目前三星、SK海力士被列入了“强制出口管制”（VEU）名单，允许进口除EUV曝光设备以外的所有设备，无需单独许可。如果特朗普政府取消这项豁免，那么每次向中国工厂引入新设备或替换设备时，都需要单独办理许可手续。

该芯片由AWS旗下Annapurna Labs设计，是亚马逊自研芯片战略的核心产品，旨在减少对英特尔、AMD等传统CPU厂商的依赖，同时优化云端基础设施的能效比。

今年第一季度兆易创新实现营业收入19.1亿元，同比增长17.32%；归属于上市公司股东的净利润为2.35亿元，同比增长14.57%。

英特尔宣布多项人事任命，销售高管Greg Ernst被任命为首席营收官 (Chief Revenue Officer），Srinivasan Iyengar、Jean-Didier Allegrucci和Shailendra Desai将加入英特尔，担任重要工程领导职位。

截至目前，摩尔线程已完成多轮融资，累计融资金额超45亿元，投资方包括红杉中国、深创投、中移和创、策源资本、腾讯投资、字节跳动战略投资部等。

目前亚马逊、微软、谷歌、Meta和苹果均积极致力于AI半导体项目。除Marvell外，博通也已确认与三大云公司合作开发定制AI芯片，凸显数据中心对专用半导体解决方案的需求不断增长。

据业界消息，前联发科共同营运长朱尚祖将加入慧荣科技，7月正式就任。

Marvell表示，定制SRAM在同等密度下，功耗比标准片上SRAM低约66%，工作频率最高可达3.75GHz。

兆芯集成拟通过IPO拟募资约41.69亿元，本次募集资金扣除发行费用后，将投资于“新一代服务器处理器项目”“新一代桌面处理器项目”“先进工艺处理器研发项目”以及“研发中心项目”。

继AMD日前于发布会上宣布其新款AI加速器MI350X和MI355X已搭载三星电子的12层HBM3E后，据韩媒报道，三星电子已完成博通HBM3E 8层认证测试，并正在为量产做准备。

上海超硅拥有设计产能70万片/月的300mm半导体硅片生产线以及设计产能40万片/月的200mm半导体硅片生产线，旗下产品已量产应用于先进制程芯片，包括NAND Flash/DRAM（含HBM）/NOR Flash等存储芯片、逻辑芯片等。

近期渠道资源从高端到底部低端料号价格自上而下全线走高，渠道存储厂商仍坚定强势拉涨DDR4 UDIMM报价，不过，涨势如此迅猛的渠道DDR4内存条已令部分渠道客户望而却步，市场整体成交乏力；个别品牌厂商近乎疯狂地将部分PC DDR4产品官价火箭式飙升超五成的涨幅。另外，受部分供应端资源释放涨价信号刺激，行业厂商尝试调涨SSD报价并力促客户谈定；嵌入式市场则整体暂时维持不变。

据韩媒thebell报道，SK海力士计划推迟对10nm级第六代DRAM（1c DRAM）的投资，目的是专注于需求可见度高、盈利能力强的高带宽存储器（HBM）的生产。

从HBM5开始，冷却技术将成为关键，通过3D异构集成和先进封装技术，将部分基础芯片（Base Die）移至HBM顶部。

在与 NVIDIA B200 和 GB200 的对比中，MI355X的HBM3E内存容量是英伟达GB200/B200的1.6倍，内存带宽则基本持平。在峰值FP64/FP32性能上，MI355X拥有2倍优势。