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上海超硅拥有设计产能70万片/月的300mm半导体硅片生产线以及设计产能40万片/月的200mm半导体硅片生产线,旗下产品已量产应用于先进制程芯片,包括NAND Flash/DRAM(含HBM)/NOR Flash等存储芯片、逻辑芯片等。

2025年6月16日,江波龙与全球知名的存储解决方案提供商Sandisk(闪迪)在中山存储产业园签署合作备忘录(Binding MOU)。此次合作将深度整合双方优势资源,为客户带来高品质的UFS存储解决方案,助力客户推出市场...

据韩媒thebell报道,SK海力士计划推迟对10nm级第六代DRAM(1c DRAM)的投资,目的是专注于需求可见度高、盈利能力强的高带宽存储器(HBM)的生产。

从HBM5开始,冷却技术将成为关键,通过3D异构集成和先进封装技术,将部分基础芯片(Base Die)移至HBM顶部。

在完成第二座爱达荷州晶圆厂建设后,美光计划将先进的HBM封装能力引入美国。

据悉三星电子将从第五代HBM"HBM3E"开始应用飞秒激光。但由于设备刚启动导入,实际目标产品更可能是第六代"HBM4"。

未来,美光将仅向汽车、工业和通信三大应用领域的长期客户供应DDR4/LPDDR4X产品。

对于未来业绩展望,郭鲁正表示:“今年和明年的业绩很难预测,但目前为止,一切进展都与计划相符,让我们共同努力,实现计划。”

美光曾计划到2030年代中期,通过爱达荷州博伊西和纽约州克莱镇的两大生产基地,将40%的DRAM产能转移至美国本土。但鉴于当前延误,能否如期执行该计划尚不明朗。

美光 HBM4 采用 2048 位接口,每个内存堆栈的速度超过 2.0 TB/s,性能较上一代提升 60% 以上,将帮助 AI 加速器更快地响应并更有效地进行推理。

首批SOCAMM模块基于堆叠式 LPDDR5X 芯片,将用于英伟达即将推出的 AI 加速器平台 Rubin,该平台计划于明年发布。

这起诉讼引发的问题极其重要,因此法院有必要采取罕见措施,由11 名法官组成的法庭审理上诉,而不是原本由三名法官组成的合议庭审理。法院预定将于7月31日辩论。

干式PR在超精细工艺(如10纳米级别)中更具优势,可避免湿式PR因液体显影和剥离导致的图案变形问题,同时提高曝光精度,提高良率。

SK海力士将把4F² VG(垂直栅极)平台和3D DRAM技术应用于10纳米及以下工艺,并在结构、材料和组件方面进行创新。

本次交易实施后,海光信息将承继及承接中科曙光的全部资产、业务、人才、研发成果及其他一切优势资源。基于此,海光信息将延展出与芯片紧密配套的下游业务矩阵,进一步增强海光高端芯片与整机系统间的生态协同。

股市快讯 更新于: 06-26 11:59,数据存在延时

存储原厂
三星电子60200KRW-1.79%
SK海力士294250KRW+2.88%
铠侠2565JPY+1.38%
美光科技127.250USD-0.52%
西部数据62.550USD+0.77%
闪迪47.250USD-0.19%
南亚科技54.5TWD-0.91%
华邦电子20.80TWD+2.72%
主控厂商
群联电子510TWD-2.11%
慧荣科技71.460USD-1.19%
联芸科技41.00CNY-0.61%
点序55.7TWD+0.18%
品牌/模组
江波龙81.30CNY-1.68%
希捷科技138.540USD+2.18%
宜鼎国际243.5TWD+1.67%
创见资讯105.0TWD+2.44%
威刚科技95.0TWD-0.94%
世迈科技20.380USD+0.15%
朗科科技24.87CNY-0.48%
佰维存储66.02CNY-0.96%
德明利125.86CNY-1.13%
大为股份18.86CNY-2.78%
封测厂商
华泰电子40.95TWD0.00%
力成132.0TWD0.00%
长电科技33.26CNY+0.12%
日月光152.0TWD-0.65%
通富微电24.98CNY-0.04%
华天科技9.13CNY-0.22%