三星电子HBM4年底流片，采用1c DRAM

据韩媒报道，已证实三星电子将于今年年底开始HBM4的流片工作，为明年年底HBM4 12层产品量产打基础。

HBM4测试产品预计最早明年发布，从流片到最终测试产品出来需耗时3-4个月时间，三星将在验证最初生产的HBM4产品的运行情况后，继续进行设计和工艺改进，然后再对主要客户进行产品送样。

从HBM4开始，三星电子计划使用其4纳米代工工艺量产逻辑芯片，SK海力士则使用台积电的5纳米和12纳米工艺；内存核心芯片方面，三星将采用10纳米第6代（1c）DRAM，SK海力士正在1b DRAM和1c DRAM之间权衡。

由于三星电子计划在HBM4核心芯片中使用1c DRAM，预计相关投资也将随之展开，近期有消息称，三星电子正准备向平泽P4工厂引进DRAM处理设备，线路建设已全面启动，目标是明年6月投入运营，生产第六代1c制程 DRAM。