台积电披露C-HBM4E基片技术蓝图：采用N3P制程集成内存控制器，能效较HBM3E提升约两倍

据外媒报道，台积电近日分享了其对首代定制高带宽内存（HBM）基础裸片的技术展望。

台积电表示，定制化HBM将在HBM4E代际正式实现，并将其相关产品称为C-HBM4E。

在HBM4阶段，台积电将提供两种不同的基础裸片制程方案：面向主流市场的N12FFC+和针对高性能需求的N5制程。

在C-HBM4E阶段，为实现将内存控制器集成于基础裸片，从而节省计算芯片面积等目标，台积电将推出基于N3P先进制程的基础裸片解决方案。据称，该方案可将能效提升至HBM3E基础裸片的约两倍。同时，C-HBM4E的Vdd工作电压将进一步降至0.75V，低于HBM4的标准。

据了解，SK海力士选择在台积电代工生产HBM4基片，三星电子HBM4基片交由三星晶圆代工生产。从HBM4E开始，美光HBM基片也将交由台积电进行生产，目前双方正在共同推进开发工作。