LPDDR6的关键要素是带宽的提升。带宽是衡量一次可以传输多少数据的指标。现有 LPDDR5X 的带宽典型值为8.5Gbps，最高可达9.6Gbps。而 LPDDR6 的典型值可达10.6Gbps至14.4Gbps，性能提升约1.5倍。

UFS 4.1专为需要高性能和低功耗的移动应用和计算系统开发，在保持与UFS 4.0硬件兼容性的同时，提供比标准早期版本更快的数据访问和改进的性能。

CXL联盟宣布发布ComputeExpressLink(CXL)3.2规范，进一步优化了CXL内存设备的监控和管理，增强了CXL内存设备在操作系统和应用程序方面的功能，并通过可信安全协议(TSP)扩展了安全性。

JESD230G支持高达4800MT/s的接口速率，远超当前量产NAND闪存的性能上限。

JEDEC固态技术协会日前宣布发布PS-007A LPDDR5 CAMM2连接器性能标准，称之为“LP5CAMM2”，旨在提供具有生态系统支持的标准化模块化 LPDDR5 解决方案，专为需要轻薄紧凑外形的设备而设计。

固态技术协会（简称JEDEC）宣布发布两项支持 Compute Express Link (CXL) 技术的新标准。

JEDEC近日发布 JESD405-1B JEDEC内存模块标签 - 用于 Compute Express Link (CXL) V1.1。

JEDEC固态技术协会宣布发布 JESD79-5C DDR5 SDRAM 标准。JEDEC DDR5 SDRAM标准的这一重要更新包括旨在提高可靠性和安全性并增强从高性能服务器到人工智能和机器学习等新兴技术的各种应用的性能的功能。

CAMM2 规范包括两种变体：一种适用于DDR5，另一种适用于 LPDDR5(X)。

SD协会日前公布SD Express存储卡的最近进展，首次将micro SD Express存储的传输速度提升到了2GB/s，为原来的两倍。并且增加了4个新的SD Express速度等级，以保证在新的SD9.1规范下达到具有保证的最低连续性能。

CFexpress 4.0是一项演进规范，继承了 CFexpress 2.0 的巨大成功，采用行业标准PCI Express® (PCIe) Gen4 总线和 NVM Express (NVMe) 1.4c 逻辑接口，实现更高的性能和高效的 NAND 闪存访问。

在NAND Flash的众多特性里，其中读干扰（Read Disturb）表现为如果对NAND闪存中某个位置进行多次读取，会对同一个块中其它未操作的页造成干扰（数据误码率会越来越高），这种特性的影响程度和读取次数、NAND闪存...

此更新的技术规范扩展了USB4速度和数据协议性能，使制造商能够开发除现有USB 40 Gbps和USB 20 Gbps外，还可以向最终用户提供USB 80 Gbps的产品。

2.0 版惊人的速度归功于已添加到 USB4 的新物理层架构。2.0 版使用了 USB4 Type-C 中内置的现有 40 Gbps 无源电缆，并添加了新定义的 80Gbps USB Type-C 有源电缆以达到 80 Gbps。

AMD、英特尔、美光、Montage、三星和 SK 海力士均已认可JESD79-5A规范引入的DDR5新增功能。