编辑:Andy 发布:2024-08-12 11:08
据韩媒引述业界消息称,已证实三星电子正准备向P4引进DRAM处理设备。线路建设已全面启动,目标是明年6月投入运营,生产第六代1c制程 DRAM。
1c DRAM目前尚未商业化,三星电子和SK海力士都在积极准备量产。其中三星电子计划从今年年底开始生产1c DRAM。
此外,消息称三星电子正在考虑将1c DRAM用于HBM4(第6代HBM),计划于明年下半年出货。因此P4很有可能成为下一代HBM生产的前沿基地。
P4有望成为三星电子DRAM生产核心。就NAND而言,随着人工智能普及,需求显著增加,尤其是作为代表性存储介质的eSSD。目前,主要的NAND生产厂实际上已经全面运转(full opera)。需要额外的产能,预计将通过平泽P4工厂来实现。
存储原厂 |
三星电子 | 65900 | KRW | -0.15% |
SK海力士 | 266000 | KRW | -1.30% |
铠侠 | 2457 | JPY | -4.25% |
美光科技 | 111.260 | USD | -0.42% |
西部数据 | 68.820 | USD | -0.29% |
闪迪 | 42.480 | USD | +1.00% |
南亚科技 | 43.25 | TWD | +0.58% |
华邦电子 | 17.45 | TWD | +0.58% |
主控厂商 |
群联电子 | 521 | TWD | -0.38% |
慧荣科技 | 72.800 | USD | -1.41% |
联芸科技 | 43.04 | CNY | +2.33% |
点序 | 52.8 | TWD | -1.12% |
品牌/模组 |
江波龙 | 87.20 | CNY | +1.64% |
希捷科技 | 150.890 | USD | -1.20% |
宜鼎国际 | 225.0 | TWD | -0.44% |
创见资讯 | 89.9 | TWD | +0.33% |
威刚科技 | 90.9 | TWD | -0.87% |
世迈科技 | 25.160 | USD | +1.04% |
朗科科技 | 24.89 | CNY | +2.01% |
佰维存储 | 64.78 | CNY | +0.43% |
德明利 | 87.30 | CNY | +3.69% |
大为股份 | 17.34 | CNY | -0.86% |
封测厂商 |
华泰电子 | 38.90 | TWD | -1.52% |
力成 | 140.0 | TWD | +0.72% |
长电科技 | 34.82 | CNY | +0.35% |
日月光 | 153.5 | TWD | -1.29% |
通富微电 | 26.57 | CNY | +0.72% |
华天科技 | 10.39 | CNY | +0.87% |
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