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据韩媒报道，三星电子11月27日召开高管简报会，并宣布组织结构重组计划。

在此次组织结构重组中，三星电子DS部门成立了“存储器开发部门”，该部门将统一管辖原存储器事业部下属的DRAM开发室和NAND Flash开发室。

此前领导DRAM开发室的EVP Sang-Jun Hwang将负责领导存储器开发部门工作。他曾主导高附加值DRAM和高带宽存储器（HBM）的研发，此次将兼任DRAM开发室负责人，负责存储器开发相关事务。

此举被解读为旨在提高存储器开发效率，顺应DRAM与NAND Flash技术加速融合的趋势。目前业界正致力于开发提升下一代半导体性能的混合存储器解决方案。

此外，原先隶属于DS部门的HBM开发团队被撤销，其人员被调至DRAM开发室下属的设计团队。此前HBM开发团队负责人EVP Youngsoo Son被任命为该设计团队负责人。与之前的HBM开发团队一样，设计团队的职责是开发下一代HBM技术，例如HBM4和HBM4E。业界认为此举旨在确保团队在HBM开发方面的连续性，并应对预期中定制和下一代HBM开发需求的增长。

三星电子计划在本周完成组织架构重组，并于下月初召开全球战略会议，审查明年的业务计划。