美光耗资1000亿美元的园区建设遭遇延误

据外媒报道，美光计划斥资1000亿美元兴建的位于美国纽约州克莱镇DRAM生产基地（原计划2040年代完工）遭遇进度延误，其环境评估进程被推迟，公众意见征询期也被延长至8月。因此，原定于2024年开工的建设项目，在解决社区异议前无法启动。

该园区位于纽约州克莱镇附近，预计将成为美光迄今为止最大的制造基地，也是美国最大的半导体工厂之一。该基地预计将容纳四间洁净室，总面积达60万平方英尺（约5.57万平方米）。

该晶圆厂是美光扩大其美国生产战略的关键组成部分。克莱工厂的初期建设预计到本十年末（2030年前）投入约200亿美元，为后续更大规模扩建奠定基础。然而美光目前面临严重延误，报道称，这座200亿美元晶圆厂的延误正导致每日500万美元的损失。

美光曾计划到2030年代中期，通过爱达荷州博伊西和纽约州克莱镇的两大生产基地，将40%的DRAM产能转移至美国本土。但鉴于当前延误，能否如期执行该计划尚不明朗。