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  • 2026-07-11 20:20

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美光近年营收与净利润走势图

美光科技公布截至2026年5月28日的2026财年第三财季(2026年3-5月)业绩:营收414.56亿美元,同比大增346%,环比大增74%;Non-GAAP下,营业利润336.81亿美元,同比暴增12.5倍,环比增长105%;净利润288.57亿美元,同比暴增12.2倍,环比增长106%。

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美光宣布,受AI时代对存储器需求激增的推动,公司将加快其在美国的晶圆厂和技术投资计划,预计到2035年将支出增加到2500亿美元以上。该投资计划旨在实现美国本土产能占其DRAM总产量的比例提升至40%。作为投资的一部分,美光计划投入高达30亿美元用于强化美国半导体供应链生态系统,包括向环球晶圆公司提供5亿美元的战略融资支持,并将与环球晶圆签订为期10年的供应协议获得硅晶圆产能保障。

美光科技与通用汽车宣布签署一项战略客户协议(SCA),旨在为通用汽车的大规模车辆生产提供长期、可靠的存储器与存储平台供应。双方表示,此举旨在加强半导体与汽车供应链的韧性,并支持美国本土的制造业创新。该协议是美光在2026财年第三季度财报电话会议上披露的16项战略客户协议之一。

美光科技宣布与人工智能公司Anthropic达成一项全面战略合作协议。此次合作涵盖内存与存储AI架构设计、产品供需协议、美光内部企业级AI应用部署,以及美光对Anthropic H轮融资的战略投资。该协议旨在将前沿AI模型的需求与底层基础设施的设计、供应及大规模部署紧密结合。

该内存模块基于美光1-gamma(1γ)制程技术打造,传输速率最高可达9200 MT/s,比目前市场上大规模量产的内存模块速度快40%以上。此外,采用了先进的封装技术,通过硅通孔(TSV)实现了多层内存晶圆的3D堆叠(3DS)。这些创新技术与美光1-gamma DRAM相结合,为扩展下一代AI系统提供了所需的容量、速度和能效。

Micron® 6600 ION SSD采用G9 QLC NAND闪存,提供 U.2 和 E3.L 两种规格,官方称其性能至少领先于目前数据中心固态硬盘中使用的任何竞争对手的QLC闪存一代,重新定义了高容量数据中心存储。

美光(Micron)近日宣布,已完成对力积电(PSMC)位于中国台湾苗栗县铜锣乡P5晶圆厂的收购交易,总金额18亿美元。该厂区将作为美光台中大型园区的战略延伸,与相距约15英里的台中厂形成垂直整合体系,从而进一步强化美光在台湾地区的产业布局。

美光近日在业界率先出样单模组256GB的SOCAMM2内存条,这是当前全球容量最高的服务器用低功耗DRAM(LPDRAM)模组,专为AI数据中心和高性能计算应用设计。

美光预计到 2026 年,萨南德工厂的芯片组装和测试量将达到数千万颗,并在 2027 年达到数亿颗。

该项目耗资1000亿美元,是纽约州历史上规模最大的私人投资项目,建成后将成为全球最先进的存储器制造基地,最多可建四个晶圆厂,建成后将成为美国最大的半导体工厂。

为了更好地为美光在增长更快的细分市场中的大型战略客户提供供应和支持,美光做出了艰难的决定,终止Crucial消费业务。

美光将斥资1.5万亿日元对广岛工厂进行扩建,将扩增生产设备、建构月产4万片最先进产品的产能,且将在2028年6-8月开始出货,2030年3-5月以最大产能进行生产。

Mark Murphy表示,目前还没有哪家公司完成人工智能半导体系统级的HBM4质量认证。美光HBM4带宽超过2.8 TB/s,引脚速度超过11 Gbps,正在按照既定程序接受评估。

美光汽车UFS 4.1采用G9 NAND闪存技术,带宽高达4.2 GB/s,是其上一代产品的两倍,可加速人工智能模型的数据访问,并通过支持语音助手、个性化信息娱乐和高级安全警报等功能,提升车内体验。

基于与 NVIDIA 五年的合作,美光率先在数据中心使用低功耗服务器内存。

美光获得上述补助需达成的条件包括:开始量产后、须持续生产10年以上;因各种因素导致供需紧绷时、将因应日本政府要求进行增产。

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