量价共振下,二季度原厂NAND Flash销售收入环比均延续增长态势。据CFM闪存市场分析,2026年二季度全球NAND Flash市场规模持续增长,较一季度环比增长73.1%至767.76亿美元。

据韩媒ChosunBiz援引业内人士消息,SK海力士1c DRAM的比重从今年第一季度的10%左右增长到第二季度的13%左右,预计第三季度将增长到24%左右,第四季度将增长到34%左右。预计明年第一季度1c DRAM占比将达到35%左右,首次超过1b(33%左右),成为主流工艺。此外,不同于三星自HBM4阶段开始应用1c DRAM,SK海力士出于优先考虑量产稳定性将在HBM4中采用成熟的1b DRAM,并在HBM4E中首次应用1c DRAM。

据韩媒援引业内人士消息,美国专利商标局(TPO )于当地时间2日裁定长江存储(YMTC)的一项专利(注册号12,010,838,以下简称838号专利)无效。至此,美光科技向TPO提起无效宣告的19项长江存储专利中,已有7项被宣告无效。报道称,长江存储可能会就此无效宣告裁决提起上诉。此外,尽管美光7项YMTC专利(包括838号专利)被宣告无效,但在其向专利审判和上诉委员会提起无效诉讼的19项YMTC专利中,有12项被裁定有效。

展望三季度,原厂与部分服务器客户已锁定长协价格上限,加上非长协以外的价格上涨空间也正逐季缩小,预计三季度原厂DRAM ASP环比继续上涨、增速趋缓,与此同时,在三季度 DRAM bit出货量实现正增长的预期下,预计原厂三季度DRAM销售收入再创历史新高。

据媒体报道,铠侠近日举行了半导体存储器及其他技术的技术说明会。铠侠计划通过专为人工智能工作负载设计的CXL模组提高NAND闪存的处理速度,取代部分DRAM。据悉,CXL模组能将数据读取所需时间缩短至传统产品的1/10以下,凭借高速读取数据,其性能可更加接近DRAM。铠侠指出,若将部分DRAM换成CXL模组,容量能提高至2倍、性能提升3成。

为实现上述目标,美光正向多家HBM制造设备供应商增加采购订单,相关设备持续运入其中国台湾地区和新加坡工厂。目前,美光HBM封装业务主要在中国台湾铜锣厂和新加坡兀兰厂推进,日本广岛工厂的设备投资也在筹备之中。

长鑫存储强调,这是国产10667Mbps高速率LPDDR5X芯片首次量产应用。这款LPDDR5X内存单颗粒最高16Gb,较主流8533Mbps版本带宽提升约25%,同时功耗相比LPDDR5降低30%,兼顾高带宽输出与移动端续航表现。

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群联电子欧洲有限公司任命Ingvar Ersson为欧洲、中东和非洲区总经理兼总裁,Antony Zukowski为欧洲、中东和非洲区区域总监。Ersson 直接向 Phison 首席执行官 KS Pua 汇报工作。

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长江存储控股股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市的IPO审核状态变更。

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南亚科技公布2026年8月自结合并营收达446.9亿元(新台币,下同),环比增长1.88%,同比增长560.85%,续创单月营收历史新高;累计1-8月营收达2,201.94亿元,较去年同期大幅成长638.19%,营运动能持续升温。

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美国商务部长霍华德・卢特尼克近日接受采访时表示,特朗普政府正在制定半导体关税框架,相关关税即将落地。

据媒体报道,美光正探索开发高耐久性NAND闪存模块的方案,研究如何将NAND闪存更靠近GPU,以处理那些不需要传统HBM或常规DRAM模块那样高延迟和高带宽的工作负载。这种架构目前被称为“近GPU NAND”(Near-GPU NAND),旨在兼顾密度和耐久性。该方案允许GPU访问密度低于传统TLC或QLC NAND的NAND闪存池,但重点在于提升I/O速度、带宽和读取速度。该技术将使GPU能够直接访问数百GB的潜在存储池,LLM将不再受限于内存。

据媒体报道,英伟达已重新启动此前搁置的Rubin CPX项目,预计于明年一季度投产。相较于先前设计,新版CPX大幅强化预填充(prefill)效能,并对其规格和机架架构作出重大改动。DRAM规格由原来采用128GB GDDR7改为采用168GB HBM4,机架改用独立MGX ETL设计,客户可选64/128/192/256颗GPU配置,每64颗构成一个机架模组,由八个运算托盘(各含8颗CPX)与一个交换托盘组成。

