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消息称三星已打造更优秀DRAM结构,且良率提升至60%以上

编辑:Andy 发布:2025-06-25 16:42

据韩媒报道,三星电子已成功打造出一种比以往占用面积更小、发热量更低、电力和信息传输更顺畅的DRAM结构。

三星电子计划将新设计应用于其1c DRAM。预计以此方式生产的 DRAM 将用于计划于下半年生产的HBM4。

报道称,基于这项成果,三星电子已将最新DRAM生产良率大幅提升至60%以上,并已开始研究如何在新设计DRAM量产前进一步提高良率,同时还与客户合作开展测试,以查明产品实际商业化过程中可能出现的任何问题。

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股市快讯 更新于: 06-25 20:11,数据存在延时

存储原厂
三星电子61300KRW+1.32%
SK海力士286000KRW+2.69%
铠侠2530JPY-0.75%
美光科技127.910USD+4.78%
西部数据62.070USD+2.80%
闪迪47.340USD+0.83%
南亚科技55.0TWD-3.00%
华邦电子20.25TWD+1.00%
主控厂商
群联电子521TWD+0.58%
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联芸科技41.25CNY+2.46%
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品牌/模组
江波龙82.69CNY+0.96%
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宜鼎国际239.5TWD+2.35%
创见资讯102.5TWD+1.99%
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世迈科技20.350USD+3.88%
朗科科技24.99CNY+1.63%
佰维存储66.66CNY+2.08%
德明利127.30CNY+2.63%
大为股份19.40CNY+0.52%
封测厂商
华泰电子41.95TWD+0.96%
力成132.0TWD-0.75%
长电科技33.22CNY+0.97%
日月光153.0TWD+2.34%
通富微电24.99CNY+1.17%
华天科技9.15CNY+0.77%