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SK海力士27日宣布，于当地时间13日至16日在美国加利福尼亚州圣何塞举办的“2025 OCP全球峰会”（以下简称“峰会”）上，展示了下一代NAND闪存产品战略。

SK海力士表示：“随着人工智能推理市场的快速发展，业界对能够迅速、高效处理海量数据的NAND闪存产品的需求正大幅攀升。为此，公司将建立‘AIN（AI-NAND）Family’产品组合，以专为人工智能时代进行优化的解决方案产品，全面满足客户的多样化需求。”

在峰会第二天举行的高管会议上，SK海力士企业级固态硬盘（eSSD）产品开发担当金千成副社长作为演讲嘉宾，介绍了AIN Family产品组合。

AIN Family在性能（Performance）、带宽（Bandwidth）、容量（Density）三方面分别优化的NAND闪存解决方案产品，旨在提升数据处理速度，并实现存储容量最大化。

AIN P（Performance）是一款专为大规模AI推理环境中海量数据的输入与输出而打造的高效解决方案。该方案通过最小化AI运算与存储之间的瓶颈，显著提升了处理速度与能效。为此，SK海力士正在以全新架构重新设计NAND闪存与控制器，并计划于2026年底推出样品。

与之相反，AIN D（Density）则是一款旨在以低功耗、低成本实现海量数据存储的高容量解决方案，特别适用于AI数据的存储。相较于现有基于QLC*的TB（太字节）级的SSD，AIN D可将存储容量提升至最高PB（拍字节）级，同时兼顾SSD的高速性能与HDD的经济性，成为一种中间层存储产品。

* NAND闪存芯片根据每个单元（Cell）可以存储的信息量（比特,bit），分为SLC（Single level Cell,1位）、MLC（Multi Level Cell,2位）、TLC（Triple Level Cell,3位）、QLC（Quadruple Level Cell,4位）、PLC（Penta Level Cell,5位）等不同规格。

最后，AIN B（Bandwidth）是一款通过堆叠NAND闪存以扩大带宽的解决方案产品。该产品采用了SK海力士名为‘HBF™*’的技术。

* HBF（高带宽闪存，High Bandwidth Flash）：与堆叠DRAM芯片的HBM（高带宽存储器）相同，通过堆叠NAND闪存而制成的产品

拥有全球顶尖HBM研发与生产实力的SK海力士，为应对AI推理规模扩大、大型语言模型（LLM*）发展导致的存储容量不足问题，很早便启动了AIN B的研发工作。其核心在于将高容量、低成本的NAND闪存与HBM堆叠结构相结合。目前，SK海力士正积极评估多种AIN B应用方案，包括将其与HBM协同配置以补充容量等多种灵活模式。

* LLM（大型语言模型，Large Language Model）：通过学习海量数据，了解并产生自然语言的人工智能模型

为扩大AIN B生态系统，SK海力士于14日晚在OCP峰会会场附近的科技中心（The Tech Interactive）与今年8月签署HBF标准化谅解备忘录（MOU）的美国闪迪公司，共同举办了“HBF之夜（HBF Night）”活动，邀请全球科技巨头公司的企业代表出席。

该活动以专题讨论会的形式进行，吸引了来自韩国及海外的多位教授参与，并汇聚了数十位业界重要架构师*和技术人员。在当日的活动中，SK海力士提出了一项旨在加速NAND闪存产品创新的业界合作倡议。

* 架构师（Architect）：半导体、软件系统的设计专家

SK海力士开发总管（CDO, Chief Development Officer）安炫社长表示：“本次OCP全球峰会和HBF之夜活动，充分展现了SK海力士作为‘全球面向AI的存储器解决方案供应商（AI Memory Solution Provider）’在以AI为主导的快速变革浪潮中所取得的成就与未来愿景。”他同时强调：“公司将通过继续与客户及各类合作伙伴携手合作，致力成为下一代NAND闪存领域中面向AI存储器市场的核心引领者。”