朱宪国指出，AI带动HBM等高阶存储产品需求强劲，使晶圆厂将产能转向HBM等高阶产品，排挤利基型DRAM产能，带动价格走扬；SLC NAND在韩厂减产下，第三季也有涨价；NOR Flash受惠AIoT应用需求增加，带动需求，价格同步上扬。

为了构建下一代数据中心，Arm还推出了一项新的“全面设计”计划。该计划支持企业基于 Arm IP快速开发定制半导体 (ASIC)。

目前，江波龙这项创新产品已完成开发、测试，并申请了国内外相关技术专利，处于量产爬坡阶段。

基于这一良率提升，三星电子正在加速1c DRAM的量产。三星电子平泽四号工厂（P4）目前正在安装半导体设备，将专注于生产1c DRAM。该生产线已进入建设的最后阶段。

据CFM闪存市场最新报价，1Tb QLC 涨 9.09% 至 $6.00，1Tb TLC 涨 8.06% 至 $6.70，512Gb TLC 涨 10.53% 至 $4.20，256Gb TLC 涨 6.25% 至 $3.40。

有供应链高层透露，此举并非简单的产能搬迁，而是一次涉及物料清单（BOM）层面的“激进”调整。

HBM4E拥有2048个引脚用于数据传输，换算成字节即可达到3.25TB/s。此外，三星电子表示，HBM4E的能效将是目前HBM3E的两倍以上。

多因素驱动下，四季度原厂将对Mobile NAND及LPDDR5X等产品进行调涨价格。而存储芯片这一关键硬件涨价带来的成本压力，在近期发布的部分旗舰手机定价上已有所体现。

据韩媒报道，FnGuide预估，SK海力士第三季度营收预期（分析师平均预测）为24.48万亿韩元，营业利润预计为11.15万亿韩元，分别比去年同期增长了39.3%和58.6%，将创下其有史以来最高的季度业绩。

SEMI分析称，增长动力来自先进逻辑工艺和高带宽存储器（HBM）需求增加，以及对亚洲地区出货量的增加。

甲骨文此举旨在减少对英伟达在先进AI芯片市场的依赖，并实现供应链多元化。

据韩国科学技术信息通信部最新数据显示，韩国9月信息通信技术（ICT）产品出口额为254.3亿美元，同比增长14%，创下历史最高纪录。

生成式人工智能(GenAI)的导入将在社会的许多其他层面创造智能、进而将GDP占比拉升至40%，相当于每年增加10兆美元的产值。