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产品研发方面,旺宏电子3D NOR Flash已于去年完成芯片测试,其中4Gb产品进度最快,预计今年下半年进入市场,并于明年量产。

十铨认为,DDR4产品因第三季零售渠道需求看季持平,预期将维持现有价格水准,而DDR5由于原厂供给量不足,价格仍会持续微幅上扬。

新的 HBM 开发团队预计将解决稳定产量和开发差异化技术的任务,以确保人工智能 (AI) 半导体等关键客户。

Moon Ki-il还表示,HBM目前主要应用于人工智能(AI)系统,但目标也将扩展到移动设备。

据日媒报道,铠侠7月将在四日市工厂开始量产其最先进的218层 3D NAND Flash,与现行产品相比,存储容量提高约50%、写入数据时所需的电力缩减约30%。

据韩媒报道,业界人士透露,三星电子在其第9代V-NAND金属布线工艺中首次使用了钼。目前三星已引进了5台 Lam Research 钼沉积设备,明年还将引进约20台设备。

CFM消息,近期部分厂商向原厂追加了DDR5内存条订单。一段时间以来,服务器领域DDR4与DDR5需求呈现冰火两重天态势:DDR4现货与原厂价格倒挂加上下游终端库存高企,整体需求表现惨淡;DDR5方面,随着AI建设热潮加上英特尔SPR CPU渗透率提高,需求激增,CFM消息,今年下半年服务器ODM对DDR5需求也升至50%,DDR5 64GB及以上需求持续火热,DDR5整体呈现供不应求市况。

随着人工智能、高性能计算和数据中心需求的增长,HBM芯片市场占比显著提升。美光科技和SK海力士的HBM产能已售罄至2025年,三星虽暂时落后,但正加速追赶。HBM4技术预计将带来接口宽度增加、层数提升、功耗降低等变革,满足未来市场需求。

美光科技(Micron)正式进入高带宽存储器(HBM)市场,打破了三星电子和海力士长期以来的主导地位。尽管是后来者,但美光科技已经开始向英伟达(Nvidia)供应少量产品,形成了HBM领域的三足鼎立局面。

SK海力士将在未来5年内投资103万亿韩元(约合747亿美元),加强半导体事业竞争力,计划将约80%(82万亿韩元,约合595亿美元)投资于高带宽存储器(HBM)等AI相关领域。

三星电子自今年年初以来一直对 HBM 进行大规模投资,并开始致力于将国内外现有的传统 DRAM 和 NAND 转化为尖端产品。

关系人士称,铠侠会在8月底提交正式申请、目标10月底上市,而为了赶上期限、正以比一般IPO更快的速度进行准备,但视进度而定、IPO时间有可能会推延至12月。铠侠此次IPO所能筹得的资金可能会低于2020年的预估值。

据韩媒报道,业界人士透露,韩国NAND闪存材料供应商供应量较去年增加了约2-3倍。去年,由于需求低迷,三星电子和SK海力士将NAND工厂的开工率降至20-30%,受AI数据中心对大容量NAND需求的推动,今年开工率已上升至70%以上。

今年上半年整体市况较压抑,预期在需求递延下,应会削弱第四季营收下降的传统季节性影响,预估今年第四季可望与第三季持平,而上下半年营收比重则应会以4:6表现。

随着GDDR7显存技术的发展,三星电子、SK海力士和美光科技正在激烈竞争,以期在新一代高性能显存市场中占据领导地位。这三家公司均在积极研发,以期提供更高性能、更低功耗的GDDR7产品,满足日益增长的高性能计算和图形处理需求。

股市快讯 更新于: 05-24 04:29,数据存在延时

存储原厂
三星电子54200KRW-0.91%
SK海力士200000KRW+1.57%
铠侠2058JPY-0.82%
美光科技93.370USD-1.54%
西部数据50.180USD+0.68%
闪迪37.280USD-1.48%
南亚科技42.55TWD-0.70%
华邦电子17.75TWD-0.56%
主控厂商
群联电子502TWD-2.33%
慧荣科技63.700USD-2.11%
联芸科技39.02CNY+0.10%
点序57.9TWD-0.52%
品牌/模组
江波龙73.14CNY-1.72%
希捷科技112.740USD+3.56%
宜鼎国际242.5TWD0.00%
创见资讯103.5TWD0.00%
威刚科技92.5TWD+0.11%
世迈科技17.640USD-2.22%
朗科科技22.27CNY-4.01%
佰维存储58.12CNY-2.71%
德明利111.23CNY-1.48%
大为股份14.13CNY-2.69%
封测厂商
华泰电子37.15TWD-0.80%
力成119.5TWD+1.27%
长电科技32.63CNY-0.79%
日月光142.5TWD-1.72%
通富微电23.55CNY-2.04%
华天科技8.90CNY-1.22%