编辑:Andy 发布:2024-08-12 11:08
据韩媒引述业界消息称,已证实三星电子正准备向P4引进DRAM处理设备。线路建设已全面启动,目标是明年6月投入运营,生产第六代1c制程 DRAM。
1c DRAM目前尚未商业化,三星电子和SK海力士都在积极准备量产。其中三星电子计划从今年年底开始生产1c DRAM。
此外,消息称三星电子正在考虑将1c DRAM用于HBM4(第6代HBM),计划于明年下半年出货。因此P4很有可能成为下一代HBM生产的前沿基地。
P4有望成为三星电子DRAM生产核心。就NAND而言,随着人工智能普及,需求显著增加,尤其是作为代表性存储介质的eSSD。目前,主要的NAND生产厂实际上已经全面运转(full opera)。需要额外的产能,预计将通过平泽P4工厂来实现。
存储原厂 |
三星电子 | 63450 | KRW | -0.55% |
SK海力士 | 275500 | KRW | -1.08% |
铠侠 | 2493 | JPY | -2.16% |
美光科技 | 122.290 | USD | +0.45% |
西部数据 | 66.080 | USD | +0.46% |
闪迪 | 46.410 | USD | +0.43% |
南亚科技 | 50.7 | TWD | +0.20% |
华邦电子 | 19.80 | TWD | +0.25% |
主控厂商 |
群联电子 | 495.5 | TWD | +0.30% |
慧荣科技 | 74.810 | USD | +1.11% |
联芸科技 | 42.13 | CNY | +4.54% |
点序 | 54.0 | TWD | +0.93% |
品牌/模组 |
江波龙 | 85.80 | CNY | +3.13% |
希捷科技 | 149.440 | USD | -1.65% |
宜鼎国际 | 244.5 | TWD | -0.41% |
创见资讯 | 114.5 | TWD | +9.05% |
威刚科技 | 96.7 | TWD | +0.42% |
世迈科技 | 20.870 | USD | +3.32% |
朗科科技 | 24.17 | CNY | +1.77% |
佰维存储 | 66.30 | CNY | +0.24% |
德明利 | 118.30 | CNY | -3.03% |
大为股份 | 20.02 | CNY | +10.00% |
封测厂商 |
华泰电子 | 39.50 | TWD | +0.38% |
力成 | 136.0 | TWD | -0.37% |
长电科技 | 33.53 | CNY | +0.66% |
日月光 | 144.5 | TWD | +0.35% |
通富微电 | 25.39 | CNY | +0.40% |
华天科技 | 10.09 | CNY | -0.20% |
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