存储器业务部门计划继续根据应用需求的变化和客户反馈,专注于HBM4、DDR5、SOCAMM2等高附加值产品,以满足强劲的市场需求。尽管已努力提高产量,但供应限制预计仍将持续存在。

细分板块分化显著,手机业务成为最大拖累项:第三财季高通手机芯片业务营收 50.86 亿美元,同比下滑 20%;汽车业务延续高增长态势,营收 15.9 亿美元,同比大涨 61%,实现连续 23 个季度双位数增长。

三星电子计划根据客户需求和库存水平优化产品组合,预计第三季度DRAM bit出货量将环比增长4%-6%,NAND bit出货量将增长7%-9%。

铠侠第九代 BiCS FLASH™ 1Tb TLC采用基于第八代 BiCS FLASH™ 技术和先进 CMOS 工艺的 230 层堆叠工艺开发,其 NAND 接口速度高达4.8Gb/s,比第八代提升了33%,性能与第十代产品相当。

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苟嘉章进一步表示:“基于当前订单可见度和客户需求预测,我们预计今年下半年将保持强劲的收入增长。尽管当前NAND的定价和供应条件对许多消费级业务构成挑战,但公司的整体竞争优势和发展前景前所未有地强大。我们正朝着公司历史上最高的年收入迈进,预计全年收入增长超过100%。我们新推出的企业级/AI基础设施产品仍处于实施初期阶段,未来具有显著增长潜力。”

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7月29日晚间,长江存储针对近期个别网络用户及自媒体账号捏造、散布和传播关于公司专利诉讼及资本市场的虚假信息作出声明。

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为匹配客户需求和中长期发展战略,部分高附加值HBM产品延后至下半年交付,短期拉低DRAM整体ASP表现,该影响将在下半年有所缓解。随着HBM4出货全面爬坡、以及1c nm 传统DRAM出货增加,预计下半年bit增长将高于上半年水平,出货规模叠加产品结构优化将共同推动下半年DRAM ASP与业绩走高。

卢志远明确表示,新增NAND产能将有极高比重投入MLC及eMMC,长期规划逾七成产能配置于MLC相关产品。目前8GB及16GB eMMC供应极度吃紧,32GB eMMC已规划于第四季度量产。

目前,1TB和512GB容量的商用样品已准备就绪,预计将于2026年底启动大规模量产。

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SK海力士预计第三季度DRAM bit出货量环比增长约10%(以服务器AI存储产品为核心);NAND bit出货量(含Solidigm)预计环比低个位数增长(1%-3%),主推321层产品与企业级SSD。

在AI基础设施投资持续扩大、市场需求保持强劲的背景下,面向AI服务器的高性能产品推动价格进一步上涨,SK海力士业绩再度刷新上一季度创下的历史最高纪录。由此,上半年累计营收首次突破100万亿韩元。与去年同期相比,营收和营业利润分别增长257%和557%。

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依托全球存储行业景气回暖及自身高效的采购、库存管理策略,威刚科技2026年业绩大幅爆发,二季度及上半年营收、利润等核心指标均刷新历史新高,盈利能力大幅跃升,同时AI需求持续扩容将支撑行业下半年及中长期景气度。

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回顾7月,存储市场的变化主要聚焦于DDR5次级颗粒和LP4X/5X资源涨价带动相关成品价格上涨,这主要由于原厂部分资源被提前锁定,使得供应出现阶段性紧缺,面向存储厂商的供货进一步收缩。尽管存储厂商已在成品端做出一定涨幅的价格调整以作应对,每一轮报价上调,都在持续考验需求侧的承接意愿。未来几个月内,上游供应难以改善且市场仍存在涨价预期,因此,存储厂商下半年面临的成本压力将进一步加大。

据Herald Business报道,SK海力士将于今年下半年开始全面量产LPDDR6内存,首批产品拟搭载于小米下一代旗舰手机中。然而,对于向小米供货一事,SK海力士表示无法确认有关客户的详细信息。据悉,SK海力士的LPDDR6采用10纳米第六代(1c)工艺,相比上一代产品,数据处理速度和能效均有所提升。

据韩媒报道,三星电子华城12号生产线改造工作自去年下半年开始,已于本月完成。三星电子计划将该生产线用于华城15号生产线的后端工艺(BEOL)。华城15号生产线负责量产业界最先进的DRAM,包括1b(第五代10nm级)和1c(第六代10nm级)DRAM。 据悉,后端流程预计最早将于今年下半年投入使用,华城12号和15号生产线协同使用将加速三星电子DRAM产能的扩张。

随着私募巨头贝恩资本出售了绝大部分持股,SK海力士已实质上成为铠侠的第二大股东。由于这两家公司在全球NAND闪存市场是直接竞争对手,这一股权变动正引起日本当局的高度关注。

据外媒报道,苹果已向政府官员提出请求,希望获准在美国以外地区销售的设备中,使用长鑫存储和长江存储的存储芯片。美光科技则积极游说反对上述请求。其高管警告称,允许美国科技企业向中国生产商采购,无论最终产品在何处销售,都将损害美国本土制造业的发展。

裁决书确认,合作厂商ADK提前终止合同的行为导致本案合同未能全面履约。仲裁庭依法裁定,ADK需向群联电子返还相关款项、支付利息,并删除涉及本案的商业秘密数据,同时承担部分仲裁费用。

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据悉,HBM5 的运行速率预计将较 HBM4E 提升 50% 以上。为此,2nm 基础裸片将支持更高密度的硅通孔(TSV)设计,以满足行业对超高带宽的需求。

高通公司于当地时间7月24日致信客户,由于零部件成本上涨和供应链压力,产品价格将上涨两位数百分比。此次价格上涨适用于9月1日起发货的产品。

简讯快报

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上市公司

数据有延时,07-30 17:20
存储原厂
三星电子 KRW 207000 -0.72%
SK海力士 KRW 1322000 -5.64%
长鑫科技 CNY 52.87 -0.15%
铠侠 JPY 39500 +2.92%
美光科技 USD 739.000 -9.94%
西部数据 USD 462.040 -0.32%
闪迪 USD 1015.890 -7.32%
南亚科技 TWD 328.0 -7.21%
华邦电子 TWD 118.5 -8.85%
主控厂商
群联电子 TWD 1495 -1.32%
慧荣科技 USD 209.680 -5.30%
联芸科技 CNY 48.66 -6.35%
点序 TWD 52.1 -5.62%
品牌/模组
江波龙 CNY 338.78 +2.78%
希捷科技 USD 764.430 +2.29%
宜鼎国际 TWD 1180 +1.72%
创见资讯 TWD 269.5 0.00%
威刚科技 TWD 378.5 -3.93%
世迈科技 USD 43.700 -9.20%
朗科科技 CNY 38.33 -3.74%
佰维存储 CNY 219.84 +3.76%
德明利 CNY 390.04 +10.00%
大普微电子 CNY 391.01 -7.01%
大为股份 CNY 25.57 -4.41%
封测厂商
华泰电子 TWD 37.55 -3.10%
力成 TWD 214.5 -6.13%
长电科技 CNY 64.51 -10.00%
日月光 TWD 505 +1.20%
通富微电 CNY 55.89 -10.00%
华天科技 CNY 14.91 -10.02%