华邦电子总经理陈沛铭预期，本季DRAM价格将继续上扬，Flash产品有望同步调涨，对下半年营运持乐观态度。

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SK海力士之所以选择在清州建设新的NAND闪存生产基地，是因为能够加快新晶圆厂的建设。清州园区已建成M11、M12、M15 NAND闪存生产设施，新建晶圆厂可与现有产线协同增效；同时厂址、电力及用水等基础设施也已基本就绪。清州M17晶圆厂总建筑面积约20.6万坪（约68万平方米），计划明年2月开工，2028年12月启用首个无尘室。投资期将持续至2031年4月，并将根据业务进度分阶段实施。

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从下游需求端来看，尽管4月和5月渠道市场需求相对疲弱，但自6月下旬起，渠道库存已恢复至健康水位。进入7月和8月，市场需求持续回升，OEM及品牌渠道拉货同步增温。威刚表示，第三季度的营运表现将优于第二季度，整体业绩有望持续攀高。

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CoreWeave 与 Solidigm 建立了这项多年期协议，以确保在企业加速采用人工智能以及整个行业存储供应日益紧张的情况下，能够优先分配资源。

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江波龙以“端侧AI 存储聚变”为参展主题，聚焦AI BOX智能体主机、AI PC个人终端、AI Mobile移动嵌入式三大核心端侧AI应用场景，全方位展示端侧AI存储全新落地形态与商业化能力。

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此次发布的新一代QLC 3D，核心亮点在于应用了革命性的“CMOS直接键合至阵列”（CBA）技术。该技术通过在独立的晶圆上分别制造CMOS逻辑电路与存储阵列，随后利用高精度晶圆对晶圆对准工艺将两者键合在一起。得益于这一架构创新，新一代3D闪存的读写带宽较第八代产品获得显著提升，并成为业界首款接口速率达到4.8 Gb/s的QLC 3D闪存技术。

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Bravera SC6 集成了硬件 RAID 引擎和先进的 LDPC 纠错引擎，并内置了 Marvell 第六代 NANDEdge 技术。它拥有 16 个 3600MT/s 的 NAND 闪存通道，每个通道支持 8 个 CE，兼容来自多家原厂的不同类型闪存（包括 SLC、MLC、TLC 和 QLC）。

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三星电子在美国圣克拉拉举行的2026年未来存储与内存大会(FMS)上，公布其最新的AI内存产品组合和技术路线，展示业界首款zHBM、zNAND-O概念产品、400层以上V10BV-NAND，以及一系列旨在推进未来AI基础设施发展的综合解决方案。

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KIOXIA GP1系列利用了第二代XL-FLASH低延迟、高性能闪存的优势。与传统的基于TLC的SSD相比，该产品不仅能提供显著更高的IOPS和更低的单次I/O功耗，还能实现更细粒度的512字节数据访问。此外，其架构具备良好的可扩展性，在实现当前1000万随机读取IOPS的基础上，未来几代产品将向最高1亿IOPS的目标迈进。

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德明利围绕服务器带宽升级、平台兼容及稳定运行需求，推出企业级TR510C/TR520C系列DDR5 RDIMM产品，满足多元算力节点部署需求。

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此次发布的标准规范，是继SK海力士去年8月与闪迪启动HBF标准化合作，并于今年2月成立联盟后，历时约6个月推出的首项成果。该规范定义了两种容量配置，分别采用8层和16层NAND芯片堆叠，最高支持512GB容量；并按三个等级（Grade 1~3）设定带宽标准，数据传输能力覆盖约0.4TB/s至3.0TB/s。

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aigo PL 系列存储新品预计 8 月登陆各大电商平台正式开售。这款拥有苹果官方认证的外接存储产品，一站式化解苹果用户本地容量不足、云端存储成本高、非合规配件风险、高清素材留存难等困扰，为苹果生态用户提供全新的存储升级方案。

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铠侠第九代 BiCS FLASH™ 1Tb TLC采用基于第八代 BiCS FLASH™ 技术和先进 CMOS 工艺的 230 层堆叠工艺开发，其 NAND 接口速度高达4.8Gb/s，比第八代提升了33%，性能与第十代产品相当。

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苟嘉章进一步表示：“基于当前订单可见度和客户需求预测，我们预计今年下半年将保持强劲的收入增长。尽管当前NAND的定价和供应条件对许多消费级业务构成挑战，但公司的整体竞争优势和发展前景前所未有地强大。我们正朝着公司历史上最高的年收入迈进，预计全年收入增长超过100%。我们新推出的企业级/AI基础设施产品仍处于实施初期阶段，未来具有显著增长潜力。”

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7月29日晚间，长江存储针对近期个别网络用户及自媒体账号捏造、散布和传播关于公司专利诉讼及资本市场的虚假信息作出声明。

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