据CFM闪存市场数据显示，2025年三季度全球DRAM市场规模环比增长24.7%至400.37亿美元，NAND市场规模环比增长16.8%至184.22亿美元，三季度全球存储市场规模连续两季度成长至584.59亿美元，创造季度历史新高。目前Memory供应满足率降低，各应用领域供应紧张的局面持续发酵，随着供应商库存水位的进一步下降，DRAM和NAND市场价格已经全面上涨，在此情况下，预计四季度存储市场规模将续创季度新高。

其中，M100专为大规模AI推理设计，提供极致性价比，预计将于2026年初上市。M300面向超大规模多模态模型的训练与推理，性能更强，预计将于2027年推出。

铠侠预计NAND需求将超过供应，2025财年bit出货量将实现15%的增长，而由于预见性的供应限制，2026财年bit出货量增长率约在17%-19%之间。

华硕高管在其2025Q3财报法说会上表示，尽管 AI PC 的配套软件应用普及速度不及预期，但 AI PC 硬件销售的增长仍属正常速度。

微软表示，这将成为“欧洲人工智能算力方面最大规模的投资之一”。

上游资源方面，1Tb QLC、1Tb TLC、512Gb TLC、256Gb TLC价格分别调涨至7.80/8.50/6.00/4.80美元；DDR4 16Gb 3200/16Gb eTT/8Gb 3200/8Gb eTT/4Gb eTT价格分别调涨至24.00/7.00/9.00/3.60/1.52美元；DDR5 24Gb Major/16Gb Major/16Gb eTT价格分别调涨至22.00/15.00/7.50美元。

三星电子计划通过转型投资来确保其NAND业务的竞争力，包括加速从V8向V9的过渡，以及扩大高容量QLC服务器闪存的销售。

旺宏董事长吴敏求表示，因数据中心建置需求庞大，旺宏近几个月相关的NOR Flash需求升温。此外，嵌入式存储产品eMMC也供不应求。

澜起科技宣布推出新一代DDR5时钟驱动器(CKD)芯片，该芯片最高支持9200 MT/s的数据传输速率，可有效优化客户端内存子系统性能，为下一代高性能PC、笔记本电脑及工作站提供关键技术支撑。

闪迪表示，该财季NAND产品需求超过了供应，库存周转天数从135天减少到115天，预计这一趋势将持续到2026年底。

报道称，SK海力士内部正在制定工艺小型化战略，以增加1c DRAM过渡阶段的EUV（极紫外）曝光工艺层数，并考虑重新调整设备配置，以提高光刻、蚀刻和清洗等核心设备的精度。这被解读为对现有生产线的一部分进行重组，使其专注于HBM和高性能服务器DRAM的生产，而不仅仅是简单地扩大产能。

高通CFO Akash Palkhiwala表示，高通手机业务营收将实现“10%左右”的环比增长率，这意味着第一财季其手机芯片销售额至少达到77亿美元。

Arm表示，在该财季签署了三项新的 CSS 授权协议，分别应用于智能手机、平板电脑和数据中心领域，使授权总数达到19份，涉及11家公司，其中5家客户已开始出货基于CSS技术的芯片。