募集资金主要投向包括PCIe SSD存储控制芯片及存储模组的研发和产业化项目、嵌入式存储控制芯片及存储模组的研发和产业化项目、信息化系统升级建设项目及补充流动资金。

DRAM产品受地区性经济不景气与地域冲突影响颇深，常规DRAM产品(DDR4/LPDDR4/DDR3)库存去化，需时比预期长，或将于明年上半年才能拨云见日。

今年第一季度，三星电子DS部门经营利润转正至1.91万亿韩元，但不及SK海力士的2.89万亿韩元，这也是其市况最佳的2018年以来同期第二高。

据CFM闪存市场最新报价，由于下游需求疲软近期NAND Flash Wafer价格下跌，其中，1Tb QLC 跌 8.62% 至 $5.30，1Tb TLC 跌 5.97% 至 $6.30，512Gb TLC 跌 8.11% 至 $3.40，256Gb TLC价格保持平稳。

韩国9月半导体出口额为136亿美元，同比大增37.1%，连续11个月保持增势，且时隔三个月再创新高，打消了“半导体寒冬”的担忧。

适逢国庆假期，按国家规定放假7天，即10月1-7日放假，放假期间暂停所有产品报价，10月8日（星期二）恢复所有产品报价。9月29日、10月12日闪存卡、USB 2.0、USB 3.0人民币正常报价。

三星12层HBM3E芯片也已完成量产准备，计划于今年下半年开始供货。

据韩国业内人士称，三星电子已订购可将HBM所需DRAM芯片质量分为最多三个级别的设备（分选机），这是半导体行业首次尝试在制作HBM之前检查和划分DRAM。

今年以来，随着存储原厂NAND制程相继迭代，200层以上NAND的供应增加，高密度NAND在市场应用中逐步取得进展。

最新消息称，铠侠IPO上市时间已由此前规划的10月向后推延至11月以后，主因近期全球半导体类股表现疲弱，股价出现较大幅度下跌，铠侠研判上市时的市值将无法达到所设定的1.5万亿日圆的目标。

据证监会网站显示，武汉新芯IPO辅导状态已于近日变更为“辅导验收”。这表明武汉新芯已完成了必要的准备工作，正朝着IPO的目标稳步前进。

十铨表示，本次合作首波以专为电影创作者而生的T-CREATE系列为始，包含CinemaPr P31移动外接式SSD及DRAM与SSD产品线作为攻占市场战力。

在DRAM制程方面，不同于DDR4/LPDDR4/4X普遍采用1y/1z nm等制程，DDR5/LPDDR5X/HBM3E需要采用更加先进的1a/1b nm制程以提高性能和单位容量。目前，三星电子和SK海力士均在积极推进1b DRAM先进制程的增产工作。

适逢中秋节假期，按国家规定放假3天，即9月15-17日放假，9月14日闪存卡、USB 2.0、USB 3.0人民币正常报价，9月16、17日所有产品均暂停报价，9月18日（星期三）恢复所有产品报价。

消息称，三星电子计划在今年年底前制定对其平泽P2工厂DRAM生产线进行尖端DRAM转换的投资计划。