权威的存储市场资讯平台English

消息称三星已打造更优秀DRAM结构,且良率提升至60%以上

编辑:Andy 发布:2025-06-25 16:42

据韩媒报道,三星电子已成功打造出一种比以往占用面积更小、发热量更低、电力和信息传输更顺畅的DRAM结构。

三星电子计划将新设计应用于其1c DRAM。预计以此方式生产的 DRAM 将用于计划于下半年生产的HBM4。

报道称,基于这项成果,三星电子已将最新DRAM生产良率大幅提升至60%以上,并已开始研究如何在新设计DRAM量产前进一步提高良率,同时还与客户合作开展测试,以查明产品实际商业化过程中可能出现的任何问题。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

本文标签:

股市快讯 更新于: 09-16 18:42,数据存在延时

存储原厂
三星电子79400KRW+3.79%
SK海力士348000KRW+5.14%
铠侠4705JPY+5.97%
美光科技157.770USD+0.34%
西部数据102.390USD+4.84%
闪迪90.090USD+4.60%
南亚科技69.2TWD+9.67%
华邦电子27.95TWD+4.29%
主控厂商
群联电子688TWD+3.61%
慧荣科技90.010USD+1.44%
联芸科技51.40CNY+1.50%
点序68.4TWD+8.74%
品牌/模组
江波龙115.23CNY+3.52%
希捷科技211.120USD+7.72%
宜鼎国际347.5TWD0.00%
创见资讯118.5TWD+1.72%
威刚科技132.0TWD+2.72%
世迈科技26.140USD+0.38%
朗科科技26.90CNY+1.24%
佰维存储80.00CNY+0.69%
德明利125.50CNY+6.44%
大为股份17.60CNY-0.96%
封测厂商
华泰电子43.70TWD+2.10%
力成148.5TWD-1.66%
长电科技38.70CNY+2.33%
日月光169.5TWD+1.80%
通富微电33.46CNY+1.55%
华天科技11.25CNY+1.53%