三星1c DRAM量产在即，干式光刻胶技术成关键

据韩媒报道，三星电子决定在1c DRAM生产中采用干式PR（光刻胶）技术，并已在平泽P4工厂完成相关设备安装。

干式PR在超精细工艺（如10纳米级别）中更具优势，可避免湿式PR因液体显影和剥离导致的图案变形问题，同时提高曝光精度，提高良率。

此外，业内人士称，使用干式PR时，对工艺参数变化的容许范围更广，相较于湿式PR，能够确保相对更宽的工艺容差。这意味着可以降低不良率，对确保高良品率更为有利。

三星此举旨在提升电路质量，减少信号干扰，为生产高可靠性DRAM（如HBM）奠定基础。

报道称，采用干式PR的1c DRAM预计明年量产，三星将成为首家在DRAM生产中应用干式PR技术的公司。