目前商业化的CXL 1.1和2.0版本基于内存模块（CMM）-D，三星提出的下一代CXL解决方案，是考虑将高速DRAM和大容量NAND结合起来的混合结构---CMM-Hybrid（H），在基于 DRAM 的模块中添加 NAND 的优势在于它可以增加存储容量。

HBM4是第六代高带宽存储器，与现有的HBM3E相比，数据传输速度提高约60%，功耗降低近30%，预计AI和高性能计算（HPC）市场的需求将激增。TSV（硅通孔）接口数量增加到2048个，是HBM3E的两倍。HBM4最多支持16层，每个DRAM的容量也从24Gb扩展到32Gb。

Zinsner进一步表示，英特尔晶圆代工事业将于2027年某个时间点达到损益平衡，但这需要来自外部客户的数十亿美元营收才能达标。

当地时间13日，美国商务部宣布撤销拜登政府的《人工智能扩散规则》，同时宣布将采取更多措施加强全球半导体出口管制。

美国将（一）修改2025年4月2日第14257号行政令中规定的对中国商品（包括香港特别行政区和澳门特别行政区商品）加征的从价关税，其中，24%的关税在初始的90天内暂停实施，同时保留按该行政令的规定对这些商品加征剩余10%的关税；（二）取消根据2025年4月8日第14259号行政令和2025年4月9日第14266号行政令对这些商品的加征关税。

尽管C86-5G的PCIe 5.0的通道数量尚未披露，但上一代C86-4G拥有128条PCIe 5.0通道，已经与以及AMD第四代EPYC 7004（代号Genoa）芯片相同，此外C86-5G还支持Compute Express Link 2.0（CXL 2.0）技术。

上月，存储芯片相关产业链中长江存储母公司长空集团、康芯微等企业也顺利完成融资。

按出口目的地划分，5月上旬韩国对美国的出口额同比大跌30.4%，至19.9亿美元，这可能是美国对汽车和其他关键商品加征新关税的结果；韩国对最大贸易伙伴中国大陆地区的出口额也同比下降20.1%，至28.1亿美元。

联发科执行长蔡力行指出，全球供应链整体库存水位仍属健康，尽管贸易谈判仍在发展，尚未观察客户有大幅修正订单的行为，将密切关注形势，与全球伙伴协力应对潜在影响。

在业绩会议上，中芯国际联合CEO赵海军也表示，与此前预计今年智能手机、电脑都会有很大成长的表现不同，客户备货目标或向下调整，对代工行业形成价格下行压力。

消息称苹果正在扩大自研芯片布局，开发重点包括智能眼镜、AI服务器、新一代Mac与穿戴设备等，进一步强化其在AI 时代的硬件基础。

NAND设备销售额的大幅增长被解读为“技术迁移”的结果。技术迁移是将旧工艺线转换为新工艺以生产尖端NAND，这需要引进和安装新设备，TEL设备的供应预计将扩大。