上下游产业链各方在现货贸易市场释放出大量此前囤积的64GB eMMC产品库存,加上市场个别报价偏低,存储厂商出货普遍承压,本周32GB、64GB eMMC产品价格小幅调降。

由于初步协议被否决,劳资双方预计将立即进入重新谈判阶段。预计具体的调整将集中在关键争议点上,例如计入绩效奖金的库存股比例以及股票拆分出售的条件。

2026年上半年,佰维存储嵌入式存储营收102.84亿元,占整体存储产品营收的76.5%;工业级存储营收2.92亿元,占比为2.2%,消费级存储营收28.75亿元,占比为21.38%。

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戴尔渠道合作伙伴Advizex首席执行官C.R. Howdyshell透露,戴尔已正式实施为期30天的报价有效期承诺。他表示:“这是支持合作伙伴社区的一大重要进步,它给了我们更多的喘息空间,也避免了因频繁修改报价而产生的大量繁琐工作。”

截至报告期末,大普微存货金额为30.07亿元,占总资产比例为39.85%,较2025年年末增长107.8%。

三款产品覆盖手机终端、通用 AI 加速、车载智驾三大方向,标志着小米自研芯片业务从单一手机主芯片,向人车家全场景算力底座延伸。

HBM 的堆叠层数正不断攀升:早期为4层,当前主流12-16层,未来方向20层以上。层数越多,带宽和容量越大,但功率密度也随之急剧上升,散热难度显著增加。这已成为 HBM 进一步扩展面临的核心工程挑战。

长存控股主营业务收入来源主要为NAND Flash产品,根据产品形态分为存储芯片、智能终端产品和固态硬盘,今年一季度存储芯片营收占比为50.84%;智能终端营收占比为35.53%;固态硬盘营收占比为10.05%。

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值得注意的是,这是阿里自2019年港股上市以来首次启动新股配售。这一不寻常的举动,折射出AI大规模投入对公司资金面形成的压力。

据韩媒报道,尽管AI驱动的内存需求加剧了DRAM的供应短缺,但预计三星电子今年下半年的增产速度将低于市场预期。这主要是因为三星电子优先考虑从10nm第五代(1b)工艺向10nm第六代(1c)工艺的过渡,更加注重提高良率而非扩大产量。

据外媒报道,英伟达已告知部分大型客户,由于内存芯片成本飙升,搭载其人工智能芯片(包括 Vera Rubin 和 Grace Blackwell 芯片)的服务器价格将提高 15% 以上,具体涨幅取决于芯片的代数和内存配置。据悉,此次价格上涨将从明年年初开始。

闪迪发布了专为现代网络附加存储 (NAS) 环境打造的NAS高耐久性SSD产品组合,包括SANDISK NAS 600 SATA SSD和SANDISK NAS 800 NVMe SSD。该产品专为多用户或要求苛刻的创意专业工作负载而设计,旨在提供严苛的NAS工作负载所需的可靠、稳定的性能、高耐久性和可扩展性。

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阿里CEO 吴泳铭在电话会上表示,AI 算力资本开支投入预计可三年内回本,考虑到 AI 相关产品毛利率持续提升以及自研芯片比例提高,未来有望缩短至 2.5 年甚至 2 年。对于 2030 年前云外部收入达到 1000 亿美元的目标,管理层表示具备较强信心。

创见宣布推出全系列DDR5-7200工业级内存模组,凭借极速传输、稳定运作与多元规格配置,满足新一代运算平台对效能与资料处理能力的更高需​​求。产品线涵盖CUDIMM、CSODIMM、ECC CUDIMM、ECC CSODIMM及RDIMM,应用范围从AI PC、桌面电脑与工业嵌入式系统,延伸至工作站、服务器及数据中心。

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其主要研究领域包括关键存储技术、先进的存储和计算架构、封装以及未来半导体制造。

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据台媒报道,FADU商务长金泰均(Tony Kim)近日表示,存储短缺情况至2027年仍难明显改善,主因新增产能从投资、建厂到量产需要时间。FADU产品布局已由PCIe Gen5延伸至Gen6、Gen7。据悉,Gen6控制器今年上半年完成chip out,预计下半年起出货;Gen7设定传输效能目标达每秒57GB,针对数据处理需求重新设计架构,目前正与客户讨论规格,预计2028年开始送样验证。

据媒体报道,Primemas将于今年下半年与美光科技合作开始量产JBOM(just a bunch of memory)。该系统将多张CXL存储卡组合成一个更大的共享存储池。公司计划在明年年底前通过Compute Express Link (CXL) 内存解决方案创造2亿美元的收入,该解决方案可在单个服务器上支持超过100TB的内存。

AMD预计从2024年到2026年中,其机架级AI能效提高4倍,高于该阶段预计的3倍目标,且是同一时期历史趋势线的两倍多。到2030年,AMD目标实现AI训练和推理机架级效率提高20倍。

从HBM4开始,先进逻辑工艺将被应用于基础芯片(Base Die),存储器和系统半导体之间的界限正变得越来越模糊。这意味着AI加速器与HBM的协同优化变得至关重要——与其分别开发AI芯片和HBM再进行整合,不如从产品设计的早期阶段就对二者进行联合优化。

据韩媒报道,三星电子计划将其京畿道平泽半导体基地的核心设施——P5 1号和2号工厂,从现有的"双层晶圆厂"结构升级为"三层晶圆厂"结构。旨在顺应全球AI半导体和存储器"超级周期",最大化产能。

简讯快报

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上市公司

数据有延时,08-26 16:10
存储原厂
三星电子 KRW 261500 +1.75%
SK海力士 KRW 1688000 +0.60%
长鑫科技 CNY 56.10 -0.71%
铠侠 JPY 50000 -2.46%
美光科技 USD 932.970 +2.48%
西部数据 USD 450.750 +3.53%
闪迪 USD 1480.770 -0.83%
南亚科技 TWD 517 +1.37%
华邦电子 TWD 181.5 +1.40%
主控厂商
群联电子 TWD 2125 +1.92%
慧荣科技 USD 241.830 -0.56%
联芸科技 CNY 63.35 -4.95%
点序 TWD 62.0 +4.38%
品牌/模组
江波龙 CNY 364.19 -1.48%
希捷科技 USD 821.670 +3.40%
宜鼎国际 TWD 1500 -0.66%
创见资讯 TWD 301.0 +0.67%
威刚科技 TWD 416.0 -0.60%
世迈科技 USD 50.380 -0.59%
朗科科技 CNY 39.72 0.00%
佰维存储 CNY 223.46 -1.91%
德明利 CNY 390.66 -1.60%
大普微电子 CNY 391.00 -1.26%
大为股份 CNY 31.18 -4.44%
封测厂商
华泰电子 TWD 44.15 +1.85%
力成 TWD 286.0 +4.57%
长电科技 CNY 73.73 -0.43%
日月光 TWD 592 +0.17%
通富微电 CNY 61.25 +0.57%
华天科技 CNY 16.66 -1.07%