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三星确认平泽P4生产第6代DRAM,明年6月开始运营

编辑:Andy 发布:2024-08-12 11:08

据韩媒引述业界消息称,已证实三星电子正准备向P4引进DRAM处理设备。线路建设已全面启动,目标是明年6月投入运营,生产第六代1c制程 DRAM。

1c DRAM目前尚未商业化,三星电子和SK海力士都在积极准备量产。其中三星电子计划从今年年底开始生产1c DRAM。

此外,消息称三星电子正在考虑将1c DRAM用于HBM4(第6代HBM),计划于明年下半年出货。因此P4很有可能成为下一代HBM生产的前沿基地。

P4有望成为三星电子DRAM生产核心。就NAND而言,随着人工智能普及,需求显著增加,尤其是作为代表性存储介质的eSSD。目前,主要的NAND生产厂实际上已经全面运转(full opera)。需要额外的产能,预计将通过平泽P4工厂来实现。

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股市快讯 更新于: 07-04 09:01,数据存在延时

存储原厂
三星电子63450KRW-0.55%
SK海力士275500KRW-1.08%
铠侠2493JPY-2.16%
美光科技122.290USD+0.45%
西部数据66.080USD+0.46%
闪迪46.410USD+0.43%
南亚科技50.7TWD+0.20%
华邦电子19.80TWD+0.25%
主控厂商
群联电子495.5TWD+0.30%
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联芸科技42.13CNY+4.54%
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品牌/模组
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佰维存储66.30CNY+0.24%
德明利118.30CNY-3.03%
大为股份20.02CNY+10.00%
封测厂商
华泰电子39.50TWD+0.38%
力成136.0TWD-0.37%
长电科技33.53CNY+0.66%
日月光144.5TWD+0.35%
通富微电25.39CNY+0.40%
华天科技10.09CNY-0.20%