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HBM爆单!SK海力士专注扩大1b DRAM产能,推迟1c DRAM投资

编辑:Andy 发布:2025-06-16 16:54

据韩媒thebell报道,SK海力士计划推迟对10nm级第六代DRAM(1c DRAM)的投资,目的是专注于需求可见度高、盈利能力强的高带宽存储器(HBM)的生产。

SK海力士2024年8月宣布成功开发1c 16Gb DDR5 DRAM,原计划在2024年年内完成1c DDR5 DRAM量产准备,从2025年开始供应产品。

与前一代1b工艺相比,SK海力士1c DRAM生产率提高30%以上,将主要用于高性能数据中心,其运行速度为8Gbps,与前一代相比速度提高了11%,能效提高了9%以上。

SK海力士推迟1c DRAM量产线建设的原因在于,包括英伟达在内的主要AI半导体公司正在源源不断地涌入HBM订单。SK海力士今年的HBM产能已经售罄,明年的产能计划将在今年上半年完成与客户的最终协商。

据业界分析,HBM的盈利能力是普通DRAM的3-5倍。目前,HBM3 8层(24 GB)和HBM3E 8层(36 GB)产品售价分别在200美元出头和300美元出头。而计划在今年下半年及明年量产的HBM4 12层产品售价预计将超过600美元。

鉴于此,SK海力士正专注于扩大其1b DRAM产能,以作为HBM3E和HBM4核心芯片。其计划于下半年竣工的M15X也将安装1b DRAM量产线。SK海力士在4月举行的第一季度电话会议上也表示:“考虑到当前不确定的外部环境,正如我们之前强调的那样,我们将以需求可预见性高且盈利能力有保障的产品为中心进行投资,并进一步提高投资效率。” 

业界预计,SK海力士将在HBM4E量产后扩大1c DRAM的产能。SK海力士计划从HBM4E开始将1c DRAM用作核心芯片。

据半导体设备业内人士透露,目前主要AI半导体公司对HBM4的需求比预期延迟了,未来HBM4E的量产也可能会延迟。考虑到需求和盈利能力,SK海力士不需要仓促投资1c DRAM。

与SK海力士不同,三星电子正在加快1c DRAM的量产速度,主因其采用1c DRAM作为HBM4核心芯片,并计划于今年下半年实现量产,预计将于2026年开始商业供应。近日有报道称,为提高良率,三星电子决定在1c DRAM生产中采用干式PR(光刻胶)技术。此外,还计划将"飞秒激光"技术引入HBM制造流程。

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股市快讯 更新于: 07-07 08:34,数据存在延时

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