上游资源端自上月中下旬起缺货、涨价延续,支撑渠道DDR5内存条价格继续维持涨势。同时,在零售端部分渠道品牌主动抬高报价的带动下,存储厂商普遍跟涨,历经一季度下跌行情的DDR4内存条开始迎来反弹。

德明利披露业绩预告,预计 2026 年半年度营收 160 亿元 - 180 亿元,同比增长 289.39%-338.06%;归母净利润 57 亿元 - 65 亿元,上年同期亏损 1.18 亿元,同比实现扭亏为盈。德明利 Q 营收 75.38 亿元,Q1 净利润 33.46 亿元,由此推算,Q2 营收为 84.62 亿元 - 104.62 亿元,环比增长 12.3%-38.8%,净利润预计 23.54 亿元 - 31.54 亿元,环比下降 6%-30%。

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近日,东方算芯发布全球首颗软件定义近存计算3D芯片DF1000,采用“软件定义+3D堆叠近存计算”技术路线,不再单纯依赖制程微缩来提升性能。同时,DF1000是国内首颗采用DRAM-Logic晶圆级混合键合3D垂直封装的AI芯片,访存带宽达到6.4TB/s,搭载520TBF16算力、6.4T网络带宽与900G显存带宽,成功突破行业发展关键痛点和国外技术壁垒。

根据反垄断公示文件披露,本次交易前长江存储手握武汉新芯 68.19% 股份,实现全资管控。交易完成后,光谷半导体产投连同其一致行动人合计掌握武汉新芯 47.88% 表决权,成为企业新实际控制方;长江存储持股大幅稀释,不再享有经营管控权,仅作为财务投资者持有股份。

根据最新的审查机制,英伟达的员工将亲自前往客户的机房进行实地走访,核对相关合同,并直接访谈终端用户,以核实这些企业业务的真实性。知情人士指出,美国商务部也参与了这一过程,为其提供监管与政治层面的支持。

智能手机福利的缩减,根本原因在于存储芯片价格暴涨带来的生产成本压力。随着存储芯片价格波动加剧,三星正面临捍卫其智能手机业务盈利能力的巨大压力。

据韩媒ZDNET报道,SK海力士已开始为龙仁半导体集群首座晶圆厂Y1订购先进DRAM制造设备。初步商议的初期投产规模为每月2万片,生产目标为1c DRAM。Y1首个洁净室(ph1)原计划于明年5月启动,现已提前至明年2月开始构建试产生产线,并随后在3月至4月左右开始全面安装设备,以将产能提升至每月2万片。业内人士透露,SK海力士将于今年下半年开始Y1 ph2及ph3的洁净室建设。据悉,龙仁大型半导体集群包括4个晶圆厂,建设总投资达600万亿韩元,原计划2045年完工的第四座晶圆厂已将目标提前至2033年。

据韩媒报道,特斯拉-三星AI5芯片已完成流片。该项目的设计已经最终定稿,产品将在位于德克萨斯州泰勒市的工厂采用先进的2纳米(nm)工艺进行生产。此次确认的生产工艺是三星独家版本,与特斯拉CEO埃隆·马斯克4月份宣布的设计流片方案不同。据悉,泰勒工厂将于2026年底开始初步运营,并于2027年开始全面出货;AI5的工程样机将于2026年底发布,量产计划于2027年开始。

针对市场近期的疑虑,英伟达管理层正面回应了外界关于ASIC竞争加剧、Rubin产品可能推迟以及AI算力需求是否见顶的三大质疑,并描绘了AI算力需求正从传统云巨头向主权AI、工业AI等新领域持续扩张的图景。

据韩媒The Bell报道,SK海力士已于上月底开始向英伟达出货12层HBM4的量产产品,并进入了“ ramp-up”(扩大量产规模)阶段。这是HBM4首次以完成所有质量认证的最终规格,供应给英伟达下一代AI平台“Vera Rubin”。此前供应的货量均被归类为样品。据悉,SK海力士在量产出货的时间节点上,也已完成了与英伟达就明年HBM4价格的谈判。SK海力士预计从下半年起逐步增加HBM4的货量,预计在第四季度,HBM4在其整体HBM销售占比中将超越HBM3E。

据韩国业界7月12日消息,三星电子正着手推进其龙仁半导体集群的建设提速计划,拟将园区内首座晶圆厂的投产目标提前至2029年。相较于此前市场普遍预期的2030至2031年,这一投产节点提前了1至2年。

受AI应用需求拉动,桌上型电脑(台式机)业务表现尤为亮眼,第二季度同比激增57.3%,上半年累计增长38.0%。此外,商用产品线在第二季度同比增长47.3%(上半年累计增长41.2%),平板电脑业务同比增长53.9%(上半年累计增长35.4%),电竞及游戏业务也保持了稳健增长,第二季度同比增长5.6%,上半年累计增长14.9%。

