三星电子与博通推进12层HBM3E供应，预计供应量达10亿Gb

据韩媒报道，三星电子近期已完成与博通就12层HBM3E产品的质量测试，正就量产供应展开磋商。当前协商的供应量按容量计算约为10亿Gb级别左右，量产时间预计最早从今年下半年延续至明年。

虽然这一规模在HBM年度市场占比不大，但对于亟需稳固HBM需求的三星电子具有战略意义。三星此前设定目标，计划将今年HBM总供应量扩大至上年两倍的80-90亿Gb水平。

该批HBM将搭载于全球科技企业的下一代AI芯片。目前博通凭借自有半导体设计能力，正为谷歌代工第七代TPU"Ironwood"及Meta自研AI芯片"MTIA v3"。

此外，三星电子也积极推进向亚马逊云服务（AWS）供应HBM3E 12层产品，近期已在平泽园区启动实地审核（Audit）。AWS计划明年量产搭载该存储器的下一代AI芯片"Trainium 3"。

全球科技企业掀起的ASIC自研热潮，为三星电子扭转HBM业务颓势提供了契机。三星原计划去年下半年向英伟达交付HBM3E 12层产品，但因性能与稳定性问题导致量产延误。虽通过重新设计核心die（第四代10纳米级）DRAM推进二次供应，但原定今年6月完成的交付计划已确认落空，业界预计最快9月方能实现供货。

报道称，受此影响，三星电子目前正下调P1、P3产线中HBM3E 12层产品的稼动率。分析指出，唯有在下半年实现对英伟达的稳定供应，并持续拓展ASIC客户群，方能消除HBM业务的不确定性。