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十铨表示,虽然消费者市场需求尚在盘整,但HBM的产能排挤效应发酵,随着下半年客户库存去化逐渐完成,可望带动需求重返成长轨道。

品安在重大信息记者会上表示,自2023年起,该客户已逐渐减少委托品安的代工业务,并于近日接到正式通知,预计将在2024年11月30日结束所有委托代工业务。

Compute EXpress Link(CXL)是一种全新的互连协议,为各种处理器包括CPU、GPU、FPGA、加速器和存储设备提供统一接口标准,可以有效解决内存墙和IO墙的瓶颈。

Xockets在诉状中明确指出,英伟达的三款特定DPU产品使用了Xockets的技术,并且是故意为之。

台积电将在2027年推出其2.5D CoWoS技术,该技术将集成8颗A16工艺芯片和12颗HBM4内存。这项技术的应用将大幅降低AI处理器的生产成本,同时为工程师提供更高的便利性,使他们能够将新的代码写入芯片。

据CFM闪存市场了解,SK海力士预计将在9月底开始量产12层HBM3E,三星12层HBM3E芯片已完成量产准备,计划于今年下半年开始供货。

三星计划在2024年推出采用1c nm制程技术的DDR内存,该技术能够提供具有32Gb颗粒容量的产品。随后在2026年,三星将推出其最后一代10nm级工艺的1d nm DDR内存,同样提供最大32Gb的颗粒容量。

SK海力士未来将计划专注于最先进的HBM产品,希望将大部分产能集中在最新一代HBM上,同时逐步淘汰旧产品。

因中国大陆地区销售大幅增长,带动2024年第二季度全球半导体制造设备销售额同比增长4%,达267.8亿美元,较第一季度的264.2亿美元微增1%。

南亚科技预计2025年底,1B制程月产能将超过20K片,而20nm旧制程月产能将下降至约36K片,1C制程EUV技术正在规划中。

三星电子能够提供从内存、代工制程到封装的一条龙服务,并与广泛的生态系统合作伙伴一起,满足客户的不同需求。

SK海力士预计将在本月底开始量产12层高带宽存储器(HBM3E),并计划与台积电合作生产下一代HBM4产品。

近日有消息称,英特尔公司最新的18A制造工艺在博通公司的测试中未能达标。据悉,博通在测试后认为英特尔的这一工艺尚不可行,无法满足大批量生产的条件。目前,双方的合作关系及博通是否决定退出潜在的生产交易尚不明确。

据DRAM产业的一般规律,内存良率至少需要达到80%才能实现稳定且经济的大规模生产与供应。目前看来,三星电子的1b nm LPDDR内存良率远低于这一目标,即使在企业内部供应中也存在不足问题。

按地区来看,美洲(40.1%)、中国(19.5%)和亚太/所有其他地区(16.7%)的销售额同比上涨,但日本(-0.8%)和欧洲(-12.0%)的销售额下降。

股市快讯 更新于: 06-22 23:44,数据存在延时

存储原厂
三星电子59500KRW+0.51%
SK海力士257000KRW+4.47%
铠侠2284JPY+8.61%
美光科技123.600USD+1.46%
西部数据59.290USD+0.17%
闪迪46.580USD-0.09%
南亚科技58.9TWD-2.48%
华邦电子18.95TWD-3.32%
主控厂商
群联电子507TWD-1.74%
慧荣科技69.960USD-2.14%
联芸科技39.46CNY-1.13%
点序54.8TWD-1.62%
品牌/模组
江波龙80.00CNY+0.69%
希捷科技130.960USD-0.26%
宜鼎国际235.5TWD-2.08%
创见资讯98.4TWD-3.05%
威刚科技93.8TWD-2.90%
世迈科技19.610USD-0.86%
朗科科技23.00CNY-0.48%
佰维存储62.49CNY-1.28%
德明利124.25CNY-4.80%
大为股份17.40CNY-4.66%
封测厂商
华泰电子40.20TWD-1.71%
力成130.5TWD+0.38%
长电科技31.54CNY-0.91%
日月光144.5TWD-1.03%
通富微电23.59CNY-0.88%
华天科技8.76CNY-1.02%