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美光科技宣布已向多家重要客户交付36GB 12层HBM4 样品。美光HBM4采用1β (1-beta) DRAM制造，与上一代 HBM3E 产品相比，能效提升20%以上，这项改进能够以最低功耗实现最大吞吐量，从而最大限度地提高数据中心效率。

美光 HBM4 采用 2048 位接口，每个内存堆栈的速度超过 2.0 TB/s，性能较上一代提升 60% 以上，将帮助 AI 加速器更快地响应并更有效地进行推理。

美光计划于2026年量产HBM4，与客户下一代AI平台的量产同步。

据供应链消息，英伟达新一代AI芯片——Rubin GPU及Vera CPU将于6月完成设计定案，最快9月提供客户样品。Rubin GPU采用台积电N3P制程，CoWoS-L先进封装技术，首次支持8层HBM4高带宽存储，预定2026年初量产。

SK海力士已于今年3月开始送样12层36GB HBM4，下半年完成量产准备。三星电子正在采用1c DRAM设计HBM4，计划于今年下半年实现量产，预计将于2026年开始商业供应。