.4 GB (GB/s)。

Micron 3D TLC B95A提供16GB-32GB多种容量选择，支持LDPC纠错。

Toshiba 3D QLC TGF23采用BGA封装，提供192GB存储容量选择。

SMARTsemi DDR可应用于医疗、工业机器人、通信、网络、家用娱乐/游戏电子和国防设备中，并支持工业宽温和商

五代双倍数据率同步动态随机存储器 带来以数据为中心的创新

SK海力士DDR5数据处理速率为5,600Mbps，未来目标是使用更高密度的DDR5实现超过6,400Mbps的更快速度。

与DDR4相比，美光DDR5提供高达2倍的内存带宽，满足现代数据中心CPU内核的加速增长。

D5-P5430 可以将典型对象存储解决方案的TCO降低多达 27%，存储密度提高1.5倍，能源成本降低18%。

美光6500 ION NVMe SSD采用美光232层闪存颗粒，具备QLC价值，TLC性能。

采用第七代V-NAND和自研主控，PCIe 4.0接口，可选256GB-2TB多种容量

采用176层3D TLC，PCIe Gen4接口，U.3 外形尺寸，提供6.4TB-30.72TB多种容量选择。

新型 DDR5 XMM CXL 模块是通过CXL接口增加缓存一致性内存，可提升服务器和数据中心的运算性能

带宽提高 2 倍，在上一代产品中，Crucial DDR5 Pro 支持更高水平的多任务处理和更快的处理速度

SMART Modular初期规划的DDR5模块产品系列包含16-64GB的 RDIMMs、UDIMMs及 SODIMMs。

SMART DuraMemory DDR5 VLP RDIMM适用于所有类型的高密度计算、存储、网络和电信应用。

采用全新升级的晶栈2.0（Xtacking? 2.0）技术的TLC 3D闪存颗粒，设计和工艺得到进一步改良优化。

广泛应用于便携设备的运行内存产品，提升性能的同时降低系统功耗。

集成了eMMC和LPDDR的复合产品，为穿戴式设备量身定做。对比eMCP产品厚度更薄、尺寸更小。

基于高性能控制器和新世代3D NAND Flash研发，满足对高性能、低功耗、兼容性和稳定性要求。