上海超硅拥有设计产能70万片/月的300mm半导体硅片生产线以及设计产能40万片/月的200mm半导体硅片生产线,旗下产品已量产应用于先进制程芯片,包括NAND Flash/DRAM(含HBM)/NOR Flash等存储芯片、逻辑芯片等。
2025年6月16日,江波龙与全球知名的存储解决方案提供商Sandisk(闪迪)在中山存储产业园签署合作备忘录(Binding MOU)。此次合作将深度整合双方优势资源,为客户带来高品质的UFS存储解决方案,助力客户推出市场...
据韩媒thebell报道,SK海力士计划推迟对10nm级第六代DRAM(1c DRAM)的投资,目的是专注于需求可见度高、盈利能力强的高带宽存储器(HBM)的生产。
从HBM5开始,冷却技术将成为关键,通过3D异构集成和先进封装技术,将部分基础芯片(Base Die)移至HBM顶部。
在完成第二座爱达荷州晶圆厂建设后,美光计划将先进的HBM封装能力引入美国。
据悉三星电子将从第五代HBM"HBM3E"开始应用飞秒激光。但由于设备刚启动导入,实际目标产品更可能是第六代"HBM4"。
未来,美光将仅向汽车、工业和通信三大应用领域的长期客户供应DDR4/LPDDR4X产品。
对于未来业绩展望,郭鲁正表示:“今年和明年的业绩很难预测,但目前为止,一切进展都与计划相符,让我们共同努力,实现计划。”
美光曾计划到2030年代中期,通过爱达荷州博伊西和纽约州克莱镇的两大生产基地,将40%的DRAM产能转移至美国本土。但鉴于当前延误,能否如期执行该计划尚不明朗。
美光 HBM4 采用 2048 位接口,每个内存堆栈的速度超过 2.0 TB/s,性能较上一代提升 60% 以上,将帮助 AI 加速器更快地响应并更有效地进行推理。
首批SOCAMM模块基于堆叠式 LPDDR5X 芯片,将用于英伟达即将推出的 AI 加速器平台 Rubin,该平台计划于明年发布。
这起诉讼引发的问题极其重要,因此法院有必要采取罕见措施,由11 名法官组成的法庭审理上诉,而不是原本由三名法官组成的合议庭审理。法院预定将于7月31日辩论。
干式PR在超精细工艺(如10纳米级别)中更具优势,可避免湿式PR因液体显影和剥离导致的图案变形问题,同时提高曝光精度,提高良率。
SK海力士将把4F² VG(垂直栅极)平台和3D DRAM技术应用于10纳米及以下工艺,并在结构、材料和组件方面进行创新。
本次交易实施后,海光信息将承继及承接中科曙光的全部资产、业务、人才、研发成果及其他一切优势资源。基于此,海光信息将延展出与芯片紧密配套的下游业务矩阵,进一步增强海光高端芯片与整机系统间的生态协同。
存储原厂 |
三星电子 | 60200 | KRW | -1.79% |
SK海力士 | 294250 | KRW | +2.88% |
铠侠 | 2565 | JPY | +1.38% |
美光科技 | 127.250 | USD | -0.52% |
西部数据 | 62.550 | USD | +0.77% |
闪迪 | 47.250 | USD | -0.19% |
南亚科技 | 54.5 | TWD | -0.91% |
华邦电子 | 20.80 | TWD | +2.72% |
主控厂商 |
群联电子 | 510 | TWD | -2.11% |
慧荣科技 | 71.460 | USD | -1.19% |
联芸科技 | 41.00 | CNY | -0.61% |
点序 | 55.7 | TWD | +0.18% |
品牌/模组 |
江波龙 | 81.30 | CNY | -1.68% |
希捷科技 | 138.540 | USD | +2.18% |
宜鼎国际 | 243.5 | TWD | +1.67% |
创见资讯 | 105.0 | TWD | +2.44% |
威刚科技 | 95.0 | TWD | -0.94% |
世迈科技 | 20.380 | USD | +0.15% |
朗科科技 | 24.87 | CNY | -0.48% |
佰维存储 | 66.02 | CNY | -0.96% |
德明利 | 125.86 | CNY | -1.13% |
大为股份 | 18.86 | CNY | -2.78% |
封测厂商 |
华泰电子 | 40.95 | TWD | 0.00% |
力成 | 132.0 | TWD | 0.00% |
长电科技 | 33.26 | CNY | +0.12% |
日月光 | 152.0 | TWD | -0.65% |
通富微电 | 24.98 | CNY | -0.04% |
华天科技 | 9.13 | CNY | -0.22% |
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