据韩媒援引业内人士消息,继去年6月大规模派遣外籍员工后,三星电子持续向其位于美国德克萨斯州泰勒工厂增派关键人员。随着投产在即,现场准备工作正在加速推进。三星电子的基本方针是今年尽可能完成工厂建设和量产验证,并于明年开始全面量产。

SK海力士声明,为提升业务竞争力,公司正在探讨多种方案,但目前尚未做出决定。

据韩媒援引业内人士消息,尽管今年2月三星HBM4量产初期良率一度跌破60%,近期其良率已接近80%,且较原定年底达成80%的目标提前约4个月。据悉,三星电子已设定内部目标,力争在年底前将其HBM市场份额提升至与DRAM整体市场份额(约38%)相近的水平。

今年以来,Alphabet已通过在美国、欧洲和日本连续发行公司债券筹集了超过500亿美元的资金。此外,该公司在6月份进行了一项规模达850亿美元的大规模配股,以确保资金来源。

据韩媒报道,三星电子已与美国半导体企业Netlist达成专利纠纷和解。双方签署了一项为期5年的战略合作协议,内容涉及专利交叉许可、存储产品供应和技术合作。

华邦电子总经理陈沛铭预期,本季DRAM价格将继续上扬,Flash产品有望同步调涨,对下半年营运持乐观态度。

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据媒体报道,英伟达正在研发新技术,未来可以让SSD充当额外显存。

SK海力士之所以选择在清州建设新的NAND闪存生产基地,是因为能够加快新晶圆厂的建设。清州园区已建成M11、M12、M15 NAND闪存生产设施,新建晶圆厂可与现有产线协同增效;同时厂址、电力及用水等基础设施也已基本就绪。清州M17晶圆厂总建筑面积约20.6万坪(约68万平方米),计划明年2月开工,2028年12月启用首个无尘室。投资期将持续至2031年4月,并将根据业务进度分阶段实施。

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华邦电近日召开法说会,总经理陈沛铭表示,高雄现有Module A 月产能将由目前1.5万片扩增至2.4万片,预计今年底开始投片。为应对客户对2029 年以后产能的强烈需求,公司启动Module B建设,预计2027年动工、2029年装机及量产,未来将支援16nm、14nm及12nm制程,实际产出与营收贡献则主要落在2030年。

业界消息指出,因4纳米制程产能接近满载,三星顺势调整策略,积极推广成熟且具成本优势的5纳米制程,吸引国内外无晶圆厂(Fabless)客户采用。

从下游需求端来看,尽管4月和5月渠道市场需求相对疲弱,但自6月下旬起,渠道库存已恢复至健康水位。进入7月和8月,市场需求持续回升,OEM及品牌渠道拉货同步增温。威刚表示,第三季度的营运表现将优于第二季度,整体业绩有望持续攀高。

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FADU 正在推进一项业务计划,绕过内存厂商,将 SSD 控制器直接供货给服务器客户。该公司的目标是进一步拓展超大规模客户群。目前,FADU 已拿下的超大规模客户包括 Meta 等。

据媒体报道,南亚科技董事会日前通过多项重大决议,宣布启动5A新厂长期投资计划。

闪迪预计数据中心占总TAM市场份额将从2025年的约30%提高至2026年的50%左右,并在2027年继续领先市场。智能手机和PC市场虽然今年处于调整期,但智能手机平均容量显著提高,大约增长14%-16%,PC OEM厂商正通过利润更高的产品组合实现收入增长和利润率扩张,反映出市场对高端设备的需求。预计明年这两个市场出货量将趋于稳定,平均容量将恢复整体EB级增长。

CoreWeave 与 Solidigm 建立了这项多年期协议,以确保在企业加速采用人工智能以及整个行业存储供应日益紧张的情况下,能够优先分配资源。

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AMD CEO苏姿丰强调,数据中心营收同比翻番以上,创下了历史最高水平的营收和盈利能力,目前仍处于多年AI采用周期的早期阶段。

CFM预计,受终端需求疲软削弱下游承接意愿,叠加QLC SSD加速导入等因素影响,四季度消费级NAND Flash及SSD合约价上涨动能已基本枯竭。短期上游高成本与下游弱需求的结构性矛盾难以快速消解,现货端嵌入式存储价格仍存下行压力。在此背景下,部分原厂计划通过灵活调整NAND Flash产能投放,以期实现行业供需的动态均衡。

此次发布的新一代QLC 3D,核心亮点在于应用了革命性的“CMOS直接键合至阵列”(CBA)技术。该技术通过在独立的晶圆上分别制造CMOS逻辑电路与存储阵列,随后利用高精度晶圆对晶圆对准工艺将两者键合在一起。得益于这一架构创新,新一代3D闪存的读写带宽较第八代产品获得显著提升,并成为业界首款接口速率达到4.8 Gb/s的QLC 3D闪存技术。

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Bravera SC6 集成了硬件 RAID 引擎和先进的 LDPC 纠错引擎,并内置了 Marvell 第六代 NANDEdge 技术。它拥有 16 个 3600MT/s 的 NAND 闪存通道,每个通道支持 8 个 CE,兼容来自多家原厂的不同类型闪存(包括 SLC、MLC、TLC 和 QLC)。

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三星电子在美国圣克拉拉举行的2026年未来存储与内存大会(FMS)上,公布其最新的AI内存产品组合和技术路线,展示业界首款zHBM、zNAND-O概念产品、400层以上V10BV-NAND,以及一系列旨在推进未来AI基础设施发展的综合解决方案。

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简讯快报

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上市公司

数据有延时,08-10 22:25
存储原厂
三星电子 KRW 230000 -0.43%
SK海力士 KRW 1420000 -0.14%
长鑫科技 CNY 51.42 -2.02%
铠侠 JPY 48010 +0.59%
美光科技 USD 877.570 -0.44%
西部数据 USD 434.300 -3.81%
闪迪 USD 1212.210 -3.68%
南亚科技 TWD 502 +9.85%
华邦电子 TWD 179.5 +9.79%
主控厂商
群联电子 TWD 2040 +0.99%
慧荣科技 USD 256.120 -4.23%
联芸科技 CNY 57.89 -2.77%
点序 TWD 65.2 +6.02%
品牌/模组
江波龙 CNY 410.29 +6.13%
希捷科技 USD 812.760 -4.71%
宜鼎国际 TWD 1465 -2.33%
创见资讯 TWD 295.5 -0.51%
威刚科技 TWD 411.0 -1.20%
世迈科技 USD 58.430 +3.86%
朗科科技 CNY 42.39 -10.00%
佰维存储 CNY 241.80 -1.26%
德明利 CNY 400.55 -0.89%
大普微电子 CNY 433.60 -3.19%
大为股份 CNY 29.93 -0.80%
封测厂商
华泰电子 TWD 44.85 +1.93%
力成 TWD 288.5 +9.90%
长电科技 CNY 78.52 +0.99%
日月光 TWD 630 +7.69%
通富微电 CNY 63.20 -2.35%
华天科技 CNY 18.06 +0.44%