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据日媒报道，美光扩建日本广岛县东广岛市 DRAM 工厂的施工将于 2026 年 5 月启动，目标 2028 年实现 HBM 内存出货。

美光将斥资1.5万亿日元对广岛工厂进行扩建，将扩增生产设备、建构月产4万片最先进产品的产能，且将在2028年6-8月开始出货，2030年3-5月以最大产能进行生产。

日本经济产业省于今年9月中旬宣布，将在截至2029年度为止的5年期间，对美光广岛工厂的设备投资、研发最高补贴5,360亿日圆（约合36亿美元），协助广岛工厂量产用于AI、自动驾驶等用途的最先进DRAM产品。

美光获得上述补助需达成的条件包括：开始量产后、须持续生产10年以上；因各种因素导致供需紧绷时、将因应日本政府要求进行增产。