三星电子V10 NAND拥有超过400层的高堆叠层数。当NAND被堆叠成多层时，连接存储单元（Cell）的通道孔必须比以往深得多。也就是说，通道孔的纵横比（深宽比）急剧增加，需要新技术来应对。这正是三星电子计划在第10代NAND中引入极低温蚀刻的原因。

具体来说，三星正在寻找能够为先进HBM设计新架构的封装开发专家，而产品规划人员则负责与对定制HBM感兴趣的客户进行沟通。

Rubin被定位为Blackwell架构的下一代产品，采用HBM4高带宽内存，搭载第六代NVLink互连总线，实现3.6TB/s的超高带宽。

需求面来看，受总体不确定与部分消费性产品提前拉货影响，终端仍偏保守；但在DDR4停产的外溢效应与DDR5放量带动下，其存储封测业务维持相对稳健，动能明显优于驱动IC。

按出口品目看，半导体出口额同比增加31.2%，连续四个月创新高；通信设备增加4.6%；显示器下降8.9%；手机下降21.7%；计算机及周边设备下降17.1%。

FADU表示，目前正与美国超大规模数据中心运营商合作，部分基于第五代技术的项目预计将在年内产生销售额。

针对“美光近日中国区业务调整”一事，美光正式回应CFM闪存市场：鉴于移动 NAND 产品在市场持续疲软的财务表现，以及相较于其他 NAND 机会增长放缓，我们将在全球范围内停止未来移动 NAND 产品的开发，包括终止UFS5的开发。

特朗普表示，我有可能会达成这样的协议，即对 Blackwell 处理器进行某种程度的负面改进。换句话说，将其性能降低 30% 到 50%。