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华邦电子强调,CUBE并非用来取代HBM,而是填补HBM与传统DRAM之间的市场空缺。以HBM3E为例,1GB产品的售价约为标准DRAM的7倍,华邦电子CUBE价格仅为其一半,同时可提供2GB、4GB、8GB等弹性容量组合,适用于不需大...

英伟达认为,失去将增长至近500亿美元的中国AI加速器市场的准入,将对未来业务产生重大不利影响。

南亚科技将在第3季前去化所有库存,加上1B制程良率提升,有利产品组合,下半年营运可望量价齐扬,力求第4季营运转盈。

目前三星12层HBM3E产品已基本通过英伟达的DRAM单芯片认证,现阶段正在进行成品认证程序。三星原本预计6~7月完成认证,但消息称三星设定的最新目标是在今年7~8月通过英伟达的12层HBM3E品质验证测试。

慕尼黑设计中心将于2025年第三季度开放,该中心旨在支持欧洲客户设计高密度、高性能且高能效的芯片,主要面向汽车、工业、人工智能和物联网领域的应用。

据SEMI最新报告,随着半导体前端及后端制程投资扩大,带动设备市场增长,2024年全球半导体制造设备投资额达1171亿美元,比上年增长10%。

订单能见度大多集中至7月9日川普关税宽限期结束前,后续则尚未明朗。

根据三星HBM产品规划,计划采用1c DRAM作为HBM4核心芯片。目前三星已与多家客户合作,开发基于 HBM4 和增强型 HBM4E 的定制版本。HBM4 的开发细节如期进行,计划于今年下半年实现量产。

时创意步入到第四个五年的“创品”阶段。在研发投入方面,企业成立至今,时创意固定资产/研发投入累计已近15亿元;2025年各项人才发展关键指标逐步提升,技术研发人才占比提升至35%。

双方股票自5月26日起停牌,预计停牌不超过10个交易日。若相关工作顺利推进,将实现产业链相互补充,进一步促进信息产业龙头企业发展,对信息产业格局产生较大影响。

SK海力士此次开发的新品较上一代基于238层NAND闪存的产品能效提升了7%。同时,成功产品厚度从1mm减薄至0.85mm,使其能够适配超薄智能手机。

鉴于存储原厂相继发布DDR4 EOL通知,近期现货DDR4价格剧烈波动,为更好地反映市场情况,CFM闪存市场于5月20日加更服务器RDIMM价格

CM9系列的核心是铠侠第八代BiCS FLASH™,为铠侠迄今为止最先进的3D闪存,采用基于CBA的架构,显著提升NAND接口速度、密度和功率效率,并降低了延迟,从而直接提升 SSD 性能。

作为应用材料最大的海外市场,2QFY25中国大陆市场营收占比从2024会计年度同期43%降至25%。应用材料CEO Gary Dickerson表示,市场不确定性显著加剧,公司仍展现出强劲的运营韧性。

SK海力士财务报告显示,第一季度其美国市场总营收为12.8万亿韩元,占该司Q1总营收17.6万亿韩元的72.7%。去年同期其美国市场销售额为6.3万亿韩元,占同期总营收的50%。

股市快讯 更新于: 07-04 01:04,数据存在延时

存储原厂
三星电子63800KRW+4.93%
SK海力士278500KRW-0.18%
铠侠2548JPY+5.64%
美光科技122.230USD+0.40%
西部数据66.070USD+0.44%
闪迪46.450USD+0.52%
南亚科技50.6TWD+2.33%
华邦电子19.75TWD+1.02%
主控厂商
群联电子494.0TWD+1.33%
慧荣科技74.840USD+1.15%
联芸科技42.13CNY+4.54%
点序54.0TWD+0.93%
品牌/模组
江波龙85.80CNY+3.13%
希捷科技149.300USD-1.74%
宜鼎国际245.5TWD+2.08%
创见资讯114.5TWD+9.05%
威刚科技96.3TWD+1.80%
世迈科技20.895USD+3.44%
朗科科技24.17CNY+1.77%
佰维存储66.30CNY+0.24%
德明利118.30CNY-3.03%
大为股份20.02CNY+10.00%
封测厂商
华泰电子39.35TWD+1.81%
力成136.5TWD+3.02%
长电科技33.53CNY+0.66%
日月光144.0TWD+1.77%
通富微电25.39CNY+0.40%
华天科技10.09CNY-0.20%