由于生成式人工智能(AI)模型训练所需的硬件资源正面临极度短缺,OpenAI选择通过这种资本绑定的方式,确保自身能够获得稳定的算力基础设施。

据韩媒报道,三星电子近期将约7.5万片晶圆(占其每月15万片HBM DRAM晶圆投入量的一半)用于HBM4的生产,剩余一半则用于生产第五代HBM3E 12层产品。据悉,市场需求相对较低的HBM3E 8层产品的生产已暂时停止,并将产能转移至HBM4的生产。

本次集采分为两个标包,其中ARM-A服务器(G系列)数量28000台,C86服务器(G系列)12000台,总计40000台,均为国产化设备,共吸引10家厂商参与竞标。招标资料显示,两个标包都对SSD硬盘设置了最高投标限价,具体而言“480GB SATA SSD 硬盘”配件单价设置最高投标限价为1635.00元人民币(不含增值税),投标人该配件单价报价高于最高投标限价的,其投标将被否决。

据外媒报道,三星计划到2029年实现420层NAND闪存解决方案,到2030年实现超过560层。随后在下一个十年之初,三星计划将层数翻番,实现超过1000层的解决方案。层数翻倍会带来晶圆翘曲和层间对准误差等问题,但据悉三星计划引入Upper Chuck Design方案和Overlay Correction(叠对校正)技术解决相关问题。

3月中下旬以来,现货贸易端NAND wafer价格开始出现反转而向下调整,即便市场不时仍有买盘承接,也难以扭转wafer贸易价阴跌的局面,近期部分有一定变现压力的小型贸易商不断压低报价。经过连续数月的缓慢下跌后,个别wafer已跌回1月底的价位水平。为反映当前现货资源贸易价格变化,今日512Gb TLC、1Tb QLC wafer价格分别下调至22.50美金、26.50美金。

JEDEC制定并公布了SPHBM4标准。SPHBM4是一项新的JEDEC标准,使用更少的信号引脚、标准封装和更经济的基板,即可实现接近HBM4的性能。SPHBM4将信号引脚数量减少到原来的五分之一,并通过将信号速度提高至原来的四倍,缓解性能损失的问题。这将使HBM制造商能够减少对昂贵的高级封装解决方案的依赖。

据《朝鲜日报》引述业内消息称,SK海力士正考虑略微推迟部分第五代HBM(HBM3E)产线向HBM4的转换计划。这一政策的核心在于提升对通用DRAM市场的响应速度。目前,通用DRAM的营业利润率已超越HBM,此举旨在确保更多利润。业界普遍认为,这反映出SK海力士的判断:鉴于其在HBM市场已稳占主导地位,目前并无必要急于向HBM4及第七代HBM(HBM4E)过渡。

美光科技宣布与人工智能公司Anthropic达成一项全面战略合作协议。此次合作涵盖内存与存储AI架构设计、产品供需协议、美光内部企业级AI应用部署,以及美光对Anthropic H轮融资的战略投资。该协议旨在将前沿AI模型的需求与底层基础设施的设计、供应及大规模部署紧密结合。

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三星电子今天推出业内速度最快的通用闪存存储 (UFS) 5.0 解决方案。该方案实现了业界最高的10.8GB/s带宽,顺序读取速度高达10.8 GB/s,顺序写入速度高达9.5 GB/s,顺序读写速度较上一代UFS 4.1标准快两倍以上。三星UFS 5.0方案显著提升了移动内存的存储和处理速度,同时提高了能效并缩小了封装尺寸,可提供更佳的设备端AI体验。三星将于今年第四季度开始量产UFS 5.0,容量最高可达1TB。

