消息称三星将加大对V9 QLC NAND投资

据韩媒报道，三星电子正积极加大对QLC NAND闪存产品的投入，明年主打产品线已选定V9（286层）。这是因为其前代产品V8（236层）中QLC的占比有限，而其后续产品V10（430层）的结构仍不明朗。

三星电子于2024年9月宣布其首款1Tb QLC第九代V-NAND正式开始量产，并计划将QLC第九代V-NAND的应用范围从品牌消费类产品开始，逐步扩展到移动通用闪存、个人电脑和服务器SSD，为包括云服务提供商在内的客户提供服务。三星电子自去年以来一直在推行“扩大QLC NAND销售”战略，但进展缓慢。如今，在NAND闪存价格上涨的推动下，三星电子正加快步伐。

三星电子计划通过转型投资来确保其NAND业务的竞争力，包括加速从V8向V9的过渡，以及扩大高容量QLC服务器闪存的销售。目前，三星电子没有新的产能扩张计划。其位于平泽园区的P4 PH1工厂将是V9 NAND的关键生产基地。

三星电子最近在第三季度财报电话会议上也表示，计划“在确认市场需求后，将逐步提高先进NAND工艺的比例”。