应用材料公开了面向AI半导体使用的三维（3D）芯片制造设备产品线。该系列设备主要侧重于如高带宽存储器（HBM）、芯粒（Chiplet）、混合键合（Hybrid Bonding）等先进封装工艺所需的平坦化、沉积、和计量检测等。具体来看，本次公开的设备包括用于封装领域的先进化学机械抛光 (CMP)、电化学气相沉积 (ECD) 和等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 设备等，还新增了基于电子束的工艺控制设备，并升级了其用于DRAM工艺的外延设备。
据媒体报道，针对近期市场高度关注的内存及其他关键零部件涨价问题，联想集团执行副总裁、智能设备业务集团(IDG)总裁Luca回应称，已经锁定了充足供应，但公司无法完全免受成本上涨影响，因此涨价仍然构成挑战。此前消息称，联想自7月起将对全品类产品统一涨价，幅度与前期相当。
此次投资计划的一大焦点，是SK海力士拟在韩国清州新建一座NAND闪存晶圆厂。若该计划最终落地，这将是自2018年M15工厂建成以来，SK海力士在该厂区首次进行重大NAND产能扩张。
高通依托HBC架构，在低功耗云端推理、大规模AI算力部署赛道形成与传统HBM方案错位竞争的技术优势，持续完善自身AI算力生态布局。这一路径有望在特定场景下为客户提供HBM之外的高能效、低成本新选择，整体AI加速市场将呈现多元技术路线并存的格局，HBC与HBM各有适用边界，共同服务于日益增长的AI算力需求。
6 月 25 日，微软与苹果先后发布公告上调硬件定价，核心诱因是 AI 数据中心扩容带动存储芯片需求激增，叠加多重供应链因素推高元器件成本。
据韩媒inews24报道，SK海力士的赴美上市进程已进入最后冲刺阶段；与此同时，铠侠也发布了赴美发行ADR（美国存托凭证）的时间表，并计划通过拆股降低散户投资门槛。
数据显示，与现有的2纳米节点芯片相比，这款亚1纳米芯片的性能最高提升50%，能效提升高达70%，同时可将静态随机存取存储器（SRAM）的缩放比例提升40%。这一重大突破将极大满足生成式AI、云基础设施等前沿领域对高算力、低能耗的迫切需求。
高通正式发布高带宽计算（High-Bandwidth Compute，HBC）架构，将HBC加速器放置于LPDDR堆栈下方，通过TSV硅通孔技术实现LPDDR堆栈和HBC加速器互连。相较于竞品已发布产品，在卡级归一化条件下，HBC每瓦带宽相为HBM的6倍；在机架级归一化条件下，HBC每瓦容量为SRAM的200倍。采用HBC Gen 2的AI300则旨在实现进一步的阶梯式提升，相比AI200有效带宽最高可提升54倍，每瓦带宽较HBM实现7倍跃升。
受美国对华半导体出口限制约束，面向中国市场的 AI 加速器、数据中心 CPU、定制 ASIC、互联芯片四大数据中心产品线，高通均会单独调整性能参数、按合规标准重新设计，控制算力指标在监管许可阈值内，规避合规风险。
长期以来，HBM封装多采用热压键合（TCB）技术，但这种方式存在天然的物理缺陷。TCB依靠微小的凸点（bump）连接，且中间必须填充底胶（underfill），这导致热传导路径被阻断，热阻极大。相比之下，三星力推的混合铜键合（HCB）实现了铜与铜的直接接触。这种“直连”方式打通了更多的散热通道，大幅提升了热量逸出的效率。
为满足难以填满的需求，美光正以前所未有的力度扩充产能。美光预计第四财季资本开支约100亿美元，2026财年全年资本开支约270亿美元，且2027财年各季度资本开支将进一步提升，其中超一半增量将用于洁净室与厂房建设。
由于生成式人工智能（AI）模型训练所需的硬件资源正面临极度短缺，OpenAI选择通过这种资本绑定的方式，确保自身能够获得稳定的算力基础设施。
据韩媒报道，三星电子近期将约7.5万片晶圆（占其每月15万片HBM DRAM晶圆投入量的一半）用于HBM4的生产，剩余一半则用于生产第五代HBM3E 12层产品。据悉，市场需求相对较低的HBM3E 8层产品的生产已暂时停止，并将产能转移至HBM4的生产。
本次集采分为两个标包，其中ARM-A服务器（G系列）数量28000台，C86服务器（G系列）12000台，总计40000台，均为国产化设备，共吸引10家厂商参与竞标。招标资料显示，两个标包都对SSD硬盘设置了最高投标限价，具体而言“480GB SATA SSD 硬盘”配件单价设置最高投标限价为1635.00元人民币（不含增值税），投标人该配件单价报价高于最高投标限价的，其投标将被否决。
据外媒报道，三星计划到2029年实现420层NAND闪存解决方案，到2030年实现超过560层。随后在下一个十年之初，三星计划将层数翻番，实现超过1000层的解决方案。层数翻倍会带来晶圆翘曲和层间对准误差等问题，但据悉三星计划引入Upper Chuck Design方案和Overlay Correction（叠对校正）技术解决相关问题。
