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回到首页 当前位置:CFM分析

在资源端控制供应叠加贸易炒作驱动下,近两个月内512Gb/1Tb Flash Wafer现货价格连续滚动上涨累计超20%。基于成本持续走高且资源仍处于控货阶段,存储厂商再度上调行业SSD价格。而随着NAND资源大幅涨价已逐渐传导至相应的应用终端,为降低存储芯片带来的成本压力,PC终端加快design in基于QLC NAND的SSD方案,甚至近期个别PC客户释放QLC SSD大额订单。不过,涨价之际,存储厂商仍严格把控出货节奏。因此,行业SSD市场行情以缩量上涨为主。

上游资源控货驱动下,面对需求端频繁询单问价,存储厂商普遍并不急于接单而严格控制出货节奏。目前供应端的态度仍然是影响整个存储市场的主要因素,若未来资源端仍持续处于趋紧状态,供需天平加速向卖方倾斜,存储厂商控货惜售的情绪将更加强烈,那么后续存储成品端的价格也将延续上涨趋势。

从涨幅上来看,原厂和贸易商持续控货令DDR资源价格上涨幅度更大,DDR4、DDR5颗粒普遍走高且倒挂严重,成本大幅度直线拉涨下消费类客户实难接受。随着原先旧库存快速消耗,应部分客户急单要求并在其可接受成本价格范围内,存储厂商面对高价DDR4、DDR5颗粒也适当进行提货。

CFM闪存市场近日发布2025年Q4存储市场展望报告。报告指出,预计四季度,服务器eSSD涨幅将达到10%以上,DDR5 RDIMM价格涨幅约10%~15%;Mobile嵌入式NAND涨幅约5%~10%,LPDDR4X/5X涨幅约10%~15%;PC端LPDDR5X/D5价格涨幅预计将落在10%~15%,cSSD价格涨幅达5%~10%。

CFM闪存市场最新推出季度报告:《2025Q3全球存储市场报告与Q4展望》,将从市场规模、容量、价格、供应、技术、需求、应用等等角度,剖析市场变化与未来发展,欢迎查阅。更多报告咨询请联系:Service@chinaflashmarket.com。

2025财年(2024年9月-2025年8月),美光营收达到创纪录的374亿美元,同比增长近50%;毛利率提升17个百分点至41%。这一业绩得益于高价值数据中心产品的产能爬坡以及各终端市场DRAM产品的广泛定价优势。HBM、高容量DIMM内存条及低功耗服务器DRAM的总收入达到100亿美元,较上一财年增长超过五倍。数据中心SSD业务在2025财年也实现了收入与市场份额的双重突破。

9月以来,继闪迪公开宣布涨价之后,美光、三星等存储原厂涨价传闻扑面而来,带动现货市场NAND资源“涨声一片”。据CFM闪存市场数据显示,9月初至今,NAND Flash wafer价格普遍呈个位数涨幅,其中,512Gb TLC NAND价格累计已涨近10%。

上游涨价消息一经传开,存储现货市场闻声而动,带动行业和渠道市场迅速升温,经历数月调整、横盘期的行业和渠道SSD价格开始反弹。不过,此次涨价并非需求端实际销售好转带动,基于近期iPhone 17开启预售,线上电商平台数据显示消费者抢购热度较高,加上双11购物节的备货不久后也即将开始,部分存储厂商期盼涨价趋势能得以延续,但消费购买力能否提振尚无定论,同时也还需实时关注资源方面的供应和定价变化。

目前,闪迪已打响NAND涨价的第一枪,未来其他存储原厂有望跟进。CFM闪存市场预计包括中国企业在内的各大原厂四季度将迎来价格普涨行情,为明年春季行情走势奠定基调。

上游资源方面,DDR5 16Gb Major价格小幅上涨3.13%至4.95美元,其余DDR4、DDR5颗粒、Flash Wafer价格均维持不变。

渠道市场在DDR5资源供应趋紧且价格居高不下等因素影响下,本周DDR5内存条继续小幅上调报价;而渠道DDR4则处于高位横盘。值得注意的是,经历超过一季度的涨价行情,渠道DDR4和DDR5之间的价差迅速缩小,部分同容量DDR4、DDR5 UDIMM价差已缩小至20%以内,不过,目前渠道内存条仍以DDR4为基本盘,DDR5应用比重有待提升。

近期存储现货市场成品端呈现局部结构性分化。行业DDR4内存条因资源持续紧俏,存储厂商库存快速减少,目前仅能维持少量出货;DDR4颗粒缺货严峻且短期难以缓解,行业厂商继续上调相应成品价格。同样的,渠道DDR5资源供应非常有限,加上个别品牌厂商主动拉涨DDR4内存条,带动本周渠道DDR4、DDR5内存条价格出现小幅上涨。

LPDDR4X供应大幅收缩带来的涨价效应还在发酵中,预计三季度LPDDR4X价格上涨空间还将进一步扩大,对以中低端手机为业务基本盘的手机厂商的冲击将更加强烈,进而压缩相关产品毛利率。

时间来到三季度中旬,通用型DRAM现货市场渐趋回归平静,行业DDR4内存条和LPDDR4X均高位盘整;嵌入式eMMC产品因部分客户备货积极性不高,市场活跃度有限;行业和渠道SSD短期则维持稳定。

AI驱动以HBM3E和高容量DDR5为代表的高价值DRAM需求持续增长,以及二季度存储原厂EOL通知刺激传统DDR4/LPDDR4X价格与需求快速攀升的双重驱动下,2025年二季度全球DRAM市场规模环比增长20%至321.01亿美元,创历史季度新高。

股市快讯 更新于: 10-22 22:08,数据存在延时

存储原厂
三星电子98600KRW+1.13%
SK海力士481500KRW+0.52%
铠侠7310JPY+3.84%
美光科技203.180USD+0.44%
西部数据124.500USD+2.55%
闪迪156.310USD+4.70%
南亚科技110.0TWD+4.27%
华邦电子45.45TWD+1.91%
主控厂商
群联电子869TWD+0.12%
慧荣科技95.496USD+1.48%
联芸科技54.33CNY-1.77%
点序77.8TWD-1.14%
品牌/模组
江波龙180.92CNY-0.54%
希捷科技217.193USD+1.22%
宜鼎国际421.0TWD-0.36%
创见资讯130.5TWD-0.76%
威刚科技181.0TWD+0.28%
世迈科技21.675USD-0.85%
朗科科技30.67CNY+1.09%
佰维存储106.08CNY-2.88%
德明利189.43CNY+0.13%
大为股份21.07CNY-3.53%
封测厂商
华泰电子47.90TWD-2.04%
力成151.5TWD-0.33%
长电科技39.93CNY-1.41%
日月光193.0TWD-1.03%
通富微电40.37CNY-0.54%
华天科技12.27CNY-6.26%