三星平泽P4最新进展：PH1变身NAND/DRAM混合工厂，PH2用途待定

据韩媒报道，三星电子平泽第四园区工厂（P4）第二期（PH2）和第四期（PH4）的投资步伐正在加快。预计总投资约7万亿韩元（现场启用和装修工程各1.8万亿韩元）的外部建设将于今年下半年正式启动。

业内人士称，平泽园区的P4 PH2和PH4工地已经接到了施工指令。通常情况下，一旦接到施工指令，主体工程会在2~3个月后开始。他补充称：“正式开工时间为11月，但我们正在准备在9月即可开始前期施工的区域开展工作。”

三星电子最初计划将PH2 和 PH4 建成仅用于晶圆代工的生产线，但考虑到近期晶圆代工业务的低迷，因此并未仓促开工。在此过程中，PH2还曾被考虑改造成“混合晶圆厂”，用于 DRAM、NAND、晶圆代工和封装等多种生产线。据称，目前三星电子内部仍在讨论是将 PH2 用作 DRAM 生产基地，还是将其改造成混合晶圆厂。DRAM生产线PH4目前暂无进展，其建设工作已处于收尾阶段。

与此同时，目前正在建设的P4 PH1和PH3项目进展顺利。PH1最初设计为NAND闪存工厂，现已转变为同时生产NAND和10纳米级第四代（1a）DRAM的混合工厂，目前设备安装已进入收尾阶段。据悉，DRAM生产线PH3自6月起已开始陆续投入生产设备。