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报道称,三星电子最初计划在未来十年内购买三台以上的下一代产品,即 EXE:5200、EXE:5400 和 EXE:5600。但三星最新决定仅引进EXE:5200,并将在未来重新考虑引进后续版本。

业界预计Solidigm将于明年下半年上市。NAND市场已转为向好趋势,且KIOXIA也正在积极寻求上市,因此预计Solidigm将加快上市准备工作。

HBM4测试产品预计最早明年发布,从流片到最终测试产品出来需耗时3-4个月时间,三星将在验证最初生产的HBM4产品的运行情况后,继续进行设计和工艺改进,然后再对主要客户进行产品送样。

报道称,SK海力士正在加速开发用于尖端存储器的Hi-NA EUV技术,首台Hi-NA EUV设施计划于2026年从ASML引进,目前SK海力士正在全力建立新的研发团队并扩充人员。

韩国晶圆厂设备制造商SFA已经开始在美光位于印度古吉拉特邦的工厂安装部分设备,该厂是美光在印度的第一家工厂,投资额约8亿美元,用于建立半导体组装、测试、标记和封装部门,将于今年年度投入运营。

如果成功的话,据说在不改变节点的情况下,与现有的6F² DRAM 相比,采用4F² 的单元阵列可以将芯片die面积减少30%左右。

在获利方面,因存储现货价格已稳定,不及去年第四季及今年第一季的涨势,获利成长受到限制,法人预期其第三季毛利率恐将再季减3~5个百分点。

从存货变动来看,截至2024年上半年末,聚辰存货账面价值为2.2亿元,占净资产的10.78%,较上年末减少545.44万元。其中,存货跌价准备为4527.14万元,计提比例为17.08%。

此外,消息称三星电子正在考虑将1c DRAM用于HBM4(第6代HBM),计划于明年下半年出货。因此P4很有可能成为下一代HBM生产的前沿基地。

西部数据近日展示了128TB企业级SSD,采用BiCS8 QLC NAND,外观尺寸为适用于GPU 服务器的 U.2/U.3,主要设计用于快速 AI 数据湖和容量密集型性能应用程序。

在主要的NOR Flash产品线慢慢回到疫前水准下,旺宏电子上下半年营收有望呈现过往的4:6分布。旺宏将维持产能不满载也不减产,平稳生产。

三星电子官员表示:“正如我们上个月在电话会议中所说的那样,质量测试一直在进行中,而且从那时起就没有任何变化。”

价格更正:本月服务器内存条DDR4 RDIMM 16GB 3200/DDR4 RDIMM 32GB 3200/DDR4RDIMM 64GB 3200价格更正为54/88/165美元,与上月持平。

业界认为,如果美国收紧出口管制,将对三星电子产生重大影响。目前三星HBM 销售额中占比30%由中国公司贡献。

NVMe 5016控制器可支持QLC、TLC以及MLC NAND,提供强大的纠错码 (ECC)。所有闪存管理操作均在芯片上执行,几乎不占用主机处理和内存资源。

股市快讯 更新于: 07-09 20:55,数据存在延时

存储原厂
三星电子60400KRW-1.63%
SK海力士281000KRW-0.35%
铠侠2708JPY+6.03%
美光科技124.420USD+3.75%
西部数据64.020USD-1.83%
闪迪46.170USD+2.10%
南亚科技48.40TWD-0.21%
华邦电子18.95TWD+0.26%
主控厂商
群联电子486.0TWD+3.08%
慧荣科技72.340USD-1.98%
联芸科技40.32CNY-1.61%
点序51.5TWD+0.39%
品牌/模组
江波龙81.98CNY-2.03%
希捷科技144.470USD-2.64%
宜鼎国际242.5TWD+1.68%
创见资讯99.9TWD-0.60%
威刚科技97.2TWD+3.96%
世迈科技21.190USD+1.19%
朗科科技23.71CNY-2.11%
佰维存储65.00CNY-0.82%
德明利121.80CNY+0.37%
大为股份17.92CNY-4.02%
封测厂商
华泰电子37.45TWD-0.66%
力成136.5TWD+1.87%
长电科技33.18CNY-1.10%
日月光146.5TWD+2.45%
通富微电24.96CNY-1.07%
华天科技9.76CNY-1.61%