江波龙于COMPUTEX 2026重点推出两款为端侧AI推理打造的专用内存产品，精准匹配AI模型在各类场景下的部署需求。

AIDIMM™：单条稳定承载70B+端侧AI大模型

AIDIMM™凭借最高128GB容量、256bit位宽、307.2GB/s单通道超高带宽及紧凑体积，有效解决当前智能体主机普遍存在的内存容量不足、算力任务卡顿、散热困难、升级不便等核心难题。该产品采用4颗LPDDR5x同面布局设计，布线简洁，搭载的高速率、高密度、高针脚数连接器可适配主流智能体主机的主板架构，无需对现有硬件进行大幅改造，从而降低客户硬件升级成本。

AILPBGA™：兼容LPDDR接口的高带宽内存芯片

AILPBGA™聚焦对紧凑体积有要求的嵌入式AI推理场景，同时具备“高效益、高适配、低功耗”的核心优势。产品采用自研技术标准与创新架构，单颗原生256bit位宽设计，带宽可达307GB/s，容量覆盖24GB~64GB，全面适配LPDDR接口；同时采用22×22mm的紧凑封装设计，体积小巧、集成度高，可灵活适配AI推理、中轻量模型部署等紧凑型终端。

联发科在COMPUTEX 2026期间举行的高盛日活动上，宣布其下一代芯片将仅采用英特尔的EMIB-T先进封装技术，不再使用台积电的CoWoS方案。联发科透露，该项目的流片（tape-out）目标定于2026年第四季度，并计划在2027年第四季度进入量产阶段。尽管目前尚不清楚这一项目具体涵盖哪些芯片，但业内普遍认为会涉及定制AI芯片和CPU。

群联执行长潘健成近日在采访中表示，随着AI数据中心持续出货、AI PC逐步落地，数据生成量将大幅增加，存储需求将持续扩大。目前产业最大问题已不是需求，而是供给远追不上Token和数据量成长。他指出，虽然各大原厂都在增加产能，希望每个月都有新产出，但新增产能仍远无法满足Token 需求成长，预计明年存储缺货情况将比今年更严重。

当地时间6月2日，美股三大股指全线收涨。截至收盘，道琼斯工业指数涨幅为0.45%，报51307.79点；标普500指数涨幅为0.13%，报7609.78点；纳斯达克综合指数涨0.03%，报27093.90点。其中，大型科技股表现分化，高通涨超5%，AMD、苹果涨超2%，微软跌超4%，谷歌A、谷歌均跌超3%，亚马逊跌超1%，英伟达跌0.69%；存储板块涨跌不一，西部数据涨超3%，美光涨超2%，希捷涨0.58%，闪迪跌超2%。

Arm首席执行官Rene Haas当地时间6月2日表示，由于人工智能热潮带来的需求强于预期，公司可能会比预期的本十年末更早实现自主芯片销售额150亿美元的目标。Meta Platforms将成为Arm的AGI CPU芯片的首个主要客户。

英伟达宣布，NVIDIA Vera Rubin 平台正在全面投产，为全球智能AI工厂提供动力。来自NVIDIA供应链生态系统、遍布30个国家/地区的350多家（仅台湾就有150家）合作伙伴参与了Vera Rubin的生产。此外，据韩媒报道，黄仁勋在NVIDIA GTC台北大会表示Vera Rubin采用台积电的3纳米工艺和2.5D封装，搭载了美光、SK海力士和三星电子生产的HBM4显存。

Arm 首席执行官Rene Haas近日表示，包括高带宽存储芯片、DRAM 和 NAND 在内的各类存储芯片供需平衡都很紧张，未来一段时间内整体供应仍将保持紧张。由于此前下行时期产能扩张不足，存储芯片仍然是最难解决的瓶颈问题。

腾讯云宣布，智能体开发平台将于北京时间2026年6月3日00:00对DeepSeek-V4系列模型价格进行下调，最高降幅达97.5%。本次调整仅涉及价格变更，模型服务能力保持不变。

铠侠计划在2026至2028财年年均研发投入2300亿日元（约合14.4亿美元），年均资本开支4700亿日元（约合29.4亿美元）。此外，铠侠考虑从下一个财年开始发放股息，也可能更早启动。

