新的High-NA EUV能生产新一代更小、效能更快的芯片。ASML称，预计客户将在2025-2026年开始使用这款新设备进行商业生产。

低温蚀刻可以让存储器的存储单元从上层到下层之间贯穿的许多存储通孔（memoryhole），以更快的时间形成，因此能提高单位时间的生产量。

在2024年台北国际电脑展上，AMD公司展示了其在处理器和AI加速器领域的最新技术成果。AMD宣布了Ryzen 5000XT系列处理器、第五代EPYC霄龙芯片、X870(E)芯片组、Radeon PRO W7900DS显卡、Ryzen AI 300系列APU、Ryzen 9000系列桌面处理器，以及Instinct GPU AI加速器的未来三年发展路线图。

AMD今年将推出采用HBM3E的Instinct MI325X，预计将于2024年第四季度上市。

此外，SEMES目前正在开发和评估高精度、高生产率的混合键合设备，该设备可以通过堆叠芯片来连接芯片，无需单独的连接端子，为HBM4之后的超精细工艺做好准备。

SK海力士计划在今年下半年购买约30台可进行加热回流的TC键合机。

由于半导体和显示器等 IT 产品出口增加，中国已超越美国成为韩国最大的出口目的地。

英伟达正式宣布在其下一代产品中搭载HBM4， AI芯片发布周期也有望从现有的两年加速到一年，将引发HBM开发速度的竞争。

消息还称，今年年底美光HBM产能为2万片12英寸晶圆。虽然仅为SK海力士和三星电子产能的20%左右，但预计明年将增加三到四倍。

与 NAND 一样，MARM 即使在电源关闭时也能保留数据，并且具有比 NAND 写入数据快约 1,000 倍且功耗更低的优点。未来汽车行业的需求预计将增加。

应用材料已供应全球50%以上用于HBM生产制程的设备，在3D DRAM、2nm以下先进制程代工等领域也将主导市场。