适逢中国农历春节,按国家规定放假9天:2026年2月15日 - 2026年2月23日,放假期间所有产品均暂停报价,2026年2月24日恢复报价。

美国国防部发布最新的“中国军事企业清单”(CMC清单或1260H清单)。清单显示,长鑫存储(CXMT)与长江存储(YMTC)已正式被移出,阿里巴巴、百度、比亚迪等各领域龙头企业被新增列入。长江存储早在2024年便成为首批被列入1260H清单的中国NAND厂商,长鑫存储则于2025年初被纳入。需注意的是,美国联邦公报在清单文件发布不到一小时内撤回该份清单文件,但表示公众直至2026年2月17日下班前可通过官方邮箱申请获取原文,文件仍处于公开审查状态,合规风险并未消除。
美光科技正式宣布量产全球首款面向数据中心的PCIe Gen6 SSD——9650 NVMe SSD,该产品以28GB/s的顺序读取速度和550万IOPS的随机读取性能成为目前全球速度最快的数据中心SSD。Micron 9650基于垂直整合架构,采用业界首款应用于数据中心SSD的第九代NAND闪存美光G9 NAND,采用六平面架构,可提供3.6GB/s的IO速率,是目前市售SSD中的最高水平。针对不同应用场景,美光9650 SSD推出9650 PRO和9650 MAX两大系列,提供不同容量支持。
近日,AI芯片企业图灵进化(TuringEvo)与国家集成电路创新中心签署战略合作协议。双方将围绕AI算力芯片及关键核心芯片领域,在芯片设计、工艺适配、供应链协同、产业化落地等环节展开全链条合作。
据CFM闪存市场分析,2025年四季度全球DRAM/NAND Flash市场规模达755.1亿美元,环比增长29.2%,其中全球DRAM市场规模环比增长29.8%至519.65亿美元,NAND市场规模环比增长27.8%至235.45亿美元。全年来看,2025年全球DRAM/NAND Flash市场规模历史上首次突破2000亿,同比增长32.7%至2215.91亿美元。

2026年2月12日,深圳市工信局印发《“人工智能+”先进制造业行动计划(2026—2027年)》,首次将“存算一体”“存内计算”等新型架构处理器纳入重点支持方向,明确面向AI手机、智能机器人、智能汽车等终端,推动高性能SoC主控芯片研发及国产替代。
思科近期正式推出采用3nm制程的AI交换芯片Silicon One G300。该芯片专为超大规模AI集群后端网络设计,单设备可提供102.4Tbps以太网交换容量,并在单芯片中集成252MB完全共享数据包缓冲区,为并行计算环境下的突发流量提供2.5倍于业界水平的吸收能力。
据韩媒报道,SK海力士正在开发名为“AIP(All-In-Plug)”的创新技术,以缓解因堆叠层数增加而带来的成本增长。据悉,为实现高堆叠NAND而增加的HARC蚀刻工艺数量是导致制造成本上升的最大因素。传统制造方法需要分别对多个NAND层进行蚀刻,通过键合工艺连接起来,而AIP可在单次工艺中对超过300层的高密度NAND闪存进行HARC蚀刻,旨在通过一次性蚀刻全部NAND层来显著降低制造成本。如果这项技术应用于实际量产,预计从下一代NAND闪存(例如V11)开始,HARC工艺的数量和成本将显著降低。

