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技术团队表示:“搭载本产品的服务器与采用32Gb 128GB产品时相比,推理性能提高了16%。通过利用32Gb DRAM单芯片设计,其功耗较1a 16Gb 256GB产品降低约18%。”

铠侠推出全新 EXCERIA G3 系列QLC SSD

发布于:2025-12-17 来源:网络

铠侠即将推出 EXCERIA G3 SSD 系列,采用BiCS FLASH™ 第八代 QLC 闪存,PCIe Gen5x4接口,顺序读取速度高达 10,000 MB/s,写入速度高达 9,600 MB/s,容量最高可达 2TB。

铠侠宣布,其研发出的高度可堆叠氧化物-半导体沟道晶体管将使高密度、低功耗3D DRAM的实际应用成为可能。该技术有望降低包括人工智能服务器和物联网组件在内的众多应用领域的功耗。

群联目前仍握有成本相对较低的库存,将成为未来出货与获利扩增的基础。随着AI带动云端存储量急增,而NAND原厂扩产依旧保守,供需紧俏将持续支撑报价与营运表现。

消息称铠侠2026年开始生产332层NAND Flash

发布于:2025-12-11 来源:网络

据日媒报道称,为抢攻AI数据中心需求,铠侠将在2026年利用岩手北上工厂开始生产第10代的NAND Flash,其堆叠数从现行第8代的218层增加至332层。

按产品线来看,威刚11月DRAM占整体营收比重拉升至64.98%,SSD占比为23.45%,存储卡、U盘与其他产品为11.57%。

华邦电子称,已有客户表达希望签订长达六年的供应合约,以提前锁定产能供应。

SK海力士荣获全球半导体联盟2025年度两项大奖

发布于:2025-12-07 来源:SK海力士

SK海力士继2017年后再度获得“最佳财务管理半导体公司奖”,并首次斩获“亚太杰出半导体企业奖”。这次双重荣誉彰显了SK海力士作为全球半导体产业标杆企业的地位。

力成:11月营收创40个月高点

发布于:2025-12-05 来源:网络

力成看好第4季AI应用带动DRAM封测需求,先进逻辑封测续扩产能成长可期。

SK海力士完成组织架构重组,成立专门的HBM技术部门

发布于:2025-12-05 来源:SK海力士

为确保为HBM主要客户提供及时的技术支持,SK海力士正在美洲地区建立专门的HBM技术部门。此外,为了快速响应不断增长的定制HBM市场,SK海力士还成立了专门负责HBM封装良率和质量的独立部门。至此,SK海力士构建了...

股市快讯 更新于: 12-18 12:19,数据存在延时

存储原厂
三星电子105900KRW-1.85%
SK海力士552000KRW+0.18%
铠侠9333JPY+0.35%
美光科技225.520USD-3.01%
西部数据166.260USD-4.76%
闪迪206.830USD-1.18%
南亚科技167.5TWD+1.82%
华邦电子74.7TWD+1.08%
主控厂商
群联电子1075TWD-1.83%
慧荣科技84.540USD-1.12%
联芸科技44.84CNY+0.02%
点序66.6TWD-2.06%
品牌/模组
江波龙255.87CNY+1.83%
希捷科技277.650USD-3.64%
宜鼎国际492.5TWD-2.09%
创见资讯183.0TWD+1.39%
威刚科技194.0TWD-1.27%
世迈科技19.670USD-0.10%
朗科科技25.91CNY+1.37%
佰维存储112.99CNY+1.73%
德明利203.63CNY-0.37%
大为股份26.23CNY+4.05%
封测厂商
华泰电子51.8TWD+0.39%
力成160.5TWD-0.93%
长电科技35.86CNY-0.19%
日月光220.0TWD-3.72%
通富微电35.97CNY-0.88%
华天科技10.73CNY0.00%