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据业内人士分析,谷歌正在开发一款基于TPUv9(Humufish)升级版的芯片,代号可能为Triggerfish。联发科独家获得了这份新的、价格更高的订单。据悉,升级版v9(Triggerfish)与Humufish的主要区别在于:SRAM容量显著增加到Humufish的2-3倍,新增模拟芯片,且内存从Humufish的HBM4升级到HBM4E。在Humufish生命周期400-500万科出货量预估不变的情况下,谷歌额外追加100-200万颗Triggerfish,预计2027年底开始生产,2028年放量。

面对严峻的供需形势,潘健成透露,尽管群联已获取了相对充足的供应渠道,但客户需求增速仍快于供给增速,群联目前只能优先保障核心客户的需求。为应对危机,群联正全力囤货,第一季度存货规模已突破700亿元新台币,且库存水位仍在持续攀升。在供给极度紧缺的环境下,现在的市场并非“有钱就能买到货”,而是必须依赖原厂的供货支持,因此群联的策略是积极建立库存,多多益善。

作为每年6月和12月举行的常规会议,全球战略会议的核心目的是复盘上半年业绩并制定下半年销售策略。在当前AI需求激增导致内存供应紧张的背景下,强化HBM业务成为了今年会议的绝对重心。除了产品与技术,三星电子还重点复盘了自今年年初起针对大型科技巨头推进的LTA战略。

告期间,韩国半导体出口额跃升至255亿美元,同比暴涨188.4%,几乎达到去年同期的2.9倍,同样创下历史新高。半导体出口额占韩国总出口额的比重高达41.2%,较去年同期大幅增加了18.3个百分点。

P5 Fab 2是三星电子平泽园区内将建设的第六座工厂,也是平泽园区的最后一条半导体生产线。基于300mm晶圆计算,预计其月产能可达20万至30万片,目标是在2029年实现首次投产。该厂将涵盖从HBM到下一代DRAM、NAND闪存和晶圆代工产线在内的全部产品。

适逢端午节假期,按国家规定放假3天,即6月19日-6月21日放假,6月19日所有产品均暂停报价,6月22日(星期一)恢复报价。

当AI浪潮席卷全球,曾经普通的存储芯片正蜕变为科技界最紧缺的战略资源。随着内存成本大幅攀升,一向以供应链掌控力著称的苹果也不得不宣布“涨价不可避免”。这场由AI引发的存储争夺战,不仅将推高消费电子终端的售价,拉长消费者的换机周期,更在无形中加剧了手机行业的马太效应。

此次新产品较上一代HBM4,性能和能效均取得了跨越式升级。其引脚速率最高可达16Gbps,并将能效提高20%以上,显著提升了AI训练和推理所必需的数据处理能力。

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陈俊圣透露,宏碁的库存规模已从第一季底的约700多亿元(新台币,下同),上升至目前的800多亿元,逼近历史新高。目前增加的库存绝大多数属于存储器等关键零组件,且多为涨价前以较低成本取得的“低价库存”;而成品库存则维持在6至8周的正常水准。

伴随本轮扩张,阿里云未来还将在荷兰、巴西新设地域节点,并进一步扩建韩国、迪拜等地的数据中心,持续推动AI与云计算能力的全球普惠。

据韩媒报道,三星目前正与多家合作伙伴共同研发用于量产第七代10纳米(1d)DRAM的设备,并计划于明年第二或第三季度推出。考虑到实际量产准备所需的时间,预计最早将于明年年底开始1d DRAM的初步量产。三星的1d DRAM预计将被用于第九代高带宽内存(HBM5E)的核心芯片,该产品拟于2029年实现商业化。

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上市公司

数据有延时,06-25 06:50
存储原厂
三星电子 KRW 340500 +9.84%
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铠侠 JPY 92500 +0.23%
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西部数据 USD 624.520 -6.89%
闪迪 USD 1882.690 -4.12%
南亚科技 TWD 443.5 -2.42%
华邦电子 TWD 205.0 -3.07%
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威刚科技 TWD 408.5 -0.85%
世迈科技 USD 63.030 -5.87%
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长电科技 CNY 94.70 +10.00%
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