编辑:Andy 发布:2025-07-01 17:22
据韩媒引述业内人士消息,三星电子已完成D1c DRAM“生产准备批准(PRA)”,即量产审批流程。在完成设计等开发流程,并达到目标性能和一定良率后,将转入量产。
自去年全永铉就任DS部门负责人以来,三星电子开始检验DRAM竞争力,并改进整体设计。D1c DRAM也经历了设计变更,并于近期确保了目标性能和有意义的良率。据悉,为提高良率,还采用了“干光刻胶(PR)”等新材料和技术。
三星电子预计将通过逐步提高D1c的生产比例,同时降低上一代产品的比例,来确保稳定的量产良率。通常,量产转移后的初始良率约为50%,而达到80%-90%的稳定良率大约需要6个月的时间。
三星电子计划在D1c DRAM生产之外,继续进行转换投资。报道称,三星电子已与其材料、零部件和设备合作伙伴就投资D1c DRAM量产线展开洽谈。
此前有报道称,三星电子已制定计划在韩国华城工厂建设1c DRAM生产线,预计该项投资最早将于今年年底完成。此前,三星电子在平泽第四园区(P4)建设第一条1c DRAM量产线,规划产能为每月3万片。
三星电子1c DRAM将搭载在HBM4上,在下一代存储器业务中具有非常重要的意义。三星电子近期已向AMD供应12层HBM3E,并正在探索向英伟达供应。三星电子还正在与多家客户合作开发定制产品HBM4。三星电子预计,HBM4 将从明年开始为销售额做出贡献。
存储原厂 |
三星电子 | 66000 | KRW | -2.65% |
SK海力士 | 268500 | KRW | -1.47% |
铠侠 | 2398 | JPY | +1.91% |
美光科技 | 113.230 | USD | -1.01% |
西部数据 | 68.740 | USD | +1.09% |
闪迪 | 41.610 | USD | -1.37% |
南亚科技 | 40.55 | TWD | -3.34% |
华邦电子 | 17.15 | TWD | -1.44% |
主控厂商 |
群联电子 | 498.0 | TWD | -1.78% |
慧荣科技 | 74.670 | USD | +1.84% |
联芸科技 | 41.90 | CNY | -0.26% |
点序 | 51.2 | TWD | -3.94% |
品牌/模组 |
江波龙 | 81.21 | CNY | -0.21% |
希捷科技 | 149.630 | USD | +0.37% |
宜鼎国际 | 221.5 | TWD | -2.21% |
创见资讯 | 88.8 | TWD | -1.66% |
威刚科技 | 89.2 | TWD | -2.19% |
世迈科技 | 24.575 | USD | +0.59% |
朗科科技 | 24.49 | CNY | -0.53% |
佰维存储 | 63.22 | CNY | -1.10% |
德明利 | 79.13 | CNY | -3.15% |
大为股份 | 16.80 | CNY | -1.52% |
封测厂商 |
华泰电子 | 37.35 | TWD | -1.71% |
力成 | 137.0 | TWD | -1.44% |
长电科技 | 34.25 | CNY | +0.53% |
日月光 | 151.0 | TWD | -0.98% |
通富微电 | 26.00 | CNY | +0.62% |
华天科技 | 10.00 | CNY | +0.10% |
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