此外，三星还在研发速度更快的HBM4变体，目标是将性能提升40%，最早可能将于2026年2月中旬发布。

据业内人士透露，三星电子已将P5的投产日期定在2028年，但鉴于目前的筹备速度，投产日期可能会提前。由于人工智能（AI）的普及，半导体需求迅速增长，三星电子正在寻求快速确保产能。

其中，半导体出口额同比大增38.6%，为172.6亿美元，连续9个月保持增势，并刷新单月最高纪录。今年前11个月半导体累计出口额高达1526亿美元，已超越去年全年（1419亿美元）。

十铨科技目前库存仍稳定在约2-3个月的高水位，以保留支持重点客户与市场的弹性。

在C-HBM4E阶段，为实现将内存控制器集成于基础裸片，从而节省计算芯片面积等目标，台积电将推出基于N3P先进制程的基础裸片解决方案。据称，该方案可将能效提升至HBM3E基础裸片的约两倍。

兆易创新GD25NX系列提供64Mb和128Mb两种容量选择，支持TFBGA24 8x6mm (5x5 ball array)以及WLCSP (4x6 ball array)封装形式。

铁电材料无需通电即可实现正负电荷的极化，因此无需持续供电即可维持数据。作为一种速度更快、能效更高的半导体材料，铁电材料正备受关注。三星电子SAIT首次在全球范围内发现了一种关键机制，通过融合氧化物半导体和铁电结构，可将功耗降低96%。

在 GPU 和 CPU 中，核心是能够独立进行计算的基本单元。例如，四核 GPU 意味着有四个核心可以进行计算，核心越多，计算性能越好。将核心放置在HBM上，旨在将之前集中在GPU上的计算功能卸载到内存中，从而减少数据传输和 GPU 本身的负担。

累计2025年1-10月，日本芯片设备销售额达4.2万亿日圆、较去年同期大增17.5%，就历年同期来看，远超2024年的3.6万亿日圆，创下历史新高纪录。

对于利基型DRAM 内存市场，兆易创新初步预计涨价趋势在 2025Q4 和 2026Q1 有望得以延续，并在 2026Q2~Q4 维持相对较高的价格水平。