该批HBM将搭载于全球科技企业的下一代AI芯片。目前博通凭借自有半导体设计能力,正为谷歌代工第七代TPU"Ironwood"及Meta自研AI芯片"MTIA v3"。
三星电子在国际固态电路会议(ISSCC)公布的规格显示:以TLC标准计算的存储密度达28Gb/mm²,较前代提升56%;输入输出接口速度5.6GT/s,提升75%。性能的大幅跃升使其有望与明年商用的PCIe Gen6 主控协同发力数据中心市场。
据韩媒引述业内人士消息,三星电子已完成D1c DRAM“生产准备批准(PRA)”,即量产审批流程。在完成设计等开发流程,并达到目标性能和一定良率后,将转入量产。
尽管目前存在这些障碍,但业界强调为这些技术建立生态系统基础的重要性,并预测 AI内存需求结构将逐渐多样化。
美光极有可能在今年下半年向三星电子提供更多采用新1γ(对应1c)工艺生产的LPDDR5X样品。
目前三星电子内部仍在讨论是将 PH2 用作 DRAM 生产基地,还是将其改造成混合晶圆厂。DRAM生产线PH4目前暂无进展,其建设工作已处于收尾阶段。
三星电子计划将新设计应用于其1c DRAM。预计以此方式生产的 DRAM 将用于计划于下半年生产的HBM4。
目前三星、SK海力士被列入了“强制出口管制”(VEU)名单,允许进口除EUV曝光设备以外的所有设备,无需单独许可。如果特朗普政府取消这项豁免,那么每次向中国工厂引入新设备或替换设备时,都需要单独办理许可手续。
据业界消息,前联发科共同营运长朱尚祖将加入慧荣科技,7月正式就任。
继AMD日前于发布会上宣布其新款AI加速器MI350X和MI355X已搭载三星电子的12层HBM3E后,据韩媒报道,三星电子已完成博通HBM3E 8层认证测试,并正在为量产做准备。
据韩媒thebell报道,SK海力士计划推迟对10nm级第六代DRAM(1c DRAM)的投资,目的是专注于需求可见度高、盈利能力强的高带宽存储器(HBM)的生产。
从HBM5开始,冷却技术将成为关键,通过3D异构集成和先进封装技术,将部分基础芯片(Base Die)移至HBM顶部。
据悉三星电子将从第五代HBM"HBM3E"开始应用飞秒激光。但由于设备刚启动导入,实际目标产品更可能是第六代"HBM4"。
对于未来业绩展望,郭鲁正表示:“今年和明年的业绩很难预测,但目前为止,一切进展都与计划相符,让我们共同努力,实现计划。”
美光曾计划到2030年代中期,通过爱达荷州博伊西和纽约州克莱镇的两大生产基地,将40%的DRAM产能转移至美国本土。但鉴于当前延误,能否如期执行该计划尚不明朗。
存储原厂 |
三星电子 | 61250 | KRW | -0.73% |
SK海力士 | 283500 | KRW | +4.61% |
铠侠 | 2552 | JPY | +3.74% |
美光科技 | 119.920 | USD | -1.85% |
西部数据 | 65.215 | USD | -1.31% |
闪迪 | 45.220 | USD | -2.56% |
南亚科技 | 48.50 | TWD | -0.82% |
华邦电子 | 18.90 | TWD | -1.05% |
主控厂商 |
群联电子 | 471.5 | TWD | -0.42% |
慧荣科技 | 73.800 | USD | -1.35% |
联芸科技 | 41.00 | CNY | +0.76% |
点序 | 51.3 | TWD | -0.39% |
品牌/模组 |
江波龙 | 83.94 | CNY | +1.75% |
希捷科技 | 148.390 | USD | -0.70% |
宜鼎国际 | 238.5 | TWD | -1.65% |
创见资讯 | 100.5 | TWD | -4.29% |
威刚科技 | 93.5 | TWD | -0.53% |
世迈科技 | 20.940 | USD | +0.34% |
朗科科技 | 24.24 | CNY | +2.93% |
佰维存储 | 65.63 | CNY | +1.72% |
德明利 | 121.22 | CNY | -0.44% |
大为股份 | 18.71 | CNY | +0.48% |
封测厂商 |
华泰电子 | 37.70 | TWD | -1.18% |
力成 | 134.0 | TWD | +0.75% |
长电科技 | 33.57 | CNY | +1.88% |
日月光 | 143.0 | TWD | -0.69% |
通富微电 | 25.25 | CNY | +1.32% |
华天科技 | 9.90 | CNY | +0.61% |
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱:Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场(ChinaFlashMarket) 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2