3月中下旬以来，现货贸易端NAND wafer价格开始出现反转而向下调整，即便市场不时仍有买盘承接，也难以扭转wafer贸易价阴跌的局面，近期部分有一定变现压力的小型贸易商不断压低报价。经过连续数月的缓慢下跌后，个别wafer已跌回1月底的价位水平。为反映当前现货资源贸易价格变化，今日512Gb TLC、1Tb QLC wafer价格分别下调至22.50美金、26.50美金。
JEDEC制定并公布了SPHBM4标准。SPHBM4是一项新的JEDEC标准，使用更少的信号引脚、标准封装和更经济的基板，即可实现接近HBM4的性能。SPHBM4将信号引脚数量减少到原来的五分之一，并通过将信号速度提高至原来的四倍，缓解性能损失的问题。这将使HBM制造商能够减少对昂贵的高级封装解决方案的依赖。
据《朝鲜日报》引述业内消息称，SK海力士正考虑略微推迟部分第五代HBM（HBM3E）产线向HBM4的转换计划。这一政策的核心在于提升对通用DRAM市场的响应速度。目前，通用DRAM的营业利润率已超越HBM，此举旨在确保更多利润。业界普遍认为，这反映出SK海力士的判断：鉴于其在HBM市场已稳占主导地位，目前并无必要急于向HBM4及第七代HBM（HBM4E）过渡。
美光科技宣布与人工智能公司Anthropic达成一项全面战略合作协议。此次合作涵盖内存与存储AI架构设计、产品供需协议、美光内部企业级AI应用部署，以及美光对Anthropic H轮融资的战略投资。该协议旨在将前沿AI模型的需求与底层基础设施的设计、供应及大规模部署紧密结合。
进入该厂商主页三星电子今天推出业内速度最快的通用闪存存储 (UFS) 5.0 解决方案。该方案实现了业界最高的10.8GB/s带宽，顺序读取速度高达10.8 GB/s，顺序写入速度高达9.5 GB/s，顺序读写速度较上一代UFS 4.1标准快两倍以上。三星UFS 5.0方案显著提升了移动内存的存储和处理速度，同时提高了能效并缩小了封装尺寸，可提供更佳的设备端AI体验。三星将于今年第四季度开始量产UFS 5.0，容量最高可达1TB。
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| 存储原厂 | ||
|---|---|---|
| 三星电子 | KRW 319000 | -5.93% |
| SK海力士 | KRW 2556000 | -4.38% |
| 铠侠 | JPY 86530 | -6.13% |
| 美光科技 | USD 1132.330 | -6.69% |
| 西部数据 | USD 586.450 | -13.17% |
| 闪迪 | USD 2090.710 | -10.46% |
| 南亚科技 | TWD 456.0 | +1.56% |
| 华邦电子 | TWD 205.5 | -0.48% |
| 主控厂商 | ||
|---|---|---|
| 群联电子 | TWD 2330 | +0.87% |
| 慧荣科技 | USD 305.280 | -6.14% |
| 联芸科技 | CNY 79.44 | -1.56% |
| 点序 | TWD 81.8 | +0.37% |
| 品牌/模组 | ||
|---|---|---|
| 江波龙 | CNY 700.50 | +3.08% |
| 希捷科技 | USD 899.900 | -12.24% |
| 宜鼎国际 | TWD 1560 | -2.80% |
| 创见资讯 | TWD 273.0 | -1.97% |
| 威刚科技 | TWD 400.5 | +0.75% |
| 世迈科技 | USD 62.280 | -6.72% |
| 朗科科技 | CNY 68.32 | -2.23% |
| 佰维存储 | CNY 492.00 | -1.81% |
| 德明利 | CNY 924.00 | -2.84% |
| 大普微电子 | CNY 640.00 | -2.73% |
| 大为股份 | CNY 34.38 | -6.78% |
| 封测厂商 | ||
|---|---|---|
| 华泰电子 | TWD 52.6 | -1.50% |
| 力成 | TWD 307.0 | -2.23% |
| 长电科技 | CNY 95.92 | -4.93% |
| 日月光 | TWD 625 | -1.11% |
| 通富微电 | CNY 68.78 | -3.94% |
| 华天科技 | CNY 20.95 | -7.14% |
涨价风暴来袭：AI“吸干”存储产能，苹果也扛不住了