AI模型参数突破万亿、上下文窗口迈向百万级Token,KV缓存作为AI推理的“工作记忆”,体量随之呈指数级增长,传统存储体系的不足日益凸显。为此,英伟达在Vera Rubin平台中推出BlueField-4 STX机架,搭载CMX平台,专为长上下文推理设计,通过硬件专用加速、重构存储层级,打破“内存墙”和“能效瓶颈”,让存储从数据保管者转变为AI推理性能的核心驱动力。NAND因此成为推理扩容核心介质,需求爆发且专用化加速。

HBM4E是HBM4(第六代)的继任者,HBM4目前正在量产。预计它将被用于NVIDIA的下一代AI加速器“Rubin Ultra”中,该产品将于明年发布。

新园区已经进入量产阶段,这是应用材料“Singapore 2030”战略的重要组成部分。随着项目落地,应用材料在新加坡的先进洁净室产能将较此前提升一倍以上,进一步强化其全球制造与研发体系。

据韩媒援引SK海力士和消防部门12日消息,当天上午9点55分(当地时间)左右,位于忠清北道清州市兴德区SK海力士清州园区4号楼M15X二楼发生火灾。火灾发生后,M15和M15X的员工立即疏散到室外。据报道,该公司消防队在初期就扑灭了火灾。清州市发布了灾害警报,建议附近居民避开该区域,车辆绕行,因为担心可能发生氟化物泄漏。消防部门表示,调查发现并未发生燃气泄漏。SK海力士方面表示,已完成初步控制,正调查具体情况,生产设备运行正常。本月1日,SK海力士清州4号园区也曾发生火灾。

联发科公布2026年5月营收数据。5月单月合并营收新台币474.34亿元,月增1.49%,年增4.99%,为今年单月和历年同期次高水准。2026年1-5月营收为新台币2,433.21亿元,较去年同期减少1.59%。

亚马逊云科技宣布,基于第五代自研Arm处理器Graviton5的Amazon EC2M9g和M9gd实例正式上线。这两款实例均采用Graviton5处理器,是AWS迄今为止打造的最强大、最节能的自研CPU。作为AWS产品系列中首款支持最新一代PCIe Gen6和DDR5-8800内存的CPU,AWS Graviton5实例可提供云端所有处理器实例中最快的内存速度,并且L3缓存容量是上一代的5倍。

资本支出方面,截至5月31日的季度资本支出约为165亿美元,年度资本支出为557亿美元,超过了该司此前预计的500亿美元,持续加码数据中心赛道。预计2027财年甲骨文资本支出净额将达约700亿美元。

十铨总经理陈庆文表示,综观存储供需失衡态势,乐观情况下预估将延续至2030年,保守估计至少将持续至2027年底。展望十铨未来几个季度,在整体大环境存储供不应求的基调下,合约价预期将维持涨价或高档盘整趋势。

目前,SK海力士已完成375层NAND闪存的生产验证工作,正着手准备将生产线转移至量产阶段。此次并未新建工厂,而是对清州M15工厂现有的产线(目前主要生产176层、238层和321层产品)进行改造升级,目前正在投入资金将其改造为375层产品生产线。

据媒体援引业内人士分析称,受全球存储涨价带来的成本压力影响,苹果正考虑提高iPhone 18 Pro Max的价格。此外,考虑到苹果在设备端人工智能和Apple Intelligence方面的积极投入,预计入门级和低配机型采用12GB内存搭配技术更新的M12+显示技术的可能性较大,而非选择8GB内存搭配成熟的M14 OLED面板的配置。更大的内存可以支持更强大的AI模型,提升多任务处理能力。采用M12+OLED面板主要是为了在最关键的方面提升性能和优化资源分配控制成本,并保持屏幕质量。

澜起科技宣布成功向客户送样DDR5第六子代寄存时钟驱动器芯片(RCD06)。该产品面向下一代服务器平台,可满足AI服务器、高性能计算(HPC)及云计算场景不断增长的内存带宽需求,支持高达 9200 MT/s 的传输速率,较上一代提升 15%。

台积电公布2026年5月营收报告。2026年5月合并营收约为新台币4,169.75亿元,环比增长1.5%,同比增长30.1%;1至5月累计营收约为新台币196,180.04亿元,较去年同期增加了30.0%。法人指出,台积电5月营收维持高位,代表AI供应链拉货动能未见明显降温,尤其是英伟达 Blackwell、Rubin平台、AMD高端AI加速器、美系云服务供应商(CSP)客制化ASIC芯片,以及苹果新品备货需求同步推进,持续推升3纳米、5纳米及先进封装产能利用率。

