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报道称,SK海力士正在加速开发用于尖端存储器的Hi-NA EUV技术,首台Hi-NA EUV设施计划于2026年从ASML引进,目前SK海力士正在全力建立新的研发团队并扩充人员。

韩国晶圆厂设备制造商SFA已经开始在美光位于印度古吉拉特邦的工厂安装部分设备,该厂是美光在印度的第一家工厂,投资额约8亿美元,用于建立半导体组装、测试、标记和封装部门,将于今年年度投入运营。

如果成功的话,据说在不改变节点的情况下,与现有的6F² DRAM 相比,采用4F² 的单元阵列可以将芯片die面积减少30%左右。

在获利方面,因存储现货价格已稳定,不及去年第四季及今年第一季的涨势,获利成长受到限制,法人预期其第三季毛利率恐将再季减3~5个百分点。

从存货变动来看,截至2024年上半年末,聚辰存货账面价值为2.2亿元,占净资产的10.78%,较上年末减少545.44万元。其中,存货跌价准备为4527.14万元,计提比例为17.08%。

此外,消息称三星电子正在考虑将1c DRAM用于HBM4(第6代HBM),计划于明年下半年出货。因此P4很有可能成为下一代HBM生产的前沿基地。

西部数据近日展示了128TB企业级SSD,采用BiCS8 QLC NAND,外观尺寸为适用于GPU 服务器的 U.2/U.3,主要设计用于快速 AI 数据湖和容量密集型性能应用程序。

在主要的NOR Flash产品线慢慢回到疫前水准下,旺宏电子上下半年营收有望呈现过往的4:6分布。旺宏将维持产能不满载也不减产,平稳生产。

三星电子官员表示:“正如我们上个月在电话会议中所说的那样,质量测试一直在进行中,而且从那时起就没有任何变化。”

价格更正:本月服务器内存条DDR4 RDIMM 16GB 3200/DDR4 RDIMM 32GB 3200/DDR4RDIMM 64GB 3200价格更正为54/88/165美元,与上月持平。

业界认为,如果美国收紧出口管制,将对三星电子产生重大影响。目前三星HBM 销售额中占比30%由中国公司贡献。

NVMe 5016控制器可支持QLC、TLC以及MLC NAND,提供强大的纠错码 (ECC)。所有闪存管理操作均在芯片上执行,几乎不占用主机处理和内存资源。

单个3D X-AI芯片包含300层3D DRAM单元,容量为128GB,以及一层包含8,000 个神经元的神经电路。据 NEO 估计,每个芯片可支持高达 10 TB/s 的 AI 处理吞吐量。使用 12 个 3D X-AI 芯片与 HBM 封装堆叠可实现 120 TB/s 的处理吞吐量,从而将性能提高 100 倍。

FADU表示,这份供应合同意义重大,意味着该司客户群从大型科技公司、SSD模组厂、NAND原厂扩展到服务器公司。

韩国业界认为,这一供应具有重要意义,韩国设备厂向日本芯片厂商供应设备的案例并不多,日本半导体行业更青睐国产设备。

股市快讯 更新于: 08-03 08:40,数据存在延时

存储原厂
三星电子68900KRW-3.50%
SK海力士258000KRW-5.67%
铠侠2424JPY-2.18%
美光科技104.880USD-3.90%
西部数据76.550USD-2.72%
闪迪41.330USD-3.70%
南亚科技44.45TWD-0.22%
华邦电子17.60TWD+1.44%
主控厂商
群联电子525TWD-0.94%
慧荣科技76.420USD-0.16%
联芸科技43.24CNY-1.39%
点序51.9TWD+0.58%
品牌/模组
江波龙87.86CNY-1.59%
希捷科技154.810USD-1.40%
宜鼎国际226.5TWD-0.22%
创见资讯93.6TWD-1.06%
威刚科技91.8TWD+0.55%
世迈科技22.810USD-3.22%
朗科科技23.80CNY-1.24%
佰维存储63.50CNY-0.11%
德明利87.93CNY+2.90%
大为股份16.85CNY-2.43%
封测厂商
华泰电子39.45TWD+0.90%
力成123.5TWD-1.98%
长电科技34.54CNY-1.51%
日月光152.5TWD0.00%
通富微电27.13CNY-3.52%
华天科技9.91CNY-1.10%