在4月中旬的法说会上,联发科曾预估第二季度营收将环比持平或下滑6%,主要基于智能手机客户短期内对需求仍保持谨慎的考量。然而,实际营收不仅实现了正增长,还超越了此前给出的财测高标(1402亿至1492亿元区间),显示出智能手机芯片的出货动能优于市场预期。

南亚科技透露,2026年上半年,应用于AI基础设施及AI服务器的产品营收占整体比重已突破20%。南亚科技将继续供应DDR5、LPDDR5、DDR4、LPDDR4、DDR3及LPDDR3等产品以满足多元市场需求,并积极拓展定制化AI内存及晶圆对晶圆(Wafer-to-Wafer)封装等高附加值产品。

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今年上半年,Meta已新增1GW(吉瓦)算力,预计年底前将再新增5.5GW,使今年的算力基础设施部署规模达到7GW。按照规划,公司明年将再新增7GW算力,使整体算力体量翻倍至14GW。

据韩媒报道,三星电子正在研发一款名为“GAIA”的AI芯片,旨在抢占AI PC及物理AI(如机器人)市场。目前,三星已向联想、惠普等全球主要PC制造商提供GAIA芯片的工程样片以验证其性能,并计划最早于明年年底实现量产。

据媒体报道,南亚科技在法说会指出,Rubin Ultra和TPA等新一代AI加速计算平台推升HBM bit需求并持续排挤传统DRAM产能,预期至2028年全球DRAM仍将供不应求。南亚科技预估2026-2028年公司产能扩张约69%。5A新厂将导入1C/1D奈米先进制程,并新增产能约4.5万片。预计2027、2028年bit出货量将分别年增8%、53%。此外,由于Q2平均每Gb价格尚未完全反映合约价上涨,且大型长约客户换约存在时间差,预计三季度ASP仍有上修空间。

美光宣布,受AI时代对存储器需求激增的推动,公司将加快其在美国的晶圆厂和技术投资计划,预计到2035年将支出增加到2500亿美元以上。该投资计划旨在实现美国本土产能占其DRAM总产量的比例提升至40%。作为投资的一部分,美光计划投入高达30亿美元用于强化美国半导体供应链生态系统,包括向环球晶圆公司提供5亿美元的战略融资支持,并将与环球晶圆签订为期10年的供应协议获得硅晶圆产能保障。

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兆易创新Q1营收41.88亿,净利润14.61亿,由此可推算出其Q2营收预计为73.12亿,环比增长74.6%,净利润预计54.39亿,环比增长272%。

英特尔公布了一项名为XBM的新专利技术,该方案旨在替代HBM4,并提供更高的带宽能力。XBM全称扩展带宽内存,属于DRAM内存方案,其封装尺寸将与HBM4保持一致,每颗芯片的容量可在0.5GB-5GB之间,搭载32GT/s速率的UCIe通用芯粒互联接口。最核心的突破在于制造工艺的迁移:传统DRAM的存储单元制作于前段制程(FEOL),也就是原生用于制作晶体管的底层硅基底;而XBM将1T1C存储单元转移至后段制程(BEOL),布置在晶体管上层的金属通孔堆叠区域,并采用薄膜晶体管工艺。

简讯快报

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上市公司

数据有延时,07-14 23:25
存储原厂
三星电子 KRW 263000 +3.34%
SK海力士 KRW 1913000 +3.69%
铠侠 JPY 69100 +2.98%
美光科技 USD 978.320 +4.41%
西部数据 USD 573.475 +3.23%
闪迪 USD 1768.255 +5.63%
南亚科技 TWD 448.0 +5.91%
华邦电子 TWD 164.5 -1.50%
主控厂商
群联电子 TWD 2050 -5.53%
慧荣科技 USD 311.510 +4.01%
联芸科技 CNY 69.70 -0.85%
点序 TWD 72.3 -3.08%
品牌/模组
江波龙 CNY 538.51 +3.15%
希捷科技 USD 878.075 +2.02%
宜鼎国际 TWD 1445 -4.62%
创见资讯 TWD 239.0 -5.35%
威刚科技 TWD 403.0 -0.49%
世迈科技 USD 75.140 -2.68%
朗科科技 CNY 58.17 +5.57%
佰维存储 CNY 358.37 +5.56%
德明利 CNY 736.00 +2.23%
大普微电子 CNY 543.98 +1.92%
大为股份 CNY 31.39 +4.91%
封测厂商
华泰电子 TWD 48.45 -4.25%
力成 TWD 304.0 -2.72%
长电科技 CNY 102.70 +3.69%
日月光 TWD 641 -4.33%
通富微电 CNY 77.87 +5.84%
华天科技 CNY 25.68 +6.42%