长鑫科技副总裁骆晓东在演讲中指出,受全球算力需求激增影响,超级周期正在进入一个全新的“分层时代”。这种分层首先体现在细分市场的增长分化上:服务器市场需求占比已超50%,优先流向AI大模型、智算中心等高价值场景;汽车市场预计到2030年复合增速约30%;手机、PC等消费电子市场AI功能渗透加快,但仍具明显的周期波动特征。
进入该厂商主页
对车规级存储而言,性能与容量必须建立在可靠品质之上。长鑫最新的车规级LPDDR5X内存产品已通过AEC-Q100 Grade 2等权威认证,并获得 ISO 26262 ASIL D 产品功能安全认证,相关管理体系涵盖 ISO 9001、IATF 16949 及 QC 080000,为产品开发、制造与质量管理提供系统保障。
进入该厂商主页
长鑫科技发布2026年第三季度报告:营业收入1187.14亿元,同比增长613.18%,环比增长19.3%;归母净利润544.35亿元,环比增长约3.01%;扣非归母净利润552.37亿元,环比增长约5.31%;实现净利润约889.83亿元,环比增长约19.38%;毛利率为89.53%,较上季度增长约1.94个百分点。
进入该厂商主页
大普微2026年第三季度业绩延续高增长态势。单季实现营业收入51.13亿元,同比增长891.31%,环比增长49.83%;归母净利润12.09亿元,同比增长1492.71%,环比增长25.44%;扣非净利润12.09亿元,同比增长1479.45%;基本每股收益2.77元。
进入该厂商主页
公告显示,该季度营收保持高增主要受益于国内存储产业链、AIoT市场结构性需求回暖,数据存储主控芯片、AIoT信号处理及传输芯片出货量持续提升;持续扩充产品矩阵,深化与头部客户合作,PCIe全系列、企业级、UFS等主控产品订单延续放量。归母净利润转亏,主要由于联芸科技通过战略配售持有的股份于本报告期确认了大额公允价值变动损失影响。
进入该厂商主页
2026年前三季度,江波龙实现营业收入387.18亿元,同比增长131.37%;归属于上市公司股东的净利润143.22亿元,同比增长1909.68%;扣非净利润142.10亿元,同比增长2867.95%。
进入该厂商主页
慧荣科技公布2026年第三季财报。报告期内 ,公司实现营收达5.6亿美元,连续4季创历史新高,环比增长24%,同比增长131%;Non-GAAP净利润1.49亿美元,环比增长79.4%,同比增长341%。从三大产品线来看,Ferri及企业级启动盘解决方案成长最为强劲,第三季营收环比增长75%至80%,同比增长高达2,580%至2,585%;SSD主控芯片营收环比增长20%至25%、年增55%至60%;嵌入式eMMC及UFS主控芯片营收虽环比减少10%至15%,但仍较去年同期成长35%至40%。
进入该厂商主页
佰维存储发布 2026 年第三季度报告。报告显示,其前三季度营收、利润实现高速增长,期末存货规模升至 240.53 亿元,前三季度计提资产减值损失和信用减值损失合计 1.28 亿元。
进入该厂商主页
SK海力士认为供给端未能跟上市场增长速度。由于先进制程技术难度不断提升,且新建生产设施耗时较长,预计到2030年为止,供不应求的格局将持续。
进入该厂商主页
德明利Q3单季营收116.45亿元,较Q2的93.72亿元环比增长约24.3%;归母净利润27.29亿元,较Q2的26.71亿元环比增长约2%。从环比变化看,Q3营收增幅较为明显,但净利润增幅较小,单季盈利规模较Q2基本持平。
进入该厂商主页
美光桃园厂区工会则因利润分享等诉求尚未取得具体回应,宣布由11位工会干部自10月22日上午9时至23日上午9时,在桃园公司门口进行24小时罢工。后续协商进展及实际参与范围,将是观察生产与供货影响的重点。
进入该厂商主页
针对尚未解决的其他劳资议题,美光与工会均期盼各方能通过理性对话和协商,以最大诚意寻求双赢方案,达成共识。
进入该厂商主页
由此推算,第三季度长鑫科技实现营业收入1146.9亿元至1196.9亿元,同比增长589%-619%,环比增长15.3%-20.3%;实现归属于上市公司股东的净利润533.95亿元至548.95亿元,同比扭亏为盈(去年同期亏损29.48亿元),环比增长1.0%-3.9%。
进入该厂商主页
德明利第三季度实现营业收入105.89亿元至125.89亿元,环比增长13%至34.33%;实现归属于上市公司股东的净利润26.33亿元至29.33亿元,环比增长-1.42%至9.81%,盈利能力保持在历史较高水平。
进入该厂商主页
SK海力士研究团队专注于模拟内存计算(一种将数据存储和计算相结合的架构),并提出了一种基于3D FeNAND的方案,该方案对单元、非单元和页面方案进行了协同优化。该研究成果已发表在IEEE的一篇论文中。据介绍,SK海力士的研究团队发现,3D FeNAND在以更低的功耗精确控制多个电流级别方面优于传统的3D CTN NAND,是一种非常适合模拟存内计算(A-CiM)的存储架构。在相同的芯片面积限制下,其吞吐量比传统3D阵列高出约10到20倍,能效高出约4000到5000倍。
进入该厂商主页