SK集团董事长表示，集团计划在未来五年内将内存产能扩大一倍。SK集团会长崔泰源表示，存储芯片产能瓶颈问题可能会持续到2030年。

据韩媒援引业内人士消息，三星电子的晶圆代工部门正在与包括比亚迪在内的中国主要汽车制造商洽谈自动驾驶系统芯片（SoC）合同。据悉，三星电子正与比亚迪和其他主要汽车制造商就2纳米和4纳米工艺的订单进行洽谈。如果交易最终达成，除了现有客户蔚来汽车（已采用三星5纳米工艺生产自动驾驶芯片）之外，更多中国大型汽车制造商也将加入三星的客户行列。

韩国产业通商资源部最新表示，韩国政府将简化极紫外光刻（EUV）设备的进口程序。此举旨在帮助韩国蓬勃发展的芯片产业保持其制造竞争力。根据韩国内阁批准的《高压气体安全管理法》修订实施细则，EUV设备的进口时间预计从目前的34天缩短至约9天。

据韩媒报道，三星电子在2026年台北国际电脑展（Computex 2026）上首次公开了其第八代高带宽内存（HBM5）的实体模型。三星电子首席技术官宋载赫表示，HBM4和HBM5之间最大的区别在于核心芯片的工艺。HBM4应用了最先进的1c DRAM，并通过重新设计和完善工艺不断提升性能、良率和质量。而对于HBM5，三星正准备引入先进的2nm工艺来优化基础芯片。从展出的模型来看，HBM5与前代产品HBM4E最大的区别在于采用了HPB结构。HPB是一种旨在解决散热问题的技术，其结构本身就像一个物理通道，可以将热量排出到外部。

英伟达CEO黄仁勋表示，我们有足够的供应来实现非常强劲的增长，但的确仍然存在供应限制。黄仁勋还表示，公司的Vera CPU将比其GPU更受欢迎，因为Vera CPU在处理信息方面起着至关重要的作用，Vera CPU将成为我们新的主要增长动力。

谷歌母公司 Alphabet美国当地时间昨日宣布进行共计 800 亿美元的大额股权融资，所得将用于投资 AI 基础设施与算力建设等。该企业此前曾表示，2026 年的资本支出将达 1800~1900 亿美元，2027 年的资本支出规模还将显著提升。

北方华创今日发布全新 12 英寸气体团簇离子束（GCIB）刻蚀设备 Acme Glaion130。该设备突破三大核心技术瓶颈，覆盖先进逻辑、存储、封装、硅光芯片及 AR / VR 应用场景。与传统工艺相比，团簇离子束刻蚀精度为纳米级，方向性更佳，可实现近零损伤加工；几乎适配所有材料，工艺灵活性更高，能完成晶圆局部定点精修、任意角度刻蚀等复杂需求。

群联在COMPUTEX 2026宣布与Intel合作，将Pascari aiDAPTIV内存延伸技术导入Intel AI PC平台，突破传统PC受限于DRAM容量的瓶颈，让AI PC可在地端执行更大型MoE模型及代理式AI应用。群联表示，aiDAPTIV透过高效能NAND Flash与DRAM协同运作，建立新型AI记忆体架构，降低大型模型对系统存储容量的需求。根据内部测试，搭载aiDAPTIV的系统仅需16GB DRAM，即可执行260亿（26B）参数AI模型；若未采用该技术，则需32GB DRAM才能完成相同工作负载。

当地时间6月1日，美股三大股指全线收涨。截至收盘，道琼斯工业指数涨幅0.09%，报51078.88点；标普500指数涨0.26%，报7599.96点；纳斯达克综合指数涨0.42%，报27086.81点。其中，大型科技股表现分化，英伟达涨超6%，微软涨超2%，高通跌超8%，亚马逊跌超3%，AMD、谷歌A、谷歌、苹果均跌超1%；存储板块集体收涨，美光涨超6%，希捷涨超4%，闪迪涨超3%，西部数据涨超2%。

高通总裁兼首席执行官 Cristiano Amon宣布推出数据中心品牌 Dragonfly，更多细节将在本月24 日的年度投资者日中揭晓。

韩国当地时间6月1日上午，SK海力士韩国清州第四园区发生气体室火灾，并伴随有毒气体氟化氢（HF）泄漏。现场泄漏浓度约为5ppm，超出安全标准。事故造成至少7人送医治疗，厂区约3600名员工一度被紧急疏散。SK海力士官方回应称，火势已被自动喷淋系统迅速控制，工厂的生产设备运行未受影响，不会使生产中断；目前SK海力士正在调查事故发生的确切原因。