Cherian直言,对于云服务商而言,若投入数十亿美元建设的AI处理器因等待内存带宽而闲置,等同于大量算力资本开支被浪费。因此,Google现阶段关注的核心不仅是内存价格,还有能否获得足够的内存,让昂贵的AI芯片持续保持高负荷运转。

三星将技术方向凝练为CUBE战略——Capacity(容量)、Utilization(优化)、Bandwidth(带宽)、Efficiency(功耗与散热效率),通过3D结构创新同步突破容量、带宽与能效瓶颈,产品线从通用DRAM、NAND扩展至HBM、企业级SSD及下一代zHBM、zNAND-O,形成覆盖AI内存全场景的产品矩阵。

尽管AI基础设施需求强劲,但供应链仍是戴尔释放业绩的最大约束。戴尔管理层表示,DRAM和NAND仍是主要瓶颈,先进制程相关产品也普遍面临供应限制。随着AI服务器、传统服务器和存储业务同步扩张,关键零部件供应能力将直接影响订单交付和收入确认节奏。

兆易创新9月1日召开2026年半年度业绩说明会。DRAM方面,公司预计DRAM产品在下半年还会延续上涨的态势,价格会转为温和上行。展望2027年,DRAM行业增量产能释放相对有限,DRAM供应的紧张局面不会明显缓解,行业景气周期相对较长,产品价格预计呈高位震荡态势。NAND方面,公司预计NOR Flash产品价格温和上涨预计仍将持续一段时间,其中大容量产品价格涨幅相对明显;SLC NAND Flash供应短缺目前仍未出现显著缓解,公司预计其景气周期至少延续至2027年全年。

三季度已然过半,原本传统消费电子的旺季却呈现出“旺季不旺”的景象,主要是由于前期伴随着存储涨价,需求端已进行近半年的积极备货,而二季度以来,各应用终端局部开始按下备货刹车键,尤其Q3市场显得分外冷清,甚至不时有抛货、退货、延迟提货的声音出现。

受上游供应链成本持续上涨影响,国内多家手机厂商于9月1日同步上调在售机型售价,调价覆盖中高端、中端多个主流价位段,旗舰机型涨价力度尤为突出。

V10 是三星最新的 3D NAND 闪存,专为满足人工智能时代对高性能、高容量和节能存储日益增长的需求而开发。基于三星的3D Bonded-VNAND架构,V10拥有超过400条字线(WL)。相比上一代产品V9,V10的位密度提升超过58%,数据I/O速度超过4.8Gbps,性能提升超过33%,同时功耗降低超过25%。三星电子计划将V10用于支持容量高达128 TB的超高容量SSD以及下一代 PCIe 7.0 SSD。

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简讯快报

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上市公司

数据有延时,09-08 07:21
存储原厂
三星电子 KRW 270000 +5.68%
SK海力士 KRW 1783000 +8.26%
长鑫科技 CNY 58.47 +6.70%
铠侠 JPY 59530 +9.31%
美光科技 USD 1016.590 +6.10%
西部数据 USD 467.460 +5.86%
闪迪 USD 1740.000 +11.90%
南亚科技 TWD 517 +4.23%
华邦电子 TWD 180.0 +3.45%
主控厂商
群联电子 TWD 2095 +3.97%
慧荣科技 USD 256.210 +8.70%
联芸科技 CNY 62.64 +2.69%
点序 TWD 61.8 -0.32%
品牌/模组
江波龙 CNY 358.22 +3.23%
希捷科技 USD 849.280 +6.34%
宜鼎国际 TWD 1405 +3.31%
创见资讯 TWD 289.5 +1.76%
威刚科技 TWD 412.0 +2.87%
世迈科技 USD 51.760 +6.44%
朗科科技 CNY 38.61 +3.10%
佰维存储 CNY 221.14 +3.68%
德明利 CNY 403.98 +3.24%
大普微电子 CNY 420.85 +3.79%
大为股份 CNY 28.15 +1.00%
封测厂商
华泰电子 TWD 43.30 +0.93%
力成 TWD 280.0 +1.27%
长电科技 CNY 69.00 +2.43%
日月光 TWD 621 +5.61%
通富微电 CNY 59.15 +4.01%
华天科技 CNY 16.08 +3.28%