编辑:Andy 发布:2024-08-13 15:08
据韩媒报道,SK海力士近日宣布,计划开发4F² DRAM。SK海力士研究员 Seo Jae Wook 表示,自 1c DRAM 商业化以来,EUV工艺成本一直在快速上涨。SK海力士正在考虑为未来的DRAM 制造引入垂直栅极 (VG) 或 3D DRAM技术,采用 VG 或 3D DRAM,可将 EUV 工艺成本降低一半。
VG是内存制造商内部所称的 4F²。三星将其称为垂直通道晶体管 (VCT)。
4F² DRAM 是下一代DRAM,其存储单元(存储数据的最小单位)结构垂直而不是水平排列。平方是衡量向单元中的晶体管施加电压的组件面积有多大的指标。
如果成功的话,据说在不改变节点的情况下,与现有的6F² DRAM 相比,采用4F² 的单元阵列可以将芯片die面积减少30%左右。
消息人士称,三星和SK海力士计划在10nm及以下节点将4F² 与 DRAM 结合使用。三星电子今年7月曾表示,其4F² 正在顺利开发中。
存储原厂 |
三星电子 | 56800 | KRW | +1.07% |
SK海力士 | 207500 | KRW | +1.47% |
铠侠 | 1982 | JPY | -0.65% |
美光科技 | 102.250 | USD | +4.15% |
西部数据 | 53.770 | USD | +3.03% |
闪迪 | 38.640 | USD | +3.51% |
南亚科技 | 45.85 | TWD | +0.11% |
华邦电子 | 16.70 | TWD | -1.18% |
主控厂商 |
群联电子 | 506 | TWD | +1.71% |
慧荣科技 | 64.990 | USD | +2.25% |
联芸科技 | 37.05 | CNY | -0.30% |
点序 | 52.8 | TWD | -1.49% |
品牌/模组 |
江波龙 | 70.75 | CNY | -0.60% |
希捷科技 | 123.230 | USD | +3.42% |
宜鼎国际 | 227.5 | TWD | -0.44% |
创见资讯 | 105.5 | TWD | +1.93% |
威刚科技 | 91.3 | TWD | +1.11% |
世迈科技 | 19.240 | USD | +5.95% |
朗科科技 | 22.06 | CNY | +0.09% |
佰维存储 | 57.92 | CNY | +3.28% |
德明利 | 105.91 | CNY | -0.20% |
大为股份 | 13.81 | CNY | -0.58% |
封测厂商 |
华泰电子 | 40.10 | TWD | +7.51% |
力成 | 116.0 | TWD | +2.20% |
长电科技 | 32.03 | CNY | -0.40% |
日月光 | 133.5 | TWD | -0.74% |
通富微电 | 23.26 | CNY | -0.77% |
华天科技 | 8.69 | CNY | -0.57% |
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