CFM闪存市场近日发布2025年Q3存储市场展望报告。报告指出，预计三季度，原厂Mobile NAND ASP以持平至低个位数上涨为主，LPDDR4X环比大幅上涨20%以上，LPDDR5X预计将出现中低个位数小幅上涨。

CFM Q3 Mobile市场存储产品价格环比幅度预测如下：

来源：CFM闪存市场，注：此价格为普遍报价，因供需双方还在谈判，Q2合约价还未正式落地，最终实际情况可能存在调整；同时因各供应商拟定基准价不同，最终幅度会有差异。

据CFM闪存市场最新预计，2025年全球智能手机出货量将同比基本持平约12亿台，将手机出货量下调至接近零增长的主要原因是，智能手机的市场渗透率已接近饱和。在全球地缘冲突、关税博弈和消费疲软的持续影响下，面临创新瓶颈的智能手机行业预计将进入较长时间的低增长期。

手机厂商尝试在AI生态、折叠屏技术和新兴市场扩张上实现新的突破。据CFM闪存市场数据显示，AI智能手机的渗透率将在2025年超过30%，并呈现快速增长的趋势，端侧AI大模型将成为智能手机的标配。当然，目前AI智能手机仍然缺乏杀手级应用，现阶段手机上的AI功能和用户需求之间存在一定差距，手机终端需要时间深耕应用场景，打通应用生态壁垒，让AI真正从技术亮点转化为必需体验。

存储配置上，随着AI手机渗透率大幅增长，和消费者换机周期延长的作用下，手机终端需要搭载更高容量的NAND和DRAM。据CFM闪存市场数据显示，预计2025年手机NAND平均容量达到224GB，DRAM平均容量超过8GB。NAND方面，搭载eMMC和UFS2.2的中低端机型仍然是出货主力，128GB及以下的eMMC/UFS2.2的供应以存储品牌模组厂商和国产厂商居多，256GB起步的高端机型更多地集中应用三星、SK海力士等原厂的UFS4.0/4.1。而随着原厂NAND制程升级，低容量NAND Flash产出减少，1Tb NAND Flash Wafer供应增加。同时，由于高端旗舰机型占比提升有限，UFS4.0/4.1整体供应充足。因此，反映在手机终端应用的嵌入式NAND产品上，呈现低容量嵌入式NAND供应整体趋于紧平衡，而256GB及以上UFS4.0供应充足价格压力较大。不过原厂出于坚定保利润的角度，对于嵌入式NAND价格让步空间预计将十分有限。

DRAM方面，LPDDR4X在手机中的需求占比仍然较大，在原厂产线切换后，预计手机LPDDR4X整体存在约15%~20%的供应缺口，尤其6GB及以下低容量LPDDR4X供应十分有限极为紧缺，推动三季度LPDDR4X合约出现20%以上的环比涨幅，并且逼近LPDDR5X的ASP。目前LPDDR5X整体供应较为充足，12GB LPDDR5X供应问题已经得到有效缓解，为替代供应紧张的200BALL LPDDR4X，手机厂商正在观望或验证独立的245BALL LPDDR5X模块，随着联发科等中低端SoC平台加大支持力度，下半年245BALL的LPDDR5X将逐渐起量。相较于HBM和DDR5市场，手机端LPDDR5X的盈利水平偏低，原厂倾向于提高LPDDR5X的定价和利润，结合传统旺季的备货需求增加，预计三季度，原厂LPDDR5X将录得中低个位数涨幅。