三星电子：加快部署1c DRAM设备，建立HBM4量产体系

据韩媒报道，三星电子正加速引进10nm工艺的第六代（1c）DRAM设备，迅速建立量产体系，以期在明年初实现HBM4的量产。

报道称，三星正在加紧通过英伟达的HBM4认证，其目标是在2026年初获得最终认证，目前已经交付了工程样品，并预计于本月交付最终验证样品。如果一切按计划进行，产品预计将于明年下半年开始发货。

据韩国半导体行业人士透露，三星电子最近已完成其平泽园区P2工厂所有1c DRAM设备的安装，此外还在加快设施投资，依次将设备引入P3和P4工厂。

此前三星平泽P2和P3工厂均专注于传统工艺，例如 10nm 级第三代 (1z) DRAM。然而，随着三星电子减少传统产品的产量并提高其领先的1c工艺的产能，开始通过改造升级的方式投资部分 DRAM 生产线。三星电子自去年以来一直在推进这项计划，并于今年年初开始全面部署 1c DRAM 设备。

据悉，三星平泽P4工厂将作为HBM4生产核心基地，计划于明年投产。目前其PH1已投入运营，NAND闪存和1c DRAM生产线各占一半。NAND闪存生产线率先投产，1c DRAM生产线预计将于今年下半年全面投产。PH3工厂已完成生产线建设，设备自6月起已安装完毕。PH4工厂近期已破土动工，PH2工厂预计最早将于明年12月或1月开工建设。