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三季度以来,上游相继控制资源供应并放缓出货节奏,甚至部分DRAM资源供应按下暂停键。而转眼间,时间来到今年最后一个季度的后半段,上游供应未见好转的同时市场持续消耗库存,现货市场存储供需矛盾愈演愈烈,更加强化了存储厂商控货惜售心态。资源供应全面收紧持续影响下,存储成品端多数产品延续涨价趋势。

据CFM闪存市场数据显示,2025年三季度全球DRAM市场规模环比增长24.7%至400.37亿美元,NAND市场规模环比增长16.8%至184.22亿美元,三季度全球存储市场规模连续两季度成长至584.59亿美元,创造季度历史新高。目前Memory供应满足率降低,各应用领域供应紧张的局面持续发酵,随着供应商库存水位的进一步下降,DRAM和NAND市场价格已经全面上涨,在此情况下,预计四季度存储市场规模将续创季度新高。

铠侠预计NAND需求将超过供应,2025财年bit出货量将实现15%的增长,而由于预见性的供应限制,2026财年bit出货量增长率约在17%-19%之间。

上游资源方面,1Tb QLC、1Tb TLC、512Gb TLC、256Gb TLC价格分别调涨至7.80/8.50/6.00/4.80美元;DDR4 16Gb 3200/16Gb eTT/8Gb 3200/8Gb eTT/4Gb eTT价格分别调涨至24.00/7.00/9.00/3.60/1.52美元;DDR5 24Gb Major/16Gb Major/16Gb eTT价格分别调涨至22.00/15.00/7.50美元。

闪迪表示,该财季NAND产品需求超过了供应,库存周转天数从135天减少到115天,预计这一趋势将持续到2026年底。

此轮涨价的核心驱动力源自服务器存储需求的爆发,原厂产能结构性转移至服务器市场,mobile、PC及现货市场供应已然受到影响,消费类NAND、DRAM强势涨价已然跳脱需求因素,在未来一段时间内,现货市场DRAM、NAND供应趋紧、价格上涨的市况或成为常态。

三星电子计划2025年投资约47.4万亿韩元(约合333.3亿美元)用于设施建设,其中DS部门投资40.9万亿韩元(约合287.6亿美元),以改造先进工艺并补充现有生产线,从而应对市场对高附加值产品的需求。

从需求来看,SK海力士预计全球DRAM bit需求将从2025年的增长17%-19%提高到2026年的增长超过20%;全球NAND bit需求将从2025年的增长15%提高到2026年的增长17-19%。

当前,存储市场的关注点主要围绕在上游原厂供应和定价的实际落地情况。尽管近日上游原厂公布部分产品临时报价,但供需双方的实质性谈判仍需一定时间推进。在原厂供应策略尚未明确敲定之前,存储品牌厂商普遍放慢接单节奏,市场成交以小批量订单为主。

在资源端控制供应叠加贸易炒作驱动下,近两个月内512Gb/1Tb Flash Wafer现货价格连续滚动上涨累计超20%。基于成本持续走高且资源仍处于控货阶段,存储厂商再度上调行业SSD价格。而随着NAND资源大幅涨价已逐渐传导至相应的应用终端,为降低存储芯片带来的成本压力,PC终端加快design in基于QLC NAND的SSD方案,甚至近期个别PC客户释放QLC SSD大额订单。不过,涨价之际,存储厂商仍严格把控出货节奏。因此,行业SSD市场行情以缩量上涨为主。

上游资源控货驱动下,面对需求端频繁询单问价,存储厂商普遍并不急于接单而严格控制出货节奏。目前供应端的态度仍然是影响整个存储市场的主要因素,若未来资源端仍持续处于趋紧状态,供需天平加速向卖方倾斜,存储厂商控货惜售的情绪将更加强烈,那么后续存储成品端的价格也将延续上涨趋势。

从涨幅上来看,原厂和贸易商持续控货令DDR资源价格上涨幅度更大,DDR4、DDR5颗粒普遍走高且倒挂严重,成本大幅度直线拉涨下消费类客户实难接受。随着原先旧库存快速消耗,应部分客户急单要求并在其可接受成本价格范围内,存储厂商面对高价DDR4、DDR5颗粒也适当进行提货。

CFM闪存市场近日发布2025年Q4存储市场展望报告。报告指出,预计四季度,服务器eSSD涨幅将达到10%以上,DDR5 RDIMM价格涨幅约10%~15%;Mobile嵌入式NAND涨幅约5%~10%,LPDDR4X/5X涨幅约10%~15%;PC端LPDDR5X/D5价格涨幅预计将落在10%~15%,cSSD价格涨幅达5%~10%。

CFM闪存市场最新推出季度报告:《2025Q3全球存储市场报告与Q4展望》,将从市场规模、容量、价格、供应、技术、需求、应用等等角度,剖析市场变化与未来发展,欢迎查阅。更多报告咨询请联系:Service@chinaflashmarket.com。

2025财年(2024年9月-2025年8月),美光营收达到创纪录的374亿美元,同比增长近50%;毛利率提升17个百分点至41%。这一业绩得益于高价值数据中心产品的产能爬坡以及各终端市场DRAM产品的广泛定价优势。HBM、高容量DIMM内存条及低功耗服务器DRAM的总收入达到100亿美元,较上一财年增长超过五倍。数据中心SSD业务在2025财年也实现了收入与市场份额的双重突破。

股市快讯 更新于: 11-19 11:11,数据存在延时

存储原厂
三星电子96900KRW-0.92%
SK海力士564500KRW-0.97%
铠侠10830JPY+5.56%
美光科技228.500USD-5.56%
西部数据152.860USD-5.90%
闪迪244.930USD-7.88%
南亚科技159.5TWD-0.62%
华邦电子60.1TWD-2.12%
主控厂商
群联电子1160TWD-2.93%
慧荣科技84.540USD-1.09%
联芸科技48.55CNY-2.67%
点序70.3TWD-0.99%
品牌/模组
江波龙266.88CNY-1.53%
希捷科技253.860USD-2.88%
宜鼎国际524TWD-1.50%
创见资讯209.0TWD+4.50%
威刚科技199.0TWD-1.49%
世迈科技18.110USD-2.42%
朗科科技29.18CNY-3.54%
佰维存储119.00CNY-1.98%
德明利262.25CNY+1.88%
大为股份33.31CNY+10.01%
封测厂商
华泰电子48.60TWD-4.14%
力成156.0TWD-2.80%
长电科技36.64CNY-1.43%
日月光210.0TWD-2.33%
通富微电37.34CNY-1.19%
华天科技11.13CNY-1.50%