三星电子旗下SAIT研发出超低功耗NAND Flash技术

据韩媒报道，三星电子SAIT（原三星先进技术研究院）27日宣布，将在《自然》上发表一项关于新型NAND Flash结构的研究成果。该结构结合了铁电半导体和氧化物半导体，可将NAND Flash的功耗降低90%以上。这项技术有望提升包括人工智能（AI）数据中心和移动设备在内的各个领域的能效。

NAND Flash通过将电子注入存储单元来存储数据。增加存储容量需要增加存储单元的数量。因此，增加NAND层数可以增加存储单元的数量。然而，随着层数的增加，读写数据的功耗也会增加。

三星电子SAIT在氧化物半导体和铁电半导体结构中找到了解决方案。由于难以控制晶体管的开启电压（阈值电压），氧化物半导体一直被认为是高性能半导体器件的弱点。然而，在铁电结构中，这种特性却成为降低功耗的关键因素。

铁电材料无需通电即可实现正负电荷的极化，因此无需持续供电即可维持数据。作为一种速度更快、能效更高的半导体材料，铁电材料正备受关注。三星电子SAIT首次在全球范围内发现了一种关键机制，通过融合氧化物半导体和铁电结构，可将功耗降低96%。

目前三星电子SAIT已经证实了超低功耗NAND Flash的可行性。存储技术在人工智能生态系统中的作用日益重要，三星电子SAIT将继续开展后续研究，以期未来产品的商业化。