消息称三星电子明年Q1完成10纳米级第七代DRAM测试线

据业界消息，三星电子从今年第四季度开始在平泽P2工厂建设10纳米级第七代（1d）DRAM测试线，该生产线预计将于明年第一季度全面建成。

测试线是测试半导体新产品量产潜力的设施。一旦下一代芯片的性能在研发（R&D）阶段得到确认，晶圆就会被引入测试线，开始进入提高量产良率的过程。尽管平泽 10 纳米级第七代DRAM工厂的确切规模尚未确定，但通常安装测试线每月可处理约10,000 片晶圆。

10纳米级第七代DRAM是第六代产品的下一个阵容，预计明年开始量产。三星电子曾在今年3月宣布，计划在2026年之前量产第7代DRAM。

值得注意的是，这条测试线与第六代DRAM量产准备是同时建立的。三星电子计划从明年初开始在P4工厂引入半导体设备，生产10纳米级第六代DRAM。目前正在加速提高良率，目标是在明年5月之前获得第六代 DRAM 的内部量产批准（PRA）。消息称，为了顺利量产1c DRAM，三星已从华城工厂派遣DRAM相关人员前往平泽工厂。

三星在某代产品进入量产阶段之前就为其下一代产品建立设施的举动被解读为“激进的投资”，目的是将明年作为重新获得“优势”的开端年。为了明年重新夺回存储市场领导地位，三星电子管理层的决定似乎是利用丰富的人力资源和生产能力，尽可能加快未来产品的开发速度。

此外，三星电子正在平泽P1工厂安装业界第一条 400 层 NAND (V10) 测试线，并在平泽P4工厂 NAND 晶圆厂安装 286 层 (V9) 设备。