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新思科技(Synopsys)近日宣布推出业界首款PCIe 7.0 IP解决方案,该方案包含控制器、IDE安全模块、PHY和验证IP,旨在满足计算密集型AI工作负载的带宽和延迟需求,同时支持广泛的生态系统互操作性。新思科技的PCIe 7.0技术在PCI-SIG DevCon大会上进行了全球首次演示,展现了其在数据中心AI芯片设计领域的领导地位。

三星电子正计划恢复位于平泽的新半导体工厂“P5”的基础建设。随着半导体行业的复苏正式开始,这被解读三星为扩大产能以应对需求增加的措施。

台积电及其子公司创意电子获得SK海力士下一代HBM4芯片设计和生产的重要订单,预计将采用台积电的先进工艺技术,进一步巩固其在高端芯片市场的领导地位。

但SK海力士也表示,虽然3D DRAM潜力巨大,但在实现商业化之前还需要进行大量的开发过程。SK海力士指出,与2D DRAM的稳定运行不同,3D DRAM表现出不稳定的性能特征,需要堆叠32-192层存储单元才能实现普遍使用。

考虑到西部数据对资本支出和投资回报的看法,可理解为其可能不愿意加入铠侠在2027年前实现达到 1,000层所需的多个层级跃升。西部数据希望减缓层级增长率,而不是维持或增加它。

普冉股份表示,2024年以来,随着下游市场的景气度逐渐复苏,产品出货量及营收同比均有较大幅度提升,1-5月出货量累计约35亿颗,较去年同期翻番。目前在手订单 1.7亿元左右(含税)。

随着今年存储芯片需求的回升,全球领先的存储芯片制造商三星电子、SK海力士以及日本的铠侠开始提高NAND闪存芯片的产量。

三星电子和SK海力士正在将3D DRAM技术与先进的混合键合技术相结合,以提高存储芯片的性能和制造效率。

韩国专利管理公司MimirIP已对美光提起诉讼,称其侵犯了Mimir拥有的芯片相关专利。这起于6月3日提起的诉讼还针对了四家使用美光产品的公司:特斯拉、戴尔、惠普和联想。

据韩媒报道,据三星内部和业内消息人士称,三星电子将在年内推出高带宽存储器(HBM)的三维(3D)封装服务,预计这项技术将用于将于2025年推出的HBM4。

RTS5782 具有八个 NAND 通道,支持接口速度为 3,600 MT/s 的NAND,支持 4K LDPC ECC 机制,甚至支持 LPDDR4X 缓存。顺序读取速度高达 14,000 MB/s,顺序写入速度高达 12,000 MB/s,4K 随机读/写 IOPS 为 250 万。

据了解,产能将从今年上半年的每月4万张扩大到第三季度的7万张、然后第四季度达到10万张的规模,并计划明年将产能扩大到20万张/月。

SK海力士通过使用尖锐工具刺穿 HBM 安装的 DRAM 顶部以产生划痕来进行测试,结果发现其芯片的划痕比使用 TC-NCF 生产的芯片少。这一结果表明,HBM 可以承受外部物理冲击,而不会影响涉及 HBM 和计算单元组合的异构集成封装过程中的产量。

双方预测,如果FDP技术得到广泛应用,将有助于降低总投资成本(TCO)并建立存储效率的新标准。

十铨认为,DRAM 及NAND Flash价格今年没有反转下跌的可能,至年底合约价应可维持双位数百分比的涨幅,后市也随生成式AI与边缘运算技术发展持续扩张,相信可望迎来存储市场旺季。

股市快讯 更新于: 05-24 04:32,数据存在延时

存储原厂
三星电子54200KRW-0.91%
SK海力士200000KRW+1.57%
铠侠2058JPY-0.82%
美光科技93.370USD-1.54%
西部数据50.180USD+0.68%
闪迪37.280USD-1.48%
南亚科技42.55TWD-0.70%
华邦电子17.75TWD-0.56%
主控厂商
群联电子502TWD-2.33%
慧荣科技63.700USD-2.11%
联芸科技39.02CNY+0.10%
点序57.9TWD-0.52%
品牌/模组
江波龙73.14CNY-1.72%
希捷科技112.740USD+3.56%
宜鼎国际242.5TWD0.00%
创见资讯103.5TWD0.00%
威刚科技92.5TWD+0.11%
世迈科技17.640USD-2.22%
朗科科技22.27CNY-4.01%
佰维存储58.12CNY-2.71%
德明利111.23CNY-1.48%
大为股份14.13CNY-2.69%
封测厂商
华泰电子37.15TWD-0.80%
力成119.5TWD+1.27%
长电科技32.63CNY-0.79%
日月光142.5TWD-1.72%
通富微电23.55CNY-2.04%
华天科技8.90CNY-1.22%