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据CFM闪存市场观察,近期部分1Tb QLC NAND Flash询单需求增加,原厂整体保持控制供应稳利润的强势态度,以及部分原厂QLC NAND供应相对紧张,市场对性能领先的QLC NAND Flash Wafer价格接受度逐渐增加。

十铨科技1月营收达16.4亿元新台币,环比增长40.68%,同比增长83.35%,主要受惠于品牌效益,工控产品及B2B专案客户所带来的稳定成长动能。

适逢中国农历春节,按国家规定放假8天:2025年1月28日 - 2025年2月4日,放假期间所有产品均暂停报价,2025年2月5日恢复报价。

三星电子原计划在去年12月将1c nm制程DRAM的良率提升至70%,达到结束开发工作、进入量产阶段所需的水平。但在实际情况中,三星虽于去年底成功制得1c nm DRAM的良品晶粒,整体良率却无法满足要求。

报告期内东芯股份产品销售数量与上年同期实现较大增长,营业收入较上年同期增长 20.06%左右,且各季度营业收入均实现环比增长。同时公司持续优化产品结构和市场策略,提升运营效率,降低产品成本,报告期内毛利率与上年同期相比有所提升。

兆易创新认为,今年前两个季度利基型DRAM依然会处于价格底部盘整的阶段,进入下半年,随着市场消化掉大厂的尾货,供给格局改善之下,价格有望企稳回升,公司盈利能力也会有所改善。

3月12日,CFMS|MemoryS 2025与您再度相约深圳前海JW万豪酒店,以“存储格局、价值重塑”为主题,旨在探讨技术和产品创新如何为客户创造更大价值,以“价值”为导向实现存储产业链的重塑、推动产业的升级。

三星电子原计划在今年上半年量产HBM3E产品,供应NVIDIA等,下半年量产下一代HBM“HBM4”产品,但最近似乎改变了目标根据市场情况提前推进时间表。

SK集团董事长崔泰源特别强调了SK海力士的开发能力,“过去,SK海力士的开发速度略落后于英伟达的步伐,不过,现在我可以自信地说,SK海力士的开发速度稍微领先于英伟达。”且今年的(HBM)供应量已经在工作层面决定了。

十铨将持续扩大市场经营布局,开拓B2B及工控领域,在多元应用的存储方案驱动下,期待新一年营运绩效再创高峰。

2024年前11个月,韩国主打出口产品中固态硬盘(SSD)对美出口占比大升,对华(含香港)则骤降。

适逢元旦假期,按照国家节假日规定,放假1天,即2025年1月1日放假。放假期间,停止所有产品报价,1月2日(周四)恢复所有产品报价。

品安透露,为应对DRAM产业起伏不定,与物价通膨趋势等非预期事件冲击,拟定最符合未来价值需求竞争策略,将调降DRAM生产比重,朝向跨足多重领域,提高非DRAM营收,分散经营风险,转型多元制造智能工厂。

业界认为,三星电子的产品开发策略发生了变化,经过最新的组织及人事调整后,三星电子正在积极鼓励技术发展。在DRAM领域,三星电子正在开发4F² VCT DRAM和3D DRAM等多种技术,以应对下一代DRAM市场,1e DRAM也是其中之一。

SK海力士正在加快下一代HBM产品开发和生产的尝试,为了响应随着NVIDIA 等客户的 AI 加速器开发周期加快而加速新 HBM 产品供应的要求。HBM3E 16层很可能配备NVIDIA 最新 AI 加速器“ Blackwell”的下一版本。

股市快讯 更新于: 11-26 11:38,数据存在延时

存储原厂
三星电子101300KRW+2.01%
SK海力士517500KRW-0.29%
铠侠8982JPY-8.84%
美光科技224.530USD+0.27%
西部数据155.410USD+2.97%
闪迪220.500USD-2.85%
南亚科技134.5TWD-6.27%
华邦电子53.2TWD-7.48%
主控厂商
群联电子1005TWD-8.64%
慧荣科技84.710USD+1.04%
联芸科技47.17CNY+1.22%
点序67.0TWD-2.05%
品牌/模组
江波龙245.90CNY+1.83%
希捷科技261.890USD+3.36%
宜鼎国际486.0TWD-1.82%
创见资讯180.5TWD-4.50%
威刚科技174.5TWD-2.24%
世迈科技19.030USD+5.14%
朗科科技27.65CNY+0.62%
佰维存储106.01CNY+0.97%
德明利220.11CNY-0.43%
大为股份28.93CNY-4.74%
封测厂商
华泰电子46.70TWD-3.31%
力成154.0TWD+1.32%
长电科技35.98CNY+1.32%
日月光218.0TWD+2.83%
通富微电36.45CNY+1.33%
华天科技10.85CNY+0.18%