随着外围核心和存储单元的分离，预计DRAM集成度可以提高。目前LPDDR5X等产品的存储单元阵列效率在50%左右。

Song Jae-hyuk表示，下一代产品10纳米以下DRAM 所需的基础技术正在顺利开发中，下一代NAND产品V10的开发将满足目标性能和进度。

三星电子采用了调整施加PR的涂布机设备的旋转量，并在施加后调整蚀刻条件的方法，从而减少了PR的使用量。

黄仁勋表示，英伟达正在考虑接收三星电子交付的 8 层和 12 层 HBM3E。

随着HBM3E全面供应 NVIDIA，SK海力士在美国的销售额在第三季度达到了历史新高，预计明年全年将继续保持强劲势头。报告显示，美国占SK海力士第三季度销售额的64%，比上一季度增长5个百分点，同比增长17个百分点，创下历史新高。

据日媒最新消息，铠侠预计将在11月22日获得东京证券交易所(以下简称东证)的上市许可，顺利的话将在12月中旬挂牌上市，市值预估为7,500亿日圆（约合48.6亿美元），远低于此前设定的1.5兆日圆以上的目标。

除了特斯拉，三星电子和SK海力士还在为谷歌、Meta和微软等美国大型科技公司开发定制的HBM4芯片，这些公司一直在寻求降低对英伟达AI芯片的依赖。

MRDIMM的另一大亮点在于其卓越的易用性，采用与常规 RDIMM 相同的连接器和外形尺寸，仅需将小型多路复用芯片安装于先前模块上的空闲位置，即可实现升级，无需对主板进行任何改动。

在2025年及之后，各存储原厂的投资扩产重点将放在更尖端技术领域。

其中，固态硬盘TOP 1品牌为致态，TOP 2品牌为三星，TOP3品牌为宏碁掠夺者，TOP4品牌为梵想，TOP5品牌为金士顿。内存条TOP1品牌为光威，TOP2品牌为金百达，TOP3品牌为金士顿，TOP4品牌为宏碁掠夺者，TOP5品牌为阿斯加特。

铠侠目标在2024年12月-2025年6月期间IPO上市，将首度活用日本2023年10月新导入的上市申请方式「S-1方法」，缩短上市所需的手续时间，且视市况动向、仍将持续摸索今年内(2024年12月内)上市的可能性。

在P4H生产线中，已确定每月对NAND生产规模为1万片，DRAM产能预计至少每月30,000至40,000片。

对于存储产业2025年市况，吴敏求认为，「2024年较2023年好一些，2025年也会较2024年稍微成长」。

与NAND Flash相比，CXL读取速度更快；与DRAM相比，CXL更省电，且DRAM在断电情况下数据会丢失，CXL即便在断电时、也能保留大量数据，能降低AI驱动时的耗电量。

与现有的12层产品相比，16 层产品在 LLM（大型语言模型）学习方面的性能提高18%，在推理方面的性能提高32%。