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该批HBM将搭载于全球科技企业的下一代AI芯片。目前博通凭借自有半导体设计能力,正为谷歌代工第七代TPU"Ironwood"及Meta自研AI芯片"MTIA v3"。

三星电子在国际固态电路会议(ISSCC)公布的规格显示:以TLC标准计算的存储密度达28Gb/mm²,较前代提升56%;输入输出接口速度5.6GT/s,提升75%。性能的大幅跃升使其有望与明年商用的PCIe Gen6 主控协同发力数据中心市场。

据韩媒引述业内人士消息,三星电子已完成D1c DRAM“生产准备批准(PRA)”,即量产审批流程。在完成设计等开发流程,并达到目标性能和一定良率后,将转入量产。

尽管目前存在这些障碍,但业界强调为这些技术建立生态系统基础的重要性,并预测 AI内存需求结构将逐渐多样化。

美光极有可能在今年下半年向三星电子提供更多采用新1γ(对应1c)工艺生产的LPDDR5X样品。

目前三星电子内部仍在讨论是将 PH2 用作 DRAM 生产基地,还是将其改造成混合晶圆厂。DRAM生产线PH4目前暂无进展,其建设工作已处于收尾阶段。

三星电子计划将新设计应用于其1c DRAM。预计以此方式生产的 DRAM 将用于计划于下半年生产的HBM4。

目前三星、SK海力士被列入了“强制出口管制”(VEU)名单,允许进口除EUV曝光设备以外的所有设备,无需单独许可。如果特朗普政府取消这项豁免,那么每次向中国工厂引入新设备或替换设备时,都需要单独办理许可手续。

据业界消息,前联发科共同营运长朱尚祖将加入慧荣科技,7月正式就任。

继AMD日前于发布会上宣布其新款AI加速器MI350X和MI355X已搭载三星电子的12层HBM3E后,据韩媒报道,三星电子已完成博通HBM3E 8层认证测试,并正在为量产做准备。

据韩媒thebell报道,SK海力士计划推迟对10nm级第六代DRAM(1c DRAM)的投资,目的是专注于需求可见度高、盈利能力强的高带宽存储器(HBM)的生产。

从HBM5开始,冷却技术将成为关键,通过3D异构集成和先进封装技术,将部分基础芯片(Base Die)移至HBM顶部。

据悉三星电子将从第五代HBM"HBM3E"开始应用飞秒激光。但由于设备刚启动导入,实际目标产品更可能是第六代"HBM4"。

对于未来业绩展望,郭鲁正表示:“今年和明年的业绩很难预测,但目前为止,一切进展都与计划相符,让我们共同努力,实现计划。”

美光曾计划到2030年代中期,通过爱达荷州博伊西和纽约州克莱镇的两大生产基地,将40%的DRAM产能转移至美国本土。但鉴于当前延误,能否如期执行该计划尚不明朗。

股市快讯 更新于: 07-08 14:34,数据存在延时

存储原厂
三星电子61250KRW-0.73%
SK海力士283500KRW+4.61%
铠侠2552JPY+3.74%
美光科技119.920USD-1.85%
西部数据65.215USD-1.31%
闪迪45.220USD-2.56%
南亚科技48.50TWD-0.82%
华邦电子18.90TWD-1.05%
主控厂商
群联电子471.5TWD-0.42%
慧荣科技73.800USD-1.35%
联芸科技41.00CNY+0.76%
点序51.3TWD-0.39%
品牌/模组
江波龙83.94CNY+1.75%
希捷科技148.390USD-0.70%
宜鼎国际238.5TWD-1.65%
创见资讯100.5TWD-4.29%
威刚科技93.5TWD-0.53%
世迈科技20.940USD+0.34%
朗科科技24.24CNY+2.93%
佰维存储65.63CNY+1.72%
德明利121.22CNY-0.44%
大为股份18.71CNY+0.48%
封测厂商
华泰电子37.70TWD-1.18%
力成134.0TWD+0.75%
长电科技33.57CNY+1.88%
日月光143.0TWD-0.69%
通富微电25.25CNY+1.32%
华天科技9.90CNY+0.61%