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三星电子在国际固态电路会议(ISSCC)公布的规格显示:以TLC标准计算的存储密度达28Gb/mm²,较前代提升56%;输入输出接口速度5.6GT/s,提升75%。性能的大幅跃升使其有望与明年商用的PCIe Gen6 主控协同发力数据中心市场。

据韩媒引述业内人士消息,三星电子已完成D1c DRAM“生产准备批准(PRA)”,即量产审批流程。在完成设计等开发流程,并达到目标性能和一定良率后,将转入量产。

尽管目前存在这些障碍,但业界强调为这些技术建立生态系统基础的重要性,并预测 AI内存需求结构将逐渐多样化。

美光极有可能在今年下半年向三星电子提供更多采用新1γ(对应1c)工艺生产的LPDDR5X样品。

目前三星电子内部仍在讨论是将 PH2 用作 DRAM 生产基地,还是将其改造成混合晶圆厂。DRAM生产线PH4目前暂无进展,其建设工作已处于收尾阶段。

三星电子计划将新设计应用于其1c DRAM。预计以此方式生产的 DRAM 将用于计划于下半年生产的HBM4。

目前三星、SK海力士被列入了“强制出口管制”(VEU)名单,允许进口除EUV曝光设备以外的所有设备,无需单独许可。如果特朗普政府取消这项豁免,那么每次向中国工厂引入新设备或替换设备时,都需要单独办理许可手续。

据业界消息,前联发科共同营运长朱尚祖将加入慧荣科技,7月正式就任。

继AMD日前于发布会上宣布其新款AI加速器MI350X和MI355X已搭载三星电子的12层HBM3E后,据韩媒报道,三星电子已完成博通HBM3E 8层认证测试,并正在为量产做准备。

据韩媒thebell报道,SK海力士计划推迟对10nm级第六代DRAM(1c DRAM)的投资,目的是专注于需求可见度高、盈利能力强的高带宽存储器(HBM)的生产。

从HBM5开始,冷却技术将成为关键,通过3D异构集成和先进封装技术,将部分基础芯片(Base Die)移至HBM顶部。

据悉三星电子将从第五代HBM"HBM3E"开始应用飞秒激光。但由于设备刚启动导入,实际目标产品更可能是第六代"HBM4"。

对于未来业绩展望,郭鲁正表示:“今年和明年的业绩很难预测,但目前为止,一切进展都与计划相符,让我们共同努力,实现计划。”

美光曾计划到2030年代中期,通过爱达荷州博伊西和纽约州克莱镇的两大生产基地,将40%的DRAM产能转移至美国本土。但鉴于当前延误,能否如期执行该计划尚不明朗。

首批SOCAMM模块基于堆叠式 LPDDR5X 芯片,将用于英伟达即将推出的 AI 加速器平台 Rubin,该平台计划于明年发布。

股市快讯 更新于: 07-04 14:19,数据存在延时

存储原厂
三星电子63400KRW-0.63%
SK海力士270000KRW-3.05%
铠侠2411JPY-5.38%
美光科技122.290USD+0.45%
西部数据66.080USD+0.46%
闪迪46.410USD+0.43%
南亚科技48.45TWD-4.25%
华邦电子19.15TWD-3.04%
主控厂商
群联电子478.0TWD-3.24%
慧荣科技74.810USD+1.11%
联芸科技41.66CNY-1.12%
点序52.3TWD-3.15%
品牌/模组
江波龙84.03CNY-2.06%
希捷科技149.440USD-1.65%
宜鼎国际242.5TWD-1.22%
创见资讯120.0TWD+4.80%
威刚科技93.6TWD-2.80%
世迈科技20.870USD+3.32%
朗科科技23.84CNY-1.37%
佰维存储65.46CNY-1.27%
德明利120.98CNY+2.27%
大为股份19.20CNY-4.10%
封测厂商
华泰电子38.20TWD-2.92%
力成134.5TWD-1.47%
长电科技33.27CNY-0.78%
日月光147.0TWD+2.08%
通富微电25.15CNY-0.95%
华天科技9.92CNY-1.68%