南亚科技公布2026年8月自结合并营收达446.9亿元(新台币,下同),环比增长1.88%,同比增长560.85%,续创单月营收历史新高;累计1-8月营收达2,201.94亿元,较去年同期大幅成长638.19%,营运动能持续升温。

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美国商务部长霍华德・卢特尼克近日接受采访时表示,特朗普政府正在制定半导体关税框架,相关关税即将落地。

据媒体报道,美光正探索开发高耐久性NAND闪存模块的方案,研究如何将NAND闪存更靠近GPU,以处理那些不需要传统HBM或常规DRAM模块那样高延迟和高带宽的工作负载。这种架构目前被称为“近GPU NAND”(Near-GPU NAND),旨在兼顾密度和耐久性。该方案允许GPU访问密度低于传统TLC或QLC NAND的NAND闪存池,但重点在于提升I/O速度、带宽和读取速度。该技术将使GPU能够直接访问数百GB的潜在存储池,LLM将不再受限于内存。

据媒体报道,英伟达已重新启动此前搁置的Rubin CPX项目,预计于明年一季度投产。相较于先前设计,新版CPX大幅强化预填充(prefill)效能,并对其规格和机架架构作出重大改动。DRAM规格由原来采用128GB GDDR7改为采用168GB HBM4,机架改用独立MGX ETL设计,客户可选64/128/192/256颗GPU配置,每64颗构成一个机架模组,由八个运算托盘(各含8颗CPX)与一个交换托盘组成。

Cherian直言,对于云服务商而言,若投入数十亿美元建设的AI处理器因等待内存带宽而闲置,等同于大量算力资本开支被浪费。因此,Google现阶段关注的核心不仅是内存价格,还有能否获得足够的内存,让昂贵的AI芯片持续保持高负荷运转。

三星将技术方向凝练为CUBE战略——Capacity(容量)、Utilization(优化)、Bandwidth(带宽)、Efficiency(功耗与散热效率),通过3D结构创新同步突破容量、带宽与能效瓶颈,产品线从通用DRAM、NAND扩展至HBM、企业级SSD及下一代zHBM、zNAND-O,形成覆盖AI内存全场景的产品矩阵。

尽管AI基础设施需求强劲,但供应链仍是戴尔释放业绩的最大约束。戴尔管理层表示,DRAM和NAND仍是主要瓶颈,先进制程相关产品也普遍面临供应限制。随着AI服务器、传统服务器和存储业务同步扩张,关键零部件供应能力将直接影响订单交付和收入确认节奏。

兆易创新9月1日召开2026年半年度业绩说明会。DRAM方面,公司预计DRAM产品在下半年还会延续上涨的态势,价格会转为温和上行。展望2027年,DRAM行业增量产能释放相对有限,DRAM供应的紧张局面不会明显缓解,行业景气周期相对较长,产品价格预计呈高位震荡态势。NAND方面,公司预计NOR Flash产品价格温和上涨预计仍将持续一段时间,其中大容量产品价格涨幅相对明显;SLC NAND Flash供应短缺目前仍未出现显著缓解,公司预计其景气周期至少延续至2027年全年。

三季度已然过半,原本传统消费电子的旺季却呈现出“旺季不旺”的景象,主要是由于前期伴随着存储涨价,需求端已进行近半年的积极备货,而二季度以来,各应用终端局部开始按下备货刹车键,尤其Q3市场显得分外冷清,甚至不时有抛货、退货、延迟提货的声音出现。

受上游供应链成本持续上涨影响,国内多家手机厂商于9月1日同步上调在售机型售价,调价覆盖中高端、中端多个主流价位段,旗舰机型涨价力度尤为突出。

V10 是三星最新的 3D NAND 闪存,专为满足人工智能时代对高性能、高容量和节能存储日益增长的需求而开发。基于三星的3D Bonded-VNAND架构,V10拥有超过400条字线(WL)。相比上一代产品V9,V10的位密度提升超过58%,数据I/O速度超过4.8Gbps,性能提升超过33%,同时功耗降低超过25%。三星电子计划将V10用于支持容量高达128 TB的超高容量SSD以及下一代 PCIe 7.0 SSD。

