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产业头条

一季度企业级市场需求放缓,1Q25全球NAND市场规模环比减少25%

据CFM闪存市场数据显示,量价齐跌令NAND Flash市场规模连续两个季度下滑,1Q25全球NAND Flash市场规模环比和同比均发生下滑,仅为130.1亿美元,为五个季度以来的最低水平。

据CFM闪存市场数据显示,量价齐跌令NAND Flash市场规模连续两个季度下滑,1Q25全球NAND Flash市场规模环比和同比均发生下滑,仅为130.1亿美元,为五个季度以来的最低水平。

Arm还强调,目前AI PC 的设计正日益接近现代智能手机。在全球已有超过99% 的智能手机采用Arm 架构的基础上,Arm预期在2025 年PC 与平板出货占比将达40%。

低容量eMMC受MLC和256Gb TLC NAND停产影响,供应持续紧缺使得成品价格大幅拉涨;部分大容量eMMC资源价格上涨且Tier1客户正常补库需求驱动下,大容量eMMC成品价格也顺势上调报价;LPDDR4X供应持续趋紧助推相应成品涨价继续保持。

鉴于存储原厂相继发布DDR4 EOL通知,近期现货DDR4价格剧烈波动,为更好地反映市场情况,CFM闪存市场于5月20日加更服务器RDIMM价格

CM9系列的核心是铠侠第八代BiCS FLASH™,为铠侠迄今为止最先进的3D闪存,采用基于CBA的架构,显著提升NAND接口速度、密度和功率效率,并降低了延迟,从而直接提升 SSD 性能。

刘炽平强调,腾讯拥有多元方案,无需单一依赖西方GPU,充分保障AI推理需求持续增长。

黄仁勋17日受访时表示,对于H20的后续发展,“不会是Hopper,因为Hopper已无法再调整。”

作为应用材料最大的海外市场,2QFY25中国大陆市场营收占比从2024会计年度同期43%降至25%。应用材料CEO Gary Dickerson表示,市场不确定性显著加剧,公司仍展现出强劲的运营韧性。

陈冠州表示,2029 年全球数据中心产值将突破1兆美元,其中半导体支出占比将达5 成,随着生成式AI快速演进,模型运算密度呈现「每3.3 个月倍增」的惊人速度,将超越摩尔定律。

SK海力士财务报告显示,第一季度其美国市场总营收为12.8万亿韩元,占该司Q1总营收17.6万亿韩元的72.7%。去年同期其美国市场销售额为6.3万亿韩元,占同期总营收的50%。

该平台采用台积电4nm工艺,CPU采用全新1+4+3架构,包括一个超级核心A720 2.8GHz、四个性能核心A720 2.4GHz、三个能效核心A520 1.8GHz,搭配更大的三级缓存。可支持4200 MHz LPDDR5X,3200MHz LPDDR5及2100MHz LPDDR4,支持UFS 4.0存储,兼容UFS 3.1及UFS 2。

2025年一季度,江波龙企业级存储产品组合(eSSD和RDIMM)取得显著突破,营收同比增长超200%。据IDC调研报告,2024年中国企业级SATA SSD总容量排名中,江波龙位列第三,在国产品牌中位列第一。这一成绩的背后,是公司在中高端存储领域技术创新和市场洞察上的双重突破。

SM2504XT是慧荣科技继上一款八通道消费类PCIe5.0 SSD主控芯片SM2508后推出的另一款四通道消费类PCIe5.0 SSD主控芯片。顺序读写分别可达 11.5GB/s 和 11.0GB/s,随机读写分别可达1700K IOPS和2000K IOPS,同时功耗低于5W。

铠侠预计二季度数据中心和企业级SSD产品的需求将保持强劲。尽管PC和智能手机客户的库存调整已开始放缓,但预计需求仍将相对疲软。主要由于汇率影响,预计二季度收入和利润将较前季环比下降。

英伟达原目标是将SOCAMM用于「Blackwell」系列,预计将延至下一代「Rubin」系列开始采用。

闪迪发布新款PCIe 5.0 SSD WD_BLACK SN8100,采用闪迪 BiCS8 TLC 3D CBA NAND,适用于高性能游戏、内容创作和人工智能 (AI) 工作负载。

天玑 9400e 采用全大核 CPU 架构,搭载四个 Cortex-X4 超大核,主频高达3.4GHz,以及4个主频为2.0GHz的Cortex-A720大核,强劲的全大核架构可轻松满足使用者对多任务、复杂任务等应用情境的效能需求,并同时兼顾要有出色的能效表现。支持LPDDR5X,最大内存频率8533。

目前商业化的CXL 1.1和2.0版本基于内存模块(CMM)-D,三星提出的下一代CXL解决方案,是考虑将高速DRAM和大容量NAND结合起来的混合结构---CMM-Hybrid(H),在基于 DRAM 的模块中添加 NAND 的优势在于它可以增加存储容量。

HBM4是第六代高带宽存储器,与现有的HBM3E相比,数据传输速度提高约60%,功耗降低近30%,预计AI和高性能计算(HPC)市场的需求将激增。TSV(硅通孔)接口数量增加到2048个,是HBM3E的两倍。HBM4最多支持16层,每个DRAM的容量也从24Gb扩展到32Gb。

Zinsner进一步表示,英特尔晶圆代工事业将于2027年某个时间点达到损益平衡,但这需要来自外部客户的数十亿美元营收才能达标。

股市快讯 更新于: 05-21 13:08,数据存在延时

存储原厂
三星电子55950KRW+0.09%
SK海力士201000KRW-0.50%
铠侠2186JPY0.00%
美光科技98.100USD-0.56%
西部数据50.630USD-0.18%
闪迪40.180USD+3.61%
南亚科技43.75TWD-3.31%
华邦电子18.25TWD-1.62%
主控厂商
群联电子513TWD+1.79%
慧荣科技65.100USD+1.48%
联芸科技40.19CNY-1.01%
点序59.1TWD+3.14%
品牌/模组
江波龙75.86CNY-0.50%
希捷科技106.970USD-1.90%
宜鼎国际245.0TWD0.00%
创见资讯105.5TWD+1.93%
威刚科技93.1TWD+0.43%
世迈科技18.850USD+0.59%
朗科科技23.90CNY-3.40%
佰维存储60.48CNY-1.72%
德明利116.66CNY-1.40%
大为股份14.52CNY-1.22%
封测厂商
华泰电子37.20TWD+1.92%
力成118.5TWD+1.72%
长电科技33.11CNY-0.69%
日月光145.5TWD+1.04%
通富微电24.34CNY-0.69%
华天科技9.14CNY-0.87%