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SK海力士计划2026年引入Hi-NA EUV设备

编辑:Andy 发布:2024-08-16 14:31

继日前有报道称三星计划在今年年底或2025年第一季度引入其首台High-NA EUV光刻机「EXE:5000」后,据韩媒引述业内人士透露,SK海力士计划2026年引入Hi-NA EUV设备。

报道称,SK海力士正在加速开发用于尖端存储器的Hi-NA EUV技术,首台Hi-NA EUV设施计划于2026年从ASML引进,目前SK海力士正在全力建立新的研发团队并扩充人员。目前其具体计划,如晶圆厂引进设备或追加投资方向等尚未透露,但预计最早可应用于0a(个位数纳米级DRAM)量产。

High-NA EUV通过进一步提高 EUV 的性能来瞄准 2 纳米工艺。 NA是镜头像差,数值越高,分辨率越好。现有EUV的镜头像差为0.33,High-NA EUV的镜头像差更高,为0.55。ASML的首款 High-NA EUV 设备“EXE:5000”型号已知售价为3.8亿美元。

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股市快讯 更新于: 05-02 00:09,数据存在延时

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