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当地时间12日，美光与特朗普政府宣布，美光计划将其美国投资扩展至约 1500 亿美元用于内存制造，以及 500 亿美元用于研发，预计将创造 9 万个直接和间接就业岗位。美光计划在原有计划之外再投资 300 亿美元，其中包括在爱达荷州博伊西建设第二个尖端内存晶圆厂；弗吉尼亚州马纳萨斯扩建并现代化改造；并将先进封装能力引入美国，以支持高带宽内存（HBM）的长期增长，而 HBM 对人工智能市场至关重要。此外，美光还宣布了一项计划中的 500 亿美元国内研发投资，重申其作为全球内存技术领导者的长期地位。如之前宣布，美光的投资包括其在纽约的大型晶圆厂计划。

美光斥资约 2000 亿美元在美国的扩张计划包括在爱达荷州建设两个尖端大型晶圆厂，在纽约州建设多达四个尖端大型晶圆厂，扩建并升级其位于弗吉尼亚州的现有制造晶圆厂，提升先进的 HBM 封装能力，并进行研发，以推动美国创新和技术领先地位。这些投资旨在使美光能够满足预期的市场需求，保持市场份额，并支持美光在美国生产其 40% DRAM 的目标。

美光位于爱达荷州的首座晶圆厂已完成关键建设里程碑，预计2027年开始量产DRAM。第二座爱达荷州晶圆厂将提升美光在美国的 DRAM 产量，以满足由人工智能推动而不断增长的市场需求。美光预计将于今年晚些时候在纽约州完成州和联邦政府的环境审查程序后开始进行场地准备工作，预计第二座爱达荷州晶圆厂将比第一座纽约晶圆厂更早投产。美光将继续根据市场情况管理其供应增长。

在完成第二座爱达荷州晶圆厂建设后，美光计划将先进的HBM封装能力引入美国。此外，美光已最终确定获得 2.75 亿美元的《芯片法案》直接资助，用于支持其今年将启动的弗吉尼亚州马纳萨斯工厂的扩建和现代化改造投资。这项投资将使美光的 1-alpha DRAM 在美国本土生产。