美光科技与Anthropic宣布建立长期战略合作,内容覆盖AI内存与存储架构设计、多年期产品供应、Claude在美光内部的企业级应用,以及美光对AnthropicH轮融资的战略投资。
三星电子今天推出业内速度最快的通用闪存存储 (UFS) 5.0 解决方案。该方案实现了业界最高的10.8GB/s带宽,顺序读取速度高达10.8 GB/s,顺序写入速度高达9.5 GB/s,顺序读写速度较上一代UFS 4.1标准快两倍以上。三星UFS 5.0方案显著提升了移动内存的存储和处理速度,同时提高了能效并缩小了封装尺寸,可提供更佳的设备端AI体验。三星将于今年第四季度开始量产UFS 5.0,容量最高可达1TB。
据台媒报道,群联电子执行长潘健成近日表示,当前NAND Flash市场供给持续紧张,缺货情况深不见底。他预计,今年下半年的供需紧张程度将远超上半年,而明年的情况恐怕还会更加严峻。潘健成强调,Flash缺货将是一个长期且不可逆的趋势,目前公司的订单已经排到了2027年第一、第二季度。
三星电子近日召开了为期三天的全球战略会议。据韩媒引述业内人士消息,其DS部门会议重点围绕高带宽内存(HBM)的销售扩张以及长期供应协议(LTA)战略进行了深入探讨。
英韧科技联合辅导券商国泰海通,已于近日正式向上海证监局提交《辅导工作完成报告》。这标志着英韧科技历时一年半的上市辅导流程全部收官,即将向交易所递交正式上市申请。
据外媒报道,三星电子平泽P5 Fab 2工地近日已新部署了多台打桩机。行业人士表示,施工设备陆续进场,意味着P5 Fab 2的实质性施工即将开始,下个月左右破土动工的可能性很大。随着AI基础设施投资浪潮带动存储芯片订单激增,三星已将资本投资的时间表较原计划提前了约六个月。P5 Fab 2是三星电子平泽园区内将建设的第六座工厂,也是平泽园区的最后一条半导体生产线。基于300mm晶圆计算,预计其月产能可达20万至30万片,目标是在2029年实现首次投产。该厂将涵盖从HBM到下一代DRAM、NAND闪存和先进制程代工(合同制造)产线在内的全部产品。
SK海力士18日宣布,已向主要客户供应12层HBM4E样品,该产品是面向人工智能(AI)的下一代超高性能DRAM。此次新产品较上一代HBM4,性能和能效均取得了跨越式升级。其引脚速率最高可达16Gbps,并将能效提高20%以上,显著提升了AI训练和推理所必需的数据处理能力。
据韩媒THE ELEC援引业内人士消息称,ENF Technology已实现半导体制造过程中使用的氢氟酸的本地化生产,并于本月初完成产品质量认证,向SK海力士交付了首批半导体级氢氟酸(HF)。目前,该公司正在通过将其应用于生产流程来验证其稳定性。经过一到两周的初期运行后,从本月底开始,供应量将扩大到包括DRAM在内的主要生产线。
据韩媒THE ELEC报道,济州半导体副总裁黄柱元近日会见记者时表示,公司将在SK海力士的晶圆厂生产LPDDR5,作为LPDDR4X的后续产品。LPDDR5量产目标时间为2030年,具体规模尚未最终确定。据报道,济州半导体已与SK海力士签署合同,将在未来几年使用其工厂,生产基地据推测位于中国无锡。
铠侠今日在官网宣布其EXCERIA G3 SSD系列推出4TB型号,丰富了PCIe 5.0 产品线的容量选择,预计将于2026年7月上旬开始发售。此次新增的4TB型号采用基于其第八代BiCS FLASH™ 3D闪存技术的QLC存储器构建,为需要在AI应用和游戏主机环境中配备入门级SSD的用户提供了更多选择。EXCERIA G3 SSD系列的顺序读取速度高达10,000MB/s,顺序写入速度高达9,600MB/s。
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