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长鑫存储成为继小米、中微、禾赛、药明康德、阿里巴巴、长江存储之后,第7家对美方"中国涉军企业"清单发起法律反击的中国企业。

按季度看,德明利第二季度营收93.72亿元,同比增长228.04%,环比增长24.33%;归母净利润26.71亿元,同比增长55.67倍,环比减少20.18%;扣非净利润26.32亿元,同比增长56.54倍,环比减少21.04%。

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产品结构上,上半年 DDR 系列营收 694.7 亿元,营收占比由 2025 年 31.87% 提升至 46.22%;LPDDR 系列营收 781.9 亿元,占总营收 52%。其自研 LPDDR6 峰值速率 12800Mbps,最高容量 16GB,目前已向核心客户送样验证,推进量产。

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由于供应正转向以需求为导向的定制化模式,即便下行周期到来,也不会像过去那样出现严重的供过于求问题。郭鲁正表示:"即便下行期到来,需求也不会急剧萎缩,而是趋于放缓或维持在计划水平。因此,我对2030年之后的前景并不担忧。"

在HBC的制造环节,高通仅负责设计和系统集成,开发位于DRAM芯片下方的计算裸片,并提供TSV设计方案。三星电子和SK海力士则负责DRAM的堆叠工作。高通计划与台积电合作,完成各项技术的集成与封装。

总投资额将超过40亿美元的印第安纳晶圆厂,预计于2028年10月完成无尘室 (Cleanroom)建设,并于2029年下半年启动新一代HBM量产。未来随着生产全面步入正轨,该基地有望发展成为拥有1000余名员工的美国核心HBM生产基地。

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管理层进一步补充,目前存储器价格涨幅已经超出原先预期,明年价格或继续上行,供应紧张可能持续到FY2028(2027年2月-2028年1月)。HBM、高性能 DRAM 已经从 AI 产业链的配套环节,升级为算力扩张的核心瓶颈。

此外,铠侠宣布,已正式启动位于日本岩手县北上工厂的全新现代化制造工厂Fab3的场地准备及相关建设工作,旨在扩大先进3D NAND BiCS FLASH™的产能。Fab3将建于Fab2南侧,预计将于2029财年投入运营。

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订单经双方书面确认起生效,交付期限为订单生效后 18 周内。订单还就产品名称、产品数量、单价、付款条件等内容进行约定。

简讯快报

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上市公司

数据有延时,09-03 20:20
存储原厂
三星电子 KRW 250000 -0.20%
SK海力士 KRW 1596000 -1.05%
长鑫科技 CNY 55.55 +2.26%
铠侠 JPY 51670 +1.31%
美光科技 USD 956.080 +2.43%
西部数据 USD 448.900 -0.34%
闪迪 USD 1553.400 +1.08%
南亚科技 TWD 477.5 -7.82%
华邦电子 TWD 169.0 -5.59%
主控厂商
群联电子 TWD 2000 -3.15%
慧荣科技 USD 242.510 +2.17%
联芸科技 CNY 65.22 +2.95%
点序 TWD 59.1 -3.43%
品牌/模组
江波龙 CNY 359.63 -0.74%
希捷科技 USD 808.540 -0.99%
宜鼎国际 TWD 1345 -5.28%
创见资讯 TWD 286.0 -3.54%
威刚科技 TWD 395.0 -4.24%
世迈科技 USD 47.590 0.00%
朗科科技 CNY 38.50 -0.57%
佰维存储 CNY 220.50 -0.80%
德明利 CNY 405.06 -1.91%
大普微电子 CNY 426.39 +0.09%
大为股份 CNY 28.70 -1.31%
封测厂商
华泰电子 TWD 42.25 -2.54%
力成 TWD 275.0 -1.08%
长电科技 CNY 71.27 -0.06%
日月光 TWD 589 0.00%
通富微电 CNY 59.53 -0.28%
华天科技 CNY 16.02 -0.19%