三星目前正在开发 zHBM,其核心是将 HBM 堆叠成 3D 结构,有望在物理人工智能时代所需的带宽或能源效率方面带来另一项重大创新。

华虹半导体(01347.HK;688347.SH)今日公布2025年第四季度及全年业绩。第四季度销售收入达6.599亿美元,同比增长22.4%,环比增长3.9%,再创历史新高;毛利率13.0%,同比提升1.6个百分点;全年销售收入24.021亿美元,同比增长19.9%;毛利率11.8%,同比提升1.6个百分点;公司全年平均产能利用率高达106.1%,处于晶圆代工企业领先水平,反映市场需求旺盛及公司运营效率强劲。
联想集团今日公布截至2025年12月31日的2025/26财年第三季度业绩,营收与利润双双创下历史新高。第三季度营收达222亿美元,同比增长18%;前九个月总营收614.86亿美元,同比增长18%。在业绩向好的同时,杨元庆对存储行业发出明确预警:存储价格上涨周期远未结束。
铠侠发布截至2025年12月31日的FY25Q3(2025年10-12月)财务业绩,营收5436亿日元(约合35.47亿美元),创历史新高,环比增长21.3%,主要得益于平均销售价格(ASP)和bit出货量的提高;Non-GAAP下,营业利润为1447亿日元(约合9.44亿美元),环比增长65.9%;Non-GAAP下归属于母公司所有者的利润为895亿日元(约合5.84亿美元),环比增长114.6%,营业利润与净利润均超出指引上限。

2月12日,三星电子宣布,其HBM4已抢先开始量产,并向客户交付商用产品。三星的HBM4可提供高达每秒11.7 Gbps的稳定处理速度,比业界标准的8Gbps提升约46%,树立了HBM4性能的新标杆。三星预计其HBM产品销量在2026年将比2025年增长三倍以上,并正积极扩大HBM4的产能。在HBM4成功推向市场后,HBM4E的样品预计将于2026年下半年开始发放,而定制的HBM样品将根据客户的具体规格于2027年开始交付。
当地时间2月11日,美光CFO在Wolfe Research组织的半导体会议上表示,公司已实现HBM4量产,并开始向客户交付。针对近期有关美光HBM4无缘英伟达供应的猜测,美光科技否认三星电子和SK海力士将瓜分HBM4供应量的预期。Mark Murphy进一步表示,美光今年一季度HBM4的出货量正在稳步增长,比去年12月财报发布时提到的时间提前了一个季度。2026年的HBM产量已全部售罄,HBM4的生产良率正按计划进行,其速度超过每秒11Gb。
2026年2月11日,韩国产业通商资源部在“AI半导体核心企业成长战略座谈会”表示,针对韩国Fabless企业长期面临的代工产能瓶颈问题,韩国政府决定投入4.5万亿韩元(约合216亿元人民币)新建一座12英寸40nm工艺晶圆厂,专门用于支持本土无晶圆厂企业的研发与商业化。
2月上旬韩国半导体出口额同比增长137.6%,达到67.3亿美元,占出口总额的31.5%,比去年同期增长 12.3 个百分点。
按产品线划分,闪存产品线占2025年营收为35%,以NOR Flash全球第一供货商的角色持续扩大市场领先地位;逻辑产品线占比34%;客制化内存产品线占比29%,来自于20nm的营收呈现指数型成长,而其他产品线占比为2%。
进入该厂商主页中芯国际 2025 年第四季度财报数据出炉,公司该季度实现销售收入 24.89 亿美元,较 2025 年第三季度环比增长 4.5%,较 2024 年第四季度同比增长 12.8%;实现毛利 4.78 亿美元,环比减少 8.5%、同比减少 4.2%,毛利率为 19.2%,环比下降 2.8 个百分点、同比下降 3.4 个百分点。
进入该厂商主页CFM闪存市场数据显示,DDR5 64GB合约价格落在820至950美元区间,DDR5 96GB合约价格落在1310至1600美元区间,DDR5 128GB落在2100至2400美元区间,相比上季度价格涨幅高达80%-120%。而服务器DDR5内存条现货价格相对于合约价更高,服务器64GB/96GB/128GB DDR5内存条现货价格分别在2200至2500美金、3800至4000美金、4200至4300美金之间。

据外媒报道,受去年年底服务器DRAM与NAND闪存价格大幅上涨影响,国内云计算服务商及超大规模数据中心正加快设备更新步伐,引发服务器CPU需求激增。其中,英特尔至强6系列处理器(Xeon 6系列)交付周期长达6个月,AMD第五代EPYC(霄龙)系列处理器交付周期约为10周。英特尔服务器CPU的交付周期明显长于AMD,核心原因在于其采用的Intel 3工艺量产进度滞后、自有晶圆厂产能规模不足,以及内部产能分配策略的综合作用。