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为降低成本,消息称SK海力士加入4F² DRAM研发阵营

编辑:Andy 发布:2024-08-13 15:08

据韩媒报道,SK海力士近日宣布,计划开发4F² DRAM。SK海力士研究员 Seo Jae Wook 表示,自 1c DRAM 商业化以来,EUV工艺成本一直在快速上涨。SK海力士正在考虑为未来的DRAM 制造引入垂直栅极 (VG) 或 3D DRAM技术,采用 VG 或 3D DRAM,可将 EUV 工艺成本降低一半。

VG是内存制造商内部所称的 4F²。三星将其称为垂直通道晶体管 (VCT)。

4F² DRAM 是下一代DRAM,其存储单元(存储数据的最小单位)结构垂直而不是水平排列。平方是衡量向单元中的晶体管施加电压的组件面积有多大的指标。

如果成功的话,据说在不改变节点的情况下,与现有的6F² DRAM 相比,采用4F² 的单元阵列可以将芯片die面积减少30%左右。

消息人士称,三星和SK海力士计划在10nm及以下节点将4F² 与 DRAM 结合使用。三星电子今年7月曾表示,其4F² 正在顺利开发中。

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股市快讯 更新于: 06-25 17:41,数据存在延时

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