明年将投资179亿韩元用于PIM人工智能半导体。计划在3-4年内支持PIM计算结构应用的内存接口·商用平台技术开发、基于PIM的计算机系统用SCM控制半导体技术开发、基于PRAM、MRAM的PIM制造的商用技术等。每个项目每年将获得约10亿韩元左右的资金。

SK海力士正在加快下一代HBM产品开发和生产的尝试，为了响应随着NVIDIA 等客户的 AI 加速器开发周期加快而加速新 HBM 产品供应的要求。HBM3E 16层很可能配备NVIDIA 最新 AI 加速器“ Blackwell”的下一版本。

截至2024年11月，韩国出口连续14个月实现增长。但过去四个月增速有所放缓，从8月的10.9%降至11月的仅1.4%。

三星电子从美国获得的补贴金额少于此前确认的英特尔（78.65亿美元）、台积电（66亿美元）和美光（61.65亿美元）的金额。考虑到三星电子的投资计划出现了一些变化，补贴与投资的比例仍然较高。

美国商务部宣布向SK海力士提供4.58亿美元的直接资助，这一金额比此前初步交易备忘录（PMT）中披露的4.5亿美元增加了800万美元。此外，CHIPS项目办公室还将向SK海力士提供5亿美元的贷款。

英特尔将要求竞购方在接近1月底前提交正式的竞购方案。当然，在此过程中也可能出现其他竞标者，或者竞标无疾而终。

亚马逊、微软、谷歌、Meta和苹果均积极致力于AI半导体项目。因此，三星电子和SK海力士将从HBM4开始加强定制服务，这意味着详细的HBM设计将因每个客户而异。

值得注意的是，这条测试线与第六代DRAM量产准备是同时建立的。三星电子计划从明年初开始在P4工厂引入半导体设备，生产10纳米级第六代DRAM。

据介绍，新设备采用键合头，大大提高了半导体芯片堆叠的生产率和精度。该设备将用于生产下一代HBM，预计将对明年的销售做出重大贡献。

据韩媒报道，美光将在12月上旬至中旬在韩国各大大学举办招聘说明会，史无前例的“当日招聘（针对预申请者）”，成功的候选人将前往台湾地区台中DRAM 制造工厂工作。