当AI浪潮席卷全球,曾经普通的存储芯片正蜕变为科技界最紧缺的战略资源。随着内存成本大幅攀升,一向以供应链掌控力著称的苹果也不得不宣布“涨价不可避免”。这场由AI引发的存储争夺战,不仅将推高消费电子终端的售价,拉长消费者的换机周期,更在无形中加剧了手机行业的马太效应。

适逢端午节假期,按国家规定放假3天,即6月19日-6月21日放假,6月19日所有产品均暂停报价,6月22日(星期一)恢复报价。

此次新产品较上一代HBM4,性能和能效均取得了跨越式升级。其引脚速率最高可达16Gbps,并将能效提高20%以上,显著提升了AI训练和推理所必需的数据处理能力。

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陈俊圣透露,宏碁的库存规模已从第一季底的约700多亿元(新台币,下同),上升至目前的800多亿元,逼近历史新高。目前增加的库存绝大多数属于存储器等关键零组件,且多为涨价前以较低成本取得的“低价库存”;而成品库存则维持在6至8周的正常水准。

伴随本轮扩张,阿里云未来还将在荷兰、巴西新设地域节点,并进一步扩建韩国、迪拜等地的数据中心,持续推动AI与云计算能力的全球普惠。

据韩媒报道,三星目前正与多家合作伙伴共同研发用于量产第七代10纳米(1d)DRAM的设备,并计划于明年第二或第三季度推出。考虑到实际量产准备所需的时间,预计最早将于明年年底开始1d DRAM的初步量产。三星的1d DRAM预计将被用于第九代高带宽内存(HBM5E)的核心芯片,该产品拟于2029年实现商业化。

据外媒报道,英特尔宣布其18A制程节点的升级版本“18A-P”,已正式进入风险生产(risk production)阶段。英特尔18A-P制程基于去年第四季度量产的18A,针对数据中心CPU以及人工智能和高性能计算 (HPC) 半导体的生产进行了优化。与18A相比,18A-P在相同功耗下性能提升高达9% ;在相同性能水平下,功耗最多可降低18%。此外,英特尔计划利用18A-P生产“Diamond Rapids” CPU 芯片,预计将于明年发布。

整体来看,SK海力士正逐步形成“中国无锡工厂主攻通用型与传统DRAM产品、韩国本土工厂专注尖端DRAM产品”的双线布局。这种策略旨在保持供应链的稳定性,并在全球产能竞争中维持市场竞争力。

服务器市场对存储的虹吸效应持续发酵,仍具备供货配额的消费类客户正寻求原厂包括次级DRAM在内的各类资源供应,产能有限下未来一段时间内存储厂商获取上游资源将愈发艰难,本周LP5X/LP4X及渠道DDR5内存条全面调涨。

据媒体报道,华硕正式推出ExpertCenter Pro ET900N G3工作站,目前已在多家零售商上架,最低标价99999美元。ET900N G3搭载NVIDIA GB300 Grace Blackwell Ultra超级芯片,将72核ARM Neoverse V2处理器与Blackwell Ultra GPU封装在一起。CPU端配备496GB LPDDR5X内存(带宽396GB/s),GPU端配备252GB HBM3e显存(带宽7.1TB/s),两者合计内存容量达748GB,可合并处理更大的AI模型。

随着3D NAND向更高层数演进,低电阻金属钼(Mo)被广泛引入字线金属化工艺中,这要求对各个字线之间进行精准的物理隔离以防止短路。传统的湿法蚀刻在处理当今高耸的3D堆叠结构时,由于液体化学试剂难以触及高深宽比特征的底部,往往会导致“上厚下薄”的刻蚀轮廓,严重限制了器件性能和可扩展性。

铠侠今日在官网宣布其EXCERIA G3 SSD系列推出4TB型号,丰富了PCIe 5.0 产品线的容量选择,预计将于2026年7月上旬开始发售。此次新增的4TB型号采用基于其第八代BiCS FLASH™ 3D闪存技术的QLC存储器构建,为需要在AI应用和游戏主机环境中配备入门级SSD的用户提供了更多选择。EXCERIA G3 SSD系列的顺序读取速度高达10,000MB/s,顺序写入速度高达9,600MB/s。

具体而言,该技术会将不常访问的数据从昂贵的DRAM动态转移至单位容量成本低得多的NAND闪存中。由于闪存的存储成本远低于DRAM,这种架构能够在不大幅增加主内存硬件投入的前提下,大幅扩大可用内存池的规模。

据官方介绍,在高负载条件下的测试显示,搭载 GraTherX 的 DDR5 内存模组可实现高达 23.4°C 的降温效果,显著优于传统散热方案通常 3-5°C 的温降表现。此外,该设计还优化了模组正反两面的散热分布,有助于维持设备在长时间运行下的稳定性。

据韩媒报道,三星电子晶圆代工事业部副总裁宋泰俊今日表示,三星电子晶圆代工事业部明年将把多项目晶圆(MPW)工艺扩大至2纳米。2纳米工艺是目前已商业化的最尖端工艺,由于其制造难度极高,目前仅应用于人工智能和高性能计算(HPC)等特定超高性能半导体领域。此举预计将加速韩国国内无晶圆厂(Fabless)企业在超高性能人工智能(AI)半导体领域的研发进程。

从各存储原厂目前规划来看,2026-2028年将成为全球存储产业产能建设与技术升级最密集的阶段。AI需求正在推动存储原厂资本开支向DRAM、HBM及企业级SSD倾斜,而新增产能真正大规模释放则普遍集中在2027-2030年之间。未来市场能否维持高景气度,最终仍取决于AI基础设施投资与新增供给之间的动态平衡。

据路透社报道,字节跳动正与天数智芯洽谈采购人工智能芯片。据悉,字节跳动计划采购至少5万颗Iluvatar CoreX人工智能芯片,其中大部分将用于推理工作负载。若交易达成,天数智芯将成为字节跳动继华为和寒武纪之后的第三大国产GPU供应商。此外,字节跳动也在考虑与百度达成类似的交易。消息人士称,潜在交易的细节尚未最终确定,仍有可能发生变化。

HBM4E是HBM4(第六代)的继任者,HBM4目前正在量产。预计它将被用于NVIDIA的下一代AI加速器“Rubin Ultra”中,该产品将于明年发布。

新园区已经进入量产阶段,这是应用材料“Singapore 2030”战略的重要组成部分。随着项目落地,应用材料在新加坡的先进洁净室产能将较此前提升一倍以上,进一步强化其全球制造与研发体系。

AI模型参数突破万亿、上下文窗口迈向百万级Token,KV缓存作为AI推理的“工作记忆”,体量随之呈指数级增长,传统存储体系的不足日益凸显。为此,英伟达在Vera Rubin平台中推出BlueField-4 STX机架,搭载CMX平台,专为长上下文推理设计,通过硬件专用加速、重构存储层级,打破“内存墙”和“能效瓶颈”,让存储从数据保管者转变为AI推理性能的核心驱动力。NAND因此成为推理扩容核心介质,需求爆发且专用化加速。

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数据有延时,06-19 03:05
存储原厂
三星电子 KRW 362500 +4.62%
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铠侠 JPY 96900 +0.94%
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