编辑:Andy 发布:2024-08-13 15:08
据韩媒报道,SK海力士近日宣布,计划开发4F² DRAM。SK海力士研究员 Seo Jae Wook 表示,自 1c DRAM 商业化以来,EUV工艺成本一直在快速上涨。SK海力士正在考虑为未来的DRAM 制造引入垂直栅极 (VG) 或 3D DRAM技术,采用 VG 或 3D DRAM,可将 EUV 工艺成本降低一半。
VG是内存制造商内部所称的 4F²。三星将其称为垂直通道晶体管 (VCT)。
4F² DRAM 是下一代DRAM,其存储单元(存储数据的最小单位)结构垂直而不是水平排列。平方是衡量向单元中的晶体管施加电压的组件面积有多大的指标。
如果成功的话,据说在不改变节点的情况下,与现有的6F² DRAM 相比,采用4F² 的单元阵列可以将芯片die面积减少30%左右。
消息人士称,三星和SK海力士计划在10nm及以下节点将4F² 与 DRAM 结合使用。三星电子今年7月曾表示,其4F² 正在顺利开发中。
存储原厂 |
三星电子 | 61300 | KRW | +1.32% |
SK海力士 | 286000 | KRW | +2.69% |
铠侠 | 2530 | JPY | -0.75% |
美光科技 | 127.910 | USD | +4.78% |
西部数据 | 62.070 | USD | +2.80% |
闪迪 | 47.340 | USD | +0.83% |
南亚科技 | 55.0 | TWD | -3.00% |
华邦电子 | 20.25 | TWD | +1.00% |
主控厂商 |
群联电子 | 521 | TWD | +0.58% |
慧荣科技 | 72.320 | USD | +3.28% |
联芸科技 | 41.25 | CNY | +2.46% |
点序 | 55.6 | TWD | +1.46% |
品牌/模组 |
江波龙 | 82.69 | CNY | +0.96% |
希捷科技 | 136.310 | USD | +2.43% |
宜鼎国际 | 239.5 | TWD | +2.35% |
创见资讯 | 102.5 | TWD | +1.99% |
威刚科技 | 95.9 | TWD | +0.21% |
世迈科技 | 20.350 | USD | +3.88% |
朗科科技 | 24.99 | CNY | +1.63% |
佰维存储 | 66.66 | CNY | +2.08% |
德明利 | 127.30 | CNY | +2.63% |
大为股份 | 19.40 | CNY | +0.52% |
封测厂商 |
华泰电子 | 41.95 | TWD | +0.96% |
力成 | 132.0 | TWD | -0.75% |
长电科技 | 33.22 | CNY | +0.97% |
日月光 | 153.0 | TWD | +2.34% |
通富微电 | 24.99 | CNY | +1.17% |
华天科技 | 9.15 | CNY | +0.77% |
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