此前在今年3月,联想已向渠道商下发调价函,部分电脑终端零售价最高上涨超1000元(线下直接提价,线上则通过取消优惠活动变相涨价)。

公告称,2026 年采购量占 2025 年公司NANDFLASH采购总量的 4.45%,占比较小;2027 年采购量占 2025 年公司NANDFLASH采购总量的 14.88%,占比较小。公司签订合同提前锁定未来24个月的部分基础用量,与公司业务规模及业务规划匹配,风险整体可控。

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据韩媒报道,三星电子正在推进位于光州的先进半导体封装(后端工艺)工厂的建设,标志着三星电子首次在湖南地区建立半导体生产基地(目前主要集中在忠清地区)。三星电子自温阳园区建成以来,35年来首次新建封装基地,该项目将包括DRAM和NAND闪存的前道工序生产线。据悉,这项投资计划将于29日由李在明总统主持召开的与包括三星在内的多家大型企业集团负责人的会议上进行讨论。

本月开局以来,现货端情绪化拉踩动作较前两个月明显减少,市场整体趋于理性。随着渠道低端资源价格逐渐企稳、报价呈现小幅上涨,叠加渠道品牌DDR5内存条零售价也出现反弹迹象,渠道市场整体开始企稳,本周渠道DDR5内存条率先开始出现小幅反弹。不过当前正值季度末,不排除后面部分厂商为冲刺业绩目标加速出货,而导致市场震荡反复的可能。

SK海力士HBM最大客户的英伟达CEO黄仁勋近日访韩时明确表示:“三大存储厂商均已通过HBM4的质量测试,并正在推进量产。”他还表示,SK海力士过去是其最大的内存合作伙伴,未来也将继续保持这一地位,不会改变。

从产品矩阵来看,DRAM仍是威刚的核心支柱,5月份营收占比达52.9%。与此同时,自第二季度起NAND Flash价格涨势逐步增强,带动SSD需求的明显回暖。5月份SSD单月营收攀升至47.3亿元,环比大增47%,创下历史新高,其在总营收中的比重也提升至36.5%。此外,存储卡、U盘及其他产品占比为10.6%。

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据韩媒援引业内人士消息称,得益于先进2nm工艺和HBM芯片产量的提升,受良率提升和大宗订单的推动,三星电子晶圆代工业务部门有望将扭亏为盈的目标时间从原定的今年年底或明年提前至今年第三季度。这标志着该部门在经历了自2022年开始的数万亿韩元亏损后,时隔约四年终于扭亏为盈。

在产品线方面,目前DDR4的市场供给尚未出现明显改善迹象。宜鼎预计,第三季度DRAM价格的上涨趋势将更加明确,有望维持两位数的百分比涨幅。同时,自第二季度起,NAND Flash的需求快速升温,近两个月的NAND相关营收已超过第一季度整季水平,预计第二季度该业务营收将接近翻倍,成为下一阶段的核心增长动力。目前,这部分增量需求主要来自AI相关应用,市场同样面临缺货现象。

简讯快报

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上市公司

数据有延时,06-13 05:57
存储原厂
三星电子 KRW 322500 +7.86%
SK海力士 KRW 2150000 +2.33%
铠侠 JPY 81200 +7.64%
美光科技 USD 981.610 -1.43%
西部数据 USD 562.925 +6.35%
闪迪 USD 1980.100 +5.24%
南亚科技 TWD 374.0 +10.00%
华邦电子 TWD 172.0 +9.90%
主控厂商
群联电子 TWD 2310 +5.00%
慧荣科技 USD 280.490 +2.24%
联芸科技 CNY 68.01 -1.08%
点序 TWD 88.0 +3.53%
品牌/模组
江波龙 CNY 514.89 +0.02%
希捷科技 USD 931.040 +7.25%
宜鼎国际 TWD 1805 +5.56%
创见资讯 TWD 305.5 +4.62%
威刚科技 TWD 405.5 +2.79%
世迈科技 USD 64.130 -0.31%
朗科科技 CNY 59.55 -4.96%
佰维存储 CNY 327.90 +1.12%
德明利 CNY 617.43 -2.36%
大普微电子 CNY 593.96 -9.73%
大为股份 CNY 38.19 -1.50%
封测厂商
华泰电子 TWD 53.8 +2.87%
力成 TWD 347.5 +4.35%
长电科技 CNY 68.92 -4.21%
日月光 TWD 590 +8.46%
通富微电 CNY 57.22 -4.78%
华天科技 CNY 16.06 -4.12%