韩国9月半导体出口额为136亿美元，同比大增37.1%，连续11个月保持增势，且时隔三个月再创新高，打消了“半导体寒冬”的担忧。

适逢国庆假期，按国家规定放假7天，即10月1-7日放假，放假期间暂停所有产品报价，10月8日（星期二）恢复所有产品报价。9月29日、10月12日闪存卡、USB 2.0、USB 3.0人民币正常报价。

三星12层HBM3E芯片也已完成量产准备，计划于今年下半年开始供货。

据韩国业内人士称，三星电子已订购可将HBM所需DRAM芯片质量分为最多三个级别的设备（分选机），这是半导体行业首次尝试在制作HBM之前检查和划分DRAM。

今年以来，随着存储原厂NAND制程相继迭代，200层以上NAND的供应增加，高密度NAND在市场应用中逐步取得进展。

最新消息称，铠侠IPO上市时间已由此前规划的10月向后推延至11月以后，主因近期全球半导体类股表现疲弱，股价出现较大幅度下跌，铠侠研判上市时的市值将无法达到所设定的1.5万亿日圆的目标。

据证监会网站显示，武汉新芯IPO辅导状态已于近日变更为“辅导验收”。这表明武汉新芯已完成了必要的准备工作，正朝着IPO的目标稳步前进。

十铨表示，本次合作首波以专为电影创作者而生的T-CREATE系列为始，包含CinemaPr P31移动外接式SSD及DRAM与SSD产品线作为攻占市场战力。

在DRAM制程方面，不同于DDR4/LPDDR4/4X普遍采用1y/1z nm等制程，DDR5/LPDDR5X/HBM3E需要采用更加先进的1a/1b nm制程以提高性能和单位容量。目前，三星电子和SK海力士均在积极推进1b DRAM先进制程的增产工作。

适逢中秋节假期，按国家规定放假3天，即9月15-17日放假，9月14日闪存卡、USB 2.0、USB 3.0人民币正常报价，9月16、17日所有产品均暂停报价，9月18日（星期三）恢复所有产品报价。

消息称，三星电子计划在今年年底前制定对其平泽P2工厂DRAM生产线进行尖端DRAM转换的投资计划。

从这三大台系存储原厂发布的业绩数据来看，旺宏电子、南亚科技8月营收均实现同比、环比双重攀升，华邦电子虽环比略微回落，但同比亦录得正增长。而从累计营收来看，南亚科技和华邦电子均实现同比增长。

据CFM闪存市场预估，今年全球折叠屏手机出货量约2000万台，全球智能手机出货量约11.7亿台，折叠屏手机仅占比1.7%。

相较而言，由于TLC相较QLC资源应用范围较广，且部分料号是系统厂商design in资源，价格表现也相对有撑。

旺宏电子8月份合并营收26.96亿元（新台币，下同），环比增加12.1% ，同比增加3.7%，创16个月以来高点。累计1-8月合并营收173.18亿元，同